[发明专利]一种直拉硅单晶炉平底导流筒在审

专利信息
申请号: 201910941999.2 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN110484967A 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 武志军;高润飞;张文霞;郭谦;霍志强;韩凯;王胜利;张石晶;郭志荣;钟旭 申请(专利权)人: 内蒙古中环光伏材料有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 12213 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 栾志超<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 010070 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙;15
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种直拉硅单晶炉平底导流筒,包括导流筒侧壁部、导流筒过渡部和导流筒平底部,导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部依次连接,其中,导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部均为环状结构,导流筒平底部的直径小于导流筒侧壁部的直径,且导流筒平底部与导流筒侧壁部同轴线设置,以便减小硅溶液液面与导流筒之间的间隙。本发明的有益效果是具有导流筒平底部,导流筒与液面缝隙降少,气体流速加快,可快速带走挥发出的氧,可有效降低大尺寸单晶氧含量,提升大尺寸单晶品质。
搜索关键词: 导流筒 侧壁部 过渡部 大尺寸单晶 液面 直拉硅单晶炉 同轴线设置 环状结构 气体流速 依次连接 硅溶液 减小
【主权项】:
1.一种直拉硅单晶炉平底导流筒,其特征在于:包括导流筒侧壁部、导流筒过渡部和导流筒平底部,所述导流筒侧壁部、所述导流筒过渡部与所述导流筒平底部依次连接,其中,/n所述导流筒侧壁部、所述导流筒过渡部与所述导流筒平底部均为环状结构,所述导流筒平底部的直径小于所述导流筒侧壁部的直径,且所述导流筒平底部与所述导流筒侧壁部同轴线设置,以便减小硅溶液液面与导流筒之间的间隙。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古中环光伏材料有限公司,未经内蒙古中环光伏材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910941999.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 多晶硅装料方法-201510573026.X
  • 张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 - 上海超硅半导体有限公司
  • 2015-09-10 - 2020-02-14 - C30B15/00
  • 本发明技术是一种多晶硅装料方法,将石英坩埚的内部以坩埚上口中心点为基点分成中心区域,中间区域和外部区域三个体积区域。将多晶硅原料分成三个粒径范围,在不同的区域分别填充不同粒径的多晶硅原料。装料时从坩埚底部开始分层向上装料,采用超声振动的方式将细颗粒的多晶硅填充进大块体的间隙中,提高填充的体积分数。有效防止熔化过程中漏硅、喷硅和粘接挂边的问题。坩埚中填充的多晶硅原料的实际填充密度达到坩埚体积的70%以上。
  • 一种安全的单晶炉炉底板-201920484429.0
  • 焦尚彬;蒋剑 - 西安理工大学
  • 2019-04-10 - 2020-02-14 - C30B15/00
  • 本实用新型提供一种安全的单晶炉炉底板,其安装在单晶炉底座支架上,其上安装主炉室,单晶炉炉底板包括炉底本体、供坩埚杆通过的坩埚杆孔、抽气孔、电极孔、炉内热场安装面、水封板、炉底水冷槽环路、进水口和出水口,炉内热场安装面位于炉底本体上部,为整板无焊缝加工而成,其位于单晶炉炉腔真空室内部,水封板和炉底本体下部焊接,位于单晶炉炉腔真空室外部,炉底水冷槽环路位于炉底本体和水封板之间,进水口位于坩埚杆孔侧壁,出水口位于单晶炉炉底板边缘处。本实用新型采用焊缝在真空室外部的设计,防止漏水对人员和设备产生不安全隐患;坩埚杆孔、电极孔和抽气孔的内壁均采用双面焊接结构,加强了真空室内部焊缝的安全性。
  • 单晶炉导流筒提升装置-201920553496.3
  • 魏海宁;张艳辉 - 徐州晶睿半导体装备科技有限公司
