[发明专利]一种镜片沉积金刚石薄膜的装置及方法在审
| 申请号： | 201910997769.8 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110607514A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王晋峰 | 申请（专利权）人： | 南京爱思菲瑞克光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/517;C23C16/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210046 江苏省南京市栖霞区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种镜片沉积金刚石薄膜的装置及方法，包括反应室、等离子体发生器、电源，所述反应室两侧安装有真空计和三号阀门，所述反应室底部固定安装有排气阀和加热板，所述加热板顶部设置有基片，所述加热板底部与电源通过导线相连，所述电源与等离子体发生器通过导线相连，所述等离子体发生器固定安装在反应室顶部；本发明的有益效果：通过电容式射频辉光放电等离子体化学气相沉积方法，在较低的温度下可达到高沉积速率，解决了传统方法中高温镀膜的问题，等离子体发生器可产生稳定等离子体，提高镀膜的均匀性，采用对基片表面洁净、活化，并且控制样品制备工艺条件，提高了镜片镀膜的附着性能。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体发生器 反应室 加热板 电源 镀膜 辉光放电等离子体 沉积金刚石薄膜 化学气相沉积 稳定等离子体 样品制备工艺 反应室顶部 顶部设置 附着性能 基片表面 镜片镀膜 电容式 均匀性 排气阀 真空计 中高温 镜片 阀门 活化 射频 沉积 洁净 | ||
【主权项】：
1.一种镜片沉积金刚石薄膜的装置，包括反应室(1)、等离子体发生器(2)、流量计(3)、一号阀门(4)、氩气瓶(5)、二号阀门(6)、甲烷气体瓶(7)、三号阀门(8)、真空泵(9)、排气阀(10)、真空计(11)、基片(12)、加热板(13)、电源(14)，其特征在于：所述反应室(1)两侧安装有真空计(11)和三号阀门(8)，所述三号阀门(8)与真空泵(9)通过导管相连，所述反应室(1)底部固定安装有排气阀(10)和加热板(13)，所述加热板(13)顶部设置有基片(12)，所述加热板(13)底部与电源(14)通过导线相连，所述电源(14)与等离子体发生器(2)通过导线相连，所述等离子体发生器(2)固定安装在反应室(1)顶部，所述等离子体发生器(2)与流量计(3)通过导管相连，所述流量计(3)通过导管相连分别与一号阀门(4)和二号阀门(6)相连，所述一号阀门(4)与氩气瓶(5)通过导管相连，所述二号阀门(6)与甲烷气体瓶(7)通过导管相连。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京爱思菲瑞克光电科技有限公司，未经南京爱思菲瑞克光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910997769.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种外延生长制备高定向金刚石纳米片阵列材料的方法-201710449897.X
- 于杰;王曙光 - 哈尔滨工业大学深圳研究生院
- 2017-06-14 - 2020-02-14 - C23C16/27
