[发明专利]具有磁性隧道结的非易失寄存器在审
| 申请号： | 201911098102.0 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112863575A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;何伟伟 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有磁性隧道结的非易失寄存器，其特征在于该寄存器单元包括一差动放大器电路，其包含交叉连接的第一反相器和第二反相器，用以形成不平衡的触发器电路；两反相器的两输出端共设置一对受读字线控制的NMOS晶体管，其一者连接两MTJ之间，其一MTJ另一端通过NMOS晶体管连接位线与写字线。藉此，寄存器单元的写通路只是通过位线连接的NMOS，即只需要加大此NMOS管尺寸即可实现流通写电流要求，而读操作上亦无需预充电，因此可加快读、写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 磁性 隧道 非易失 寄存器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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