  • 2019-04-22 - 2020-02-11 - C30B15/00
  • 本实用新型公开一种单晶炉导流筒提升装置,包括支撑板,所述支撑板的前后两侧上端连接有吊装装置,所述支撑板的上表面中间位置设有液压油箱和液压泵,所述支撑板的下端固定有连接板,连接板的底端固定连接有底板,所述连接板的前侧面中间位置设有第一滑槽,第一滑槽内滑动连接有第一滑块,第一滑块与支撑板之间设有液压伸缩杆,所述液压泵的输入端与外部控制开关的输出端电连接,所述液压泵的液压油输入端通过导管与液压油箱的液压油输出端连接,本装置操作简单,使用快捷方便,单人操作即可完成导流筒的取出作业,降低工作人员的劳动强度,同时使工作人员的安全性得到保障。
  • 一种单晶硅生产用导流装置-201920471059.7
  • 郑芹峰;周建明 - 浙江明峰电子科技有限公司
  • 2019-04-09 - 2020-02-07 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了一种单晶硅生产用导流装置,涉及单晶硅生产技术领域。本实用新型包括外导流筒和内导流筒;外导流筒一表面分别设置有第一卡块和第二卡块;内导流筒一表面分别设置有第三卡块和第四卡块;第一卡块一表面与第三卡块契合;第二卡块一表面与第四卡块契合;外导流筒一表面贯穿有铆头;外导流筒和内导流筒内壁通过铆头铆接;外导流筒一表面开设有若干散热孔。本实用新型通过第一导流区、第二导流区和第三导流区的材料设计及第一保温层和第二保温层的不同厚度设计,使该导流装置在内导流筒处形成纵向梯度,散热片和散热孔可以进一步增加内筒处温度的纵向梯度,解决传统的导流装置温度梯度较小,拉速效率低的问题。
  • 单晶炉-201920807266.5
  • 马腾飞;汪奇;王楠;马新成;邹昌盛;段永兵;王军;陈龑;豆欣研 - 新疆晶科能源有限公司
  • 2019-05-31 - 2020-02-07 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了一种单晶炉,涉及单晶硅设备技术领域,主要目的是提供一种能够防止排气管阻塞的单晶炉。本实用新型的主要技术方案为:一种单晶炉,包括:炉体;排气部,排气部包括进气部件、排气管和活塞部件,排气管的一端连接于炉体,用于排出炉体内的杂质,活塞部件设置在排气管内,并且滑动连接于排气管,用于刮去排气管的内壁上的杂质,进气部件连接于排气管,用于吹扫排气管。本实用新型主要用于单晶炉排气。
  • 一种应用于单晶炉的冷却装置及单晶炉-201810804122.4
  • 邓先亮 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2018-07-20 - 2020-01-31 - C30B15/00
  • 本发明提供一种应用于单晶炉的冷却装置及单晶炉,用于拉制高质量单晶硅棒,其特征在于,所述冷却装置包括:水冷套,所述水冷套包括设置在所述水冷套中的环形冷却水循环管路;导热附件,固定连接在所述水冷套的底端并向下延伸部分长度,用于吸收单晶硅棒的热量并传导至所述水冷套进行冷却,其中,所述导热附件的中心设置有空腔,以允许所述单晶硅棒通过,合理控制液面上部温度分布调节单晶硅棒的冷却速率以控制单晶硅棒内部缺陷。
  • 一种拉晶炉-201810806334.6
  • 邓先亮 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2018-07-20 - 2020-01-31 - C30B15/00
  • 本发明提供一种拉晶炉,用于生产无缺陷硅单晶棒,包括:内部设置有腔体的炉体;坩埚,设置于所述腔体内;侧部加热器,设置于所述坩埚的外侧;保温层,设置在所述炉体的内壁上;底部加热器,设置于所述坩埚底部与所述炉体底部的所述保温层之间;其中,所述底部加热器包括若干个同心的环形加热部以及设置在所述环形加热部中的电极接口部,其中所述若干个同心的环形加热部之间通过所述电极接口部电连接。本发明的方案改善了长晶过程中温度分布的均匀性。
  • 一种锗单晶炉泄露引流装置-201920657199.3
  • 吕远芳 - 保定三晶电子材料有限公司
  • 2019-05-07 - 2020-01-31 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了一种锗单晶炉泄露引流装置,包括锗单晶炉组件和引流组件,硅蒸汽在弧形的晶炉顶盖上凝集后形成硅液顺着晶炉内壁向下流淌,在重力的影响下从引流通道流入集合箱,减少落入炉底板的硅液量,集合箱之间通过引流通道连通,容量大,引流组件的顶部与晶炉本体的顶部平齐,可以更早的避免因漏硅而造成的热场损失,减少硅料损耗,高温的硅液流动到蜂窝线网槽时将蜂窝线网槽的表面基线熔断,使得感应单刀双掷开关失去基线路端的电流感应,从而由原先的基线路端自动转换到警报组件的线路端上,感应单刀双掷开关与电源连通,感应单刀双掷开关与警报组件相接后启动警报组件,蜂鸣器响起配合警报灯闪烁,提醒工作人员及时维修。