- 本发明提供了一种外延生长制备高定向金刚石纳米片阵列材料的方法，以单晶金刚石或多晶金刚石薄膜为基底；采用微波等离子体化学气相方法和利用面内外延生长技术使基底中的{111}晶面的面缺陷通过横向面内外延生长形成纳米片，片的取向是沿着金刚石的{111}晶面生长，得到高定向金刚石纳米片阵列材料。本发明的技术方案克服现有技术中站立的金刚石纳米片难以定向生长的技术难题，通过面内外延生长的方法得到了高定向金刚石纳米片阵列材料，该材料是由金刚石纳米片规则排列，形成有规则取向的三维阵列，具有均匀的厚度；而且可以通过改变甲烷的浓度来控制金刚石纳米片的密度和厚度。
- 一种金刚石涂层的制备方法及其制备装置-201711267569.4
- 许立;李丙文;马宁 - 富耐克超硬材料股份有限公司
- 2017-12-05 - 2020-02-14 - C23C16/27
- 本发明提供一种金刚石涂层的制备方法，其包括以下步骤：将三聚氰胺溶解于醇溶液中，得到混合溶液；以甲烷和氢气为反应气源，将所述反应气源和所述混合溶液同时通入沉积室中，利用热丝气相沉积法在基体的表面沉积金刚石，得到金刚石涂层。该方法在气相沉积中引入了三聚氰胺和醇溶液，三聚氰胺和醇分解形成NH
- 一种带有电加速与偏转功能的金刚石膜制备装置-201920900222.7
- 解海卿;郝昕曈;姚芳;郝晋青 - 太原师范学院
- 2019-06-16 - 2020-02-14 - C23C16/27
- 本实用新型涉及金刚石膜的制备技术，具体是一种带有电加速与偏转功能的金刚石膜制备装置。本实用新型解决了采用热丝化学气相沉积法大面积制备金刚石膜时制备质量和速度受限的问题。一种带有电加速与偏转功能的金刚石膜制备装置，包括圆筒形反应室、外层水管、圆饼形载台、内层水管、径向支撑杆、圆饼形水冷腔、圆形绝缘板、圆形绝缘格栅、扇形钼板、热丝阵列、下圆形大导电栅网、上圆形大导电栅网、喇叭形导气罩、U形导气管、下圆形小导电栅网、上圆形小导电栅网、放电针、接地针、抽气孔、矩形窗孔、第一至第八电源。本实用新型适用于金刚石膜的大面积制备。
- 一种气源轮换式金刚石膜制备装置-201920900223.1
- 郝晋青;马引群;孟康飞;刘佳奇;郭梦特;李戎戎;彭泽峰 - 太原师范学院
- 2019-06-16 - 2020-02-14 - C23C16/27
- 本实用新型涉及金刚石膜的制备技术，具体是一种气源轮换式金刚石膜制备装置。本实用新型解决了采用热丝化学气相沉积法大面积制备金刚石膜时制备质量和速度受限的问题。一种气源轮换式金刚石膜制备装置，包括圆筒形反应室、外层水管、圆饼形载台、内层水管、径向支撑杆、圆饼形水冷腔、驱动电机、驱动齿轮、L形支撑杆、导电触头、热丝阵列、下圆形大导电栅网、上圆形大导电栅网、第一导气管、第二导气管、第三导气管、第一下圆形小导电栅网、第一上圆形小导电栅网、第二下圆形小导电栅网、第二上圆形小导电栅网、第三下圆形小导电栅网、第三上圆形小导电栅网、第一放电针、第二放电针、第三放电针。本实用新型适用于金刚石膜的大面积制备。
- 一种百叶窗式金刚石膜制备装置-201920900227.X
- 郝晋青;郭欣和;谢澳华;刘阳;田栋栋;王晋康;张楠 - 太原师范学院
- 2019-06-16 - 2020-02-14 - C23C16/27
- 本实用新型涉及金刚石膜的制备技术，具体是一种百叶窗式金刚石膜制备装置。本实用新型解决了采用热丝化学气相沉积法大面积制备金刚石膜时制备质量和速度受限的问题。一种百叶窗式金刚石膜制备装置，包括圆筒形反应室、外层水管、圆饼形载台、内层水管、径向支撑杆、圆饼形水冷腔、驱动电机、驱动齿轮、L形支撑杆、导电触头、热丝阵列、电动百叶窗、下圆形大导电栅网、上圆形大导电栅网、喇叭形导气罩、U形导气管、下圆形小导电栅网、上圆形小导电栅网、放电针、接地针、抽气孔、矩形窗孔、第一至第八电源。本实用新型适用于金刚石膜的大面积制备。
- 一种栅网拼块式金刚石膜制备装置-201920900231.6
