[发明专利]半导体刻蚀设备预防保养方法和工具在审

申请号：	201911052357.3	申请日：	2019-10-31
公开（公告）号：	CN110767578A	公开（公告）日：	2020-02-07
发明（设计）人：	范红庆;江森林	申请（专利权）人：	上海华力集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01J37/32
代理公司：	31211 上海浦一知识产权代理有限公司	代理人：	郭四华
地址：	201315 上海市浦东新区中国(上***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种半导体刻蚀设备预防保养方法，半导体刻蚀设备包括刻蚀工艺腔体以及和所述刻蚀工艺腔体相连接的进气管路；包括步骤：步骤一、对处于真空状态的所述刻蚀工艺腔体进行破真空并打开，并对刻蚀工艺腔体内部进行清洗；步骤二、将进气管路从刻蚀工艺腔体中拆下；步骤三、采用气体吹扫方法对进气管路进行清洗，以防止所述进气管路中的残留的刻蚀气体在大气状态下对所述进气管路的内壁涂层产生腐蚀，并消除内壁涂层腐蚀产生的颗粒污染。本发明还公开了一种半导体刻蚀设备预防保养工具。本发明能防止由预防保养本身所带来的污染问题，从而能提高产品良率。
搜索关键词：	进气管路刻蚀工艺腔体半导体刻蚀设备内壁涂层保养清洗预防腐蚀保养工具产品良率大气状态颗粒污染刻蚀气体气体吹扫腔体内部污染问题真空状态破真空拆下残留
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【主权项】：

1.一种半导体刻蚀设备预防保养方法，其特征在于，半导体刻蚀设备包括刻蚀工艺腔体以及和所述刻蚀工艺腔体相连接的进气管路；包括如下步骤：/n步骤一、对处于真空状态的所述刻蚀工艺腔体进行破真空并打开，并对所述刻蚀工艺腔体内部进行清洗；/n步骤二、将所述进气管路从所述刻蚀工艺腔体中拆下；/n步骤三、采用气体吹扫方法对所述进气管路进行清洗，以防止所述进气管路中的残留的刻蚀气体在大气状态下对所述进气管路的内壁涂层产生腐蚀，并消除内壁涂层腐蚀产生的颗粒污染。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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