  • 一种单晶炉-201911178653.8
  • 陈琳;张明文;潘永志;龙洪波;陈坚 - 湖南大合新材料有限公司
  • 2019-11-27 - 2020-01-17 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种单晶炉,通过设置若干冷却管、进水管、出水管和闸阀,用以对单晶炉的炉腔进行冷却,通过设置温度检测件、调节件和阀板,当温度检测件检测到炉腔内温度升高时,推动调节件,通过调节件对阀板进行推动,从而增大闸阀的开度,从而当炉腔内温度较高时,闸阀的开度增大,使冷却液在冷却管中的流量增大,更迅速地对炉腔进行冷却,而当炉腔内温度较低时,闸阀的开度减小,使冷却液在冷却管中的流量减小,从而节约能源,且通过多个冷却管的配合调节,使炉腔内温度均匀,起到自动调节炉腔温度的效果。
  • 一种单晶炉连续拉晶多次加料机构-201610991889.3
  • 洪亚丽;姜树炎 - 宝鸡市宏佳有色金属加工有限公司
  • 2016-11-11 - 2020-01-14 - C30B15/00
  • 本发明提供了一种单晶炉连续拉晶多次加料机构,其包括平移设备、装料设备与提升设备;装料设备设置于平移设备;提升设备固定设置于装料设备;装料设备设置装料内筒,提升设备设置提升机构,提升机构与装料内筒连接;装料设备设置装料口,装料口与装料内筒连通;装料设备下方设置输出结构,输出结构与装料内筒连通。本发明实现了单晶体生长过程中的二次加料过程,确保在安全可靠的条件下的二次加料,还利用提升设备,尽可能地减少在二次加料过程中对原料的污染,可以在前面一炉晶体生产完毕后,不降温停炉的情况下,进行第二炉多晶硅原料装料过程,从而有效地降低晶体生长过程中的电能的消耗,节约成本,提升效率。
  • 一种Nd:YLF晶体的生长方法-201911034833.9
  • 万文;万黎明 - 安徽环巢光电科技有限公司
  • 2019-10-29 - 2020-01-10 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种Nd:YLF晶体的生长方法,步骤包括:将氟化钇、氟化锂、氟化钕混合研磨;安装坩埚装料;对流均化、下摇籽晶、提拉、下种提拉;放肩;收尾。本发明的有益效果在于,氟化钇锂原料可重复使用,节约生产成本40%以上。生长出大直径,长等径、高质量的Nd:YLF晶体材料,比原有晶体产量提高100%以上。
  • 晶体生长悬浮提拉炉-201911036220.9
  • 邾根祥;朱沫浥;王伟;安唐林 - 合肥科晶材料技术有限公司
  • 2019-10-29 - 2019-12-31 - C30B15/00
  • 本发明提供一种单晶生长悬浮提拉炉,包括水冷铜坩埚、不锈钢腔室、感应射频电源、整体电路控制装置、水冷机、抽真空组件、提拉机构和坩埚升降机构;水冷铜坩埚设在不锈钢腔室内部并与其滑动连接,不锈钢腔室底部设有坩埚升降机构,坩埚升降机构锈钢腔室密封连接,坩埚升降机构上端与水冷铜坩埚连接,不锈钢腔室外侧与抽真空组件连接,抽真空组件安装在支架上,本发明相对于以往的晶体生长炉结构小,各方面功能可以精确控制,适合用研究所和各大院校针对金属晶体的研究,各个控制部分采用模块化,可自由进行选择,为金属单晶生长的研究提供了更大的可能性。
  • 一种单晶炉炉筒清理装置-201920151814.3
  • 傅林坚;曹建伟;胡建荣;高宇;倪军夫;叶钢飞;春伟博;姜耀天;叶雷江 - 浙江晶盛机电股份有限公司
  • 2019-01-29 - 2019-12-24 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及一种清理装置,具体涉及一种单晶炉炉筒清理装置。包括安装壳体,安装壳体侧部设有两个开口;喷气机构设于安装壳体内,包括空气泵;空气泵与进气管一端相连,另一端与其中一开口相连,空气泵出气口通过歧管与喷气管相连;吸尘机构设于安装壳体内,包括抽气泵;抽气泵与控制电路板进行电连接;过滤器一侧通过导流管连接吸尘管,另一侧设有开口并通过连接管与抽气泵进气口相连,抽气泵出气口通过排气管与安装壳体侧部的另一开口相连;清理装置设于安装壳体上方,包括固定盘;固定盘上端面连接有压盘;压盘上端面上设有环形刷子。本实用新型能够有效清理单晶炉炉筒内的灰尘,且能将灰尘收集,以此完成对副炉室炉筒的清理。