- 郝晋青;郝昕曈;王春涛;韩丙辰;陈昶;陈雪;刘嘉 - 太原师范学院
- 2019-06-16 - 2020-02-14 - C23C16/27
- 本实用新型涉及金刚石膜的制备技术，具体是一种栅网拼块式金刚石膜制备装置。本实用新型解决了采用热丝化学气相沉积法大面积制备金刚石膜时制备质量和速度受限的问题。一种栅网拼块式金刚石膜制备装置，包括圆筒形反应室、外层水管、圆饼形载台、内层水管、径向支撑杆、圆饼形水冷腔、驱动电机、驱动齿轮、L形支撑杆、导电触头、热丝阵列、下径向绝缘筋板、上径向绝缘筋板、下扇形大导电栅网、上扇形大导电栅网、喇叭形导气罩、U形导气管、下圆形小导电栅网、上圆形小导电栅网、放电针、接地针、抽气孔、矩形窗孔、第一至第十三电源。本实用新型适用于金刚石膜的大面积制备。
- 一种带有加速筒的金刚石膜制备装置-201920900232.0
- 郝晋青;韩丙辰;谢澳华;刘阳;田栋栋;王晋康;张楠 - 太原师范学院
- 2019-06-16 - 2020-02-14 - C23C16/27
- 本实用新型涉及金刚石膜的制备技术，具体是一种带有加速筒的金刚石膜制备装置。本实用新型解决了采用热丝化学气相沉积法大面积制备金刚石膜时制备质量和速度受限的问题。一种带有加速筒的金刚石膜制备装置，包括圆筒形反应室、外层水管、圆饼形载台、内层水管、径向支撑杆、圆饼形水冷腔、驱动电机、驱动齿轮、L形支撑杆、导电触头、热丝阵列、圆形加速筒、径向安装杆、下圆形导电加速栅网、上圆形导电加速栅网、下圆形大导电栅网、上圆形大导电栅网、喇叭形导气罩、U形导气管、下圆形小导电栅网、上圆形小导电栅网、放电针、接地针、抽气孔、矩形窗孔、第一至第九电源。本实用新型适用于金刚石膜的大面积制备。
- 金刚石在线检测生长装置及生长缺陷处理方法-201911213947.X
- 彭国令;黄翀 - 长沙新材料产业研究院有限公司
- 2019-12-02 - 2020-02-07 - C23C16/27
- 本发明提供一种金刚石在线检测生长装置及生长缺陷处理方法，其中，金刚石在线检测生长装置包括反应腔室、光学相机测量装置、气体存储输送系统和控制装置，所述光学相机测量装置设置在反应腔室的外部，光学相机测量装置透过观察窗口实时的拍摄反映腔室内金刚石的生长情况，并反馈给控制装置的中央处理器，所述中央处理器根据检测结果控制碳源气体混合物和刻蚀气体混合物是否进入反应腔室，能够实时的记录金刚石的生长过程并及时的处理掉生长缺陷，确保金刚石的生长质量和成品率。
- 一种复合金刚石涂层硬质合金刀具及制备方法-201910209898.6
- 魏秋平;马莉;周科朝;余志明 - 中南大学
- 2019-03-19 - 2020-02-04 - C23C16/27
- 一种复合金刚石涂层硬质合金刀具及制备方法，所述硬质合金刀具表层设有交替布置的掺硼或非掺硼的微米晶金刚石和纳米晶金刚石构成的复合涂层，复合金刚石涂层表面沉积一层类金刚石涂层DLC。制备方法，包括除油脱脂、化学微刻蚀，等离子活化及等离子增强气态硼化，等离子清洗，金刚石泥浆超声研磨、种植纳米、微米金刚石籽晶，气相沉积金刚石复合涂层步骤。本专利通过在沉积金刚石过程中掺硼使硼原子进入金刚石晶格中，调节金刚石涂层的内应力，避免了应力突变区的产生，达到从根上避免每层应力不匹配情况的出现，有效改善复合涂层内部的应力分布，进一步提高微纳米复合涂层的完整性，提高膜基结合力和复合涂层综合力学性能。
- 一种硼掺CVD金刚石单晶颗粒的制备系统-201920331679.0
- 薛喆;张韬;孙方宏 - 张家港市微纳新材料科技有限公司
- 2019-03-15 - 2020-01-07 - C23C16/27