  • 一种晶体生长装置-201910859971.4
  • 沈伟民;王刚 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-09-11 - 2019-12-20 - C30B15/00
  • 本发明提供一种晶体生长装置,包括:坩埚,配置为盛装用于晶体生长的熔体;加热器,设置于所述坩埚周围,配置为加热所述坩埚;加热器导流罩,配置为将所述加热器的顶部和侧面包围;导气孔,所述导气孔设置于所述加热器的上方的所述加热器导流罩上,以连通晶体生长装置的顶部空间与所述加热器的周围空间。根据本发明提供的晶体生长装置,通过在加热器的上方的加热器导流罩上设置导气孔以连通晶体生长装置的顶部空间与加热器的周围空间,使加热器一直处于流动的保护气体的气氛中,避免了SiO蒸气对加热器表面的侵蚀,延长了加热器的使用寿命,提高了晶体生长品质的稳定性。
  • 一种晶体生长装置-201910860777.8
  • 沈伟民;王刚 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-09-11 - 2019-12-20 - C30B15/00
  • 本发明提供一种晶体生长装置,包括:坩埚,配置为盛装用于晶体生长的熔体;加热器,设置于所述坩埚周围,配置为加热所述坩埚;导流套筒,所述导流套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间;辅助结构,所述导流套筒与所述辅助结构连接,以将所述加热器的顶部和侧面包围。根据本发明提供的晶体生长装置,通过在加热器与坩埚之间设置导流套筒,且导流套筒与辅助结构可以连接组合以将所述加热器的顶部和侧面包围,避免了SiO蒸气对加热器表面的侵蚀,延长了加热器的使用寿命,提高了晶体生长品质的稳定性。
  • 热场测量机构及校正方法-201910913689.X
  • 沈伟民;王刚;郭鸿震;赵旭良 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-09-25 - 2019-12-20 - C30B15/00
  • 本发明提供一种热场测量机构及校正方法。在晶体生长装置中的坩埚轴上设置测量平台,距离传感器通过测量工装设置在测量平台上,在实际晶体生长状态的情况下,以坩埚轴为基准,测量热场各部件不同方位的径向距离,并根据测量结果对热场进行调整,增强热场的对中性,以保证晶体生长的热区对称且稳定,使得晶体生长的扭曲变形发生的概率降低,提高晶体表面的光滑平整性,进而提高晶体的良率。
  • 一种热屏校正装置及单晶炉-201920233366.1
  • 孙杨杨;刘平虎;段丽超;高孝文;魏国锋;李宗飞 - 丽江隆基硅材料有限公司
  • 2019-02-25 - 2019-12-20 - C30B15/00
  • 本实用新型提供了一种热屏校正装置,包括悬挂件和定位组件,悬挂件至少为两个,且均匀吊装热屏;定位组件的数量大于等于悬挂件的数量,且每一个定位组件上均具有至少一个定位槽,悬挂件的一端吊装热屏、另一端吊挂在定位槽内。本实用新型还提供一种应用了热屏校正装置的单晶炉。本实用新型由于将吊装热屏的悬挂件的一端吊挂在定位组件上的定位槽内,定位槽能够限定悬挂件,使其不产生位移,进而使得吊装在悬挂件上的热屏在热场组装完成后不产生偏移,能够有效避免热场漏热、气流不稳等问题,有助于提升拉晶品质及效率。
  • 一种单晶炉-201920331557.1
  • 魏国锋;孙杨杨;段丽超;高孝文;刘平虎;白喜军;吴廷廷;李宗飞 - 丽江隆基硅材料有限公司
  • 2019-03-15 - 2019-12-20 - C30B15/00
  • 本申请公开了一种单晶炉,包括炉体和导流筒,所述炉体包括相连接的主室外壳和副室外壳,所述导流筒位于所述主室外壳内、且具有位于中心的拉晶通道,所述副室外壳上设有与炉体内腔连通的第一进气口,所述炉体还设有第二进气口,所述单晶炉还包括供气管路,所述供气管路通过所述第二进气口通入所述导流筒的拉晶通道内。由第一进气口向导流筒内通入一定的气流量,第二进气口给适量的气流量与第一进气口配合稳定炉内压力,改变现有气流方式,减少了气旋的产生,减少炉内杂质带入硅液表面,降低熔融硅液内的碳含量,从而减少晶体出现断棱、变形和扭曲,改善产品品质,从而提高效率,降低生产成本。
  • 一种单晶炉副室清洁器-201920171793.1
  • 潘燕萍;朱海军 - 常州市乐萌压力容器有限公司