- 本实用新型公开了一种硼掺CVD金刚石单晶颗粒的制备系统，包括掺硼子系统和与其相连的反应子系统，所述掺硼子系统包括进气装置和鼓泡装置，所述鼓泡装置安装在进气装置上；氢气进入进气装置后被分成两路，一路直接进入反应子系统；另一路则作为载气，先进入鼓泡装置鼓泡，将丙酮与硼酸三甲脂混合溶液以蒸汽形式带出，再经流量计、针型阀与直通通路的氢气汇合，进入反子系统。相对于传统的硼烷掺杂而言，本实用新型操作简单、安全，且可以通过流量计对气体流量进行精确设定，易于控制掺杂浓度，导入的氧元素亦具有提高生长速率、改善金刚石质量的作用。
- 一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法-201810565524.3
- 高洁;于盛旺;郑可;黑鸿君;田武;潘雪楠;王月月;马永 - 太原理工大学
- 2018-06-04 - 2020-01-03 - C23C16/27
- 本发明涉及一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法，采用双层辉光等离子渗金属方法在硅基片表面渗钼处理形成钼促形核层；采用化学气相沉积方法在上述钼促形核层上沉积成纳米金刚石膜；继续反复交替进行在纳米金刚石膜上渗钼处理形成钼促形核层，以及在钼促形核层上沉积纳米金刚石膜的步骤；以上所述钼促形核层厚度为0.1‑1µm，纳米金刚石膜厚度控制在20‑100µm，最终在硅基片表面形成厚度为0.5‑3mm厚膜后，将硅基片腐蚀处理，得到所述的自支撑纳米金刚石厚膜。该方法通过不断施加钼促形核层，提高金刚石成核速率，抑制晶粒长大，实现纳米金刚石厚膜的制备，该厚膜具有良好的强韧性及耐磨性等综合性能。
- 一种制备珠宝首饰用人造CVD金刚石的方法及设备-201810659051.3
- 赵志岩 - 廊坊西波尔钻石技术有限公司
- 2018-06-25 - 2019-12-31 - C23C16/27
- 本申请公开了一种制备首饰用人造CVD金刚石的设备及方法，所述设备包括：密闭的沉积室，在所述沉积室中竖直设置有热丝组件，在热丝组件两侧分别设置有基体组件，所述基体组件可沿垂直于所述热丝网面的方向往复运动。使用本申请提供的设备可以在制备过程中持续缓慢地移动基片台，从而避免在CVD过程中产生的石墨等杂质落入人造CVD金刚石内部，进而提高人造CVD金刚石的品质，而且，热丝组件的两侧同时设置基片台，从而将制造效率提高1倍，此外，使用本申请提供的设备能够在制备过程中保持人造CVD金刚石前端面的温度恒定，从而增加人造CVD金刚石的厚度，进而获得大尺寸的人造CVD金刚石。
- 一种在不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法-201911053967.5
- 李晓;刘成;胡晓君;陈成克;蒋梅燕;李传星;吕枫 - 浙江工业大学
- 2019-10-31 - 2019-12-31 - C23C16/27
- 本发明公开了一种在不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：不锈钢样品的前处理：对不锈钢样品进行砂纸打磨，用丙酮进行超声处理，烘干备用；S2：在不锈钢表面沉积Cr/CrSiN薄膜：将S1步骤中的不锈钢样品装入磁控溅射设备的样品台中，将Cr、Si靶材安装到靶座上，在不锈钢基底表面沉积Cr膜及CrSiN薄膜，得到含Cr/CrSiN过渡层的不锈钢样品；S3：在不锈钢表面沉积金刚石薄膜：将S2步骤中得到的含Cr/CrSiN过渡层的不锈钢样品超声种晶，利用热丝CVD进行沉积金刚石薄膜，实现在含Cr/CrSiN为过渡层的不锈钢表面上制备金刚石薄膜。本发明通过采用上述技术，使金刚石膜与不锈钢之间结合力高，在洛氏硬度计150 kg载荷作用下薄膜未发生脱落。
- 一种镜片沉积金刚石薄膜的装置及方法-201910997769.8
- 王晋峰 - 南京爱思菲瑞克光电科技有限公司
- 2019-10-21 - 2019-12-24 - C23C16/27
- 本发明提供了一种镜片沉积金刚石薄膜的装置及方法，包括反应室、等离子体发生器、电源，所述反应室两侧安装有真空计和三号阀门，所述反应室底部固定安装有排气阀和加热板，所述加热板顶部设置有基片，所述加热板底部与电源通过导线相连，所述电源与等离子体发生器通过导线相连，所述等离子体发生器固定安装在反应室顶部；本发明的有益效果：通过电容式射频辉光放电等离子体化学气相沉积方法，在较低的温度下可达到高沉积速率，解决了传统方法中高温镀膜的问题，等离子体发生器可产生稳定等离子体，提高镀膜的均匀性，采用对基片表面洁净、活化，并且控制样品制备工艺条件，提高了镜片镀膜的附着性能。
- 基于头发丝作为碳源使用MPCVD法生长单晶金刚石的方法-201711353968.2
- 马志斌;夏禹豪 - 武汉工程大学
- 2017-12-15 - 2019-12-17 - C23C16/27
- 本发明公开了一种基于头发丝作为碳源使用MPCVD法生长单晶金刚石的方法，该方法包含以下步骤：第一步：提供生产单晶金刚石的合成装置和固定样品台；第二步：将成捆头发丝插入固定样品台上的插口中，将固定样品台放入反应腔内，向腔体内通入氢气形成等离子体，利用等离子体对头发丝进行灼烧，使其气化；第三步，将气化的气体收集并纯化后通入另一反应腔内；第四步：沉积单晶金刚石完成。本发明利用微波等离子体化学气相沉积法高温灼烧头发丝使其气化，利用其碳源生产单晶金刚石，并获得了质量较好的单晶金刚石。
- 一种新型的金刚石材料生长方法-201810566024.1
- 刘胜;沈桥;甘志银 - 甘志银
- 2018-06-05 - 2019-12-13 - C23C16/27
- 本发明为一种利用等离子化学气相沉积进行金刚石外延的一种方法。在外延衬底上覆盖一片导向衬底，把外延衬底和导向衬底相互叠加在一起，放置于样品台上方的生长金刚石的反应气体等离子体中，外延的金刚石材料生长于外延衬底表面，在外延衬底和导向衬底之间进行金刚石外延生长。本发明中双衬底的小间隙的布局，改变了衬底间的等离子的分布，使得等离子在间隙中的密度增加，增加了等离子强度，实现金刚石材料的快速生长，并且可以降低对外延衬底的选择性，拓展了金刚石镀膜衬底的范围。
- 碳化硅-纳米金刚石复合涂层、其制备方法和应用、冷挤压模具凸模及模具-201810573986.X
- 唐永炳;陈波;王陶;杨扬 - 深圳先进技术研究院
- 2018-06-06 - 2019-12-13 - C23C16/27
- 本发明公开了一种碳化硅‑纳米金刚石复合涂层、其制备方法和应用、冷挤压模具凸模及模具，涉及金刚石涂层制备技术领域。碳化硅‑纳米金刚石复合涂层依次为与基体接触的碳化硅涂层以及纳米金刚石涂层。其制备方法采用热丝气相沉积法在基体表面依次沉积碳化硅涂层和纳米金刚石涂层。本发明还提供了该复合涂层在冷挤压模具中的应用，以及冷挤压模具凸模及模具。本发明碳化硅中间层有效提高涂层与基体的结合力，同时阻挡基体中的钴扩散至金刚石层中催生石墨而降低金刚石涂层的耐磨性，纳米尺寸金刚石薄膜有利于降低涂层表面粗糙度。将碳化硅‑纳米金刚石复合涂层运用到冷挤压模具凸模上，提高了凸模使用寿命，降低了凸模与工件摩擦力，提高制件质量。
- 一种金属化金刚石纳米复镀薄膜及其制备方法-201910911724.4
- 王军友;陈鸿杰;杨晓磊 - 郑州华晶新能源科技有限公司
- 2019-09-25 - 2019-12-13 - C23C16/27
- 本发明提供一种金属化金刚石纳米复镀薄膜的制备方法，其步骤包括：利用等离子体增强化学气相沉积法在金属化薄膜表面沉积金刚石纳米薄膜层。本发明还提供由该方法制备的金属化金刚石纳米复镀薄膜，它包括金属化薄膜和沉积在所述金属化薄膜表面的金刚石纳米薄膜层。本发明在现有金属化薄膜镀层上复镀一层金刚石纳米薄膜，能够保护原有金属镀层不被蚀失、提高薄膜抗电强度和提高金属化薄膜介电常数。
- 环形单晶无机非金属部件的制作方法、设备及飞轮-201810563373.8
- 靳普 - 至玥腾风科技投资集团有限公司
- 2018-06-04 - 2019-12-10 - C23C16/27
- 本发明提供环形单晶无机非金属部件的制作方法、设备及飞轮，其中制作方法包括以下步骤：提供基体；将所述基体置于真空环境；向所述真空环境通入原料气体构成原料气体环境；驱动所述基体旋转并达到预定转速；传输微波至所述原料气体环境，微波激励所述原料气体环境内的原料气体，形成等离子体；所述基体的外圆周面上接收沉积的等离子体，形成环形单晶无机非金属部件。该环形单晶无机非金属部件具备高硬度、高导热性以及低热膨胀系数等性能，可以作为飞轮使用于飞轮储能器，从而使得高储能密度的飞轮制作成为可能。
- 一种热丝CVD化学气相沉积纳米金刚石涂层装置-201920093093.5
- 葛强;李万春;郭乃祝 - 珠海中纳金刚石有限公司
- 2019-01-18 - 2019-11-26 - C23C16/27
- 本实用新型涉及化学气相沉积镀膜设备技术领域，具体涉及一种热丝CVD化学气相沉积纳米金刚石涂层装置，包括有基座、设置在基座上的模具固定架以及设置在基座上方的热丝，热丝分为沿水平横向排布的第一热丝、沿水平纵向排布的第二热丝以及沿竖向排布的第三热丝，第一热丝能够穿过模具的内孔，模具固定架上设置有能够容置模具的V形槽或楔形槽；本实用新型通过水平横向排布的第一热丝、水平纵向排布的第二热丝以及纵向排布的第三热丝而形成一个稳定的加热区域，其中第一热丝能够穿过模具的内孔，这样的方式能够避免内孔两端的温度衰减，提升纳米金刚石涂层的质量，保证内孔纳米金刚石涂层的圆度均匀，提高成品率。
- 微-纳米复合金刚石涂层、其制备方法和应用、冷挤压模具冲头及模具-201810451264.7
- 唐永炳;陈波;张松权;王陶 - 深圳先进技术研究院
- 2018-05-11 - 2019-11-19 - C23C16/27
- 本发明公开了一种微‑纳米复合金刚石涂层、其制备方法和应用、冷挤压模具冲头及模具，涉及金刚石涂层制备技术领域。所述微‑纳米复合金刚石涂层依次为(a)与基底接触的微米金刚石涂层，以及(b)纳米金刚石涂层。微‑纳米复合金刚石涂层的制备方法采用热丝气相沉积法在基底表面依次沉积微米金刚石涂层和纳米金刚石涂层。本发明还提供了微‑纳米复合金刚石涂层在冷挤压模具中的应用，以及冷挤压模具冲头及模具。本发明将微‑纳米复合金刚石涂层运用到冷挤压模具冲头上，提高了挤压模具冲头的使用寿命，降低了成本，同时降低了冲头与工件摩擦力，降低了成形挤压力，提高了工件的表面光洁度。
- 热丝夹具和热丝沉积设备与其应用及刀具的制备方法-201810453581.2
- 唐永炳;陈波;王陶;杨扬 - 深圳先进技术研究院
- 2018-05-11 - 2019-11-19 - C23C16/27
- 本发明提供了一种热丝夹具和热丝沉积设备与其应用及刀具的制备方法，涉及热丝气相沉积技术领域，该热丝夹具，包括：夹具支架，包括依次平行间隔设置的第一热丝固定杆、第一热丝承载棒、第二热丝承载棒和第二热丝固定杆，第一热丝固定杆可沿第一热丝承载棒的垂线方向移动，和，多根热丝平行间隔设置组成的热丝组，固定连接于第一热丝固定杆与第二热丝固定杆，且与第一热丝承载棒和第二热丝承载棒接触；以及，弹簧，两端分别固定连接于第一热丝固定杆与第二热丝固定杆，并与热丝平行，缓解了现有技术的热丝夹具在工况条件件由于每根热丝的受力不同造成的温度场分布不均的技术问题，达到了提高温度差分布均匀度的技术效果。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