  • 2019-01-31 - 2019-12-13 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及硅单晶制备技术领域,尤其是涉及一种单晶炉副室清洁器。该种单晶炉副室清洁器,包括清洁刷和手持杆,所述手持杆的一端连接对称分布的连接杆,所述手持杆装有可移动的连接套,所述连接套上设置对称的短杆,所述短杆连接在有推杆的一端上;支撑杆与所述推杆的另一端连接,所述支撑杆的两端分别与连接杆和清洁刷固定。该种单晶炉副室清洁器在清理副室时,与副室内壁接触面积增大且直径可调整,清理效果好,可以适用不同型号的单晶炉副室。该清理器的结构紧凑、简单、适用性强,有效地克服了原有清理工具工作效率低、适用性差等缺点。
  • 一种单晶炉隔离阀自动挂接分离装置-201910960902.2
  • 时刚;武海军;刘统青 - 西安创联新能源设备有限公司
  • 2019-10-11 - 2019-12-10 - C30B15/00
  • 本发明提供一种单晶炉隔离阀自动挂接分离装置。本发明单晶炉隔离阀自动挂接分离装置,包括:环形卡板、气缸、气缸连板、第一拨销、拨板、第二拨销及副室定位销;所述环形卡板用于安装于副室下法兰端面;所述气缸用于安装于副室上,所述气缸与所述气缸连板连接,所述气缸连板与所述第一拨销连接,所述拨板设置于环形卡板上,两个第二拨销设置于所述拨板上,所述第一拨销设置于所述两个第二拨销之间;所述副室定位销用于安装于隔离阀上法兰上。本发明克服了现有技术中采用手动操作,耗时长,操作繁琐的问题。
  • 应用于单晶炉的副炉室-201920012674.1
  • 傅林坚;韦韬;曹建伟;胡建荣;倪军夫;陈杭;章聪杰 - 浙江晶鸿精密机械制造有限公司
  • 2019-01-04 - 2019-12-10 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及单晶炉的辅助设备领域,特别涉及一种应用于单晶炉的副炉室。包括副炉室本体;副炉室本体为包括内筒与外筒的双层筒体结构;法兰连接结构包括副炉室下法兰、副炉室上法兰与副炉室侧法兰;副炉室上法兰与副炉室下法兰分别设于副炉室本体的顶端与底端,并保证轴线重合;外筒外壁顶部设有侧法兰连接管,侧法兰连接管管口连接副炉室侧法兰;排水组件包括设于外筒外壁且与副炉室本体轴线平行的导水条,导水条底端连接副炉室水嘴;本实用新型具有良好的密封效果,且在两端法兰处连接密封效果也是同样优秀,提高了副炉室的密封性能;此外,因其内部的隔水条使冷却水进入圆盘焊接组件后能较长时间的滞留在副炉室内,提高了冷却效率。
  • 一种晶体生长装置-201910860787.1
  • 沈伟民;王刚 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-09-11 - 2019-12-03 - C30B15/00
  • 本发明提供一种晶体生长装置,包括:坩埚,配置为盛装用于晶体生长的熔体;加热器,设置于所述坩埚周围,配置为加热所述坩埚;均热套筒,所述均热套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间,所述均热套筒的侧壁包括厚壁区域和薄壁区域,其中,所述薄壁区域与高温区域对应设置,所述厚壁区域与低温区域对应设置。根据本发明提供的晶体生长装置,通过在加热器与坩埚之间设置于,所述均热套筒的侧壁包括厚壁区域和薄壁区域,利用壁厚的不同调节加热器对石墨坩埚辐射能量,平衡温度的影响,使坩埚在旋转中从晶体生长装置辐射的热量尽可能相同。
  • 一种单晶硅生长装置及单晶硅生长方法-201910875432.X
  • 王志辉 - 大同新成新材料股份有限公司
  • 2019-09-17 - 2019-12-03 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种单晶硅生长装置,包括炉体,所述炉体内的相对侧壁上均固定有上固定块和下固定块,所述炉体内的底部固定有炉底护盘,所述炉底护盘的上端固定有石墨碳毡,且石墨碳毡位于下固定块的下端,所述上固定块的下端固定有上保温罩,所述下固定块的上端固定有下保温罩,所述上保温罩和下保温罩之间共同固定有中保温罩;本发明还提出了一种单晶硅生长方法。本发明通过L型夹持板、坩埚托盘和连接块之间的配合,实现了能对不同大小的坩埚进行夹持的功能,提高了坩埚加热时的稳定性,保证了单晶硅的生长速度和质量,节约了时间,适用范围广,同时还简化了单晶硅的生长方法,操作简单,大大减少了晶体的缺陷。
  • 一种安全性能高的单晶硅生长炉-201910936405.9
  • 王翠莲 - 萧县威辰机电工程设备有限公司
  • 2019-09-30 - 2019-12-03 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种安全性能高的单晶硅生长炉。包括生长炉整体,所述生长炉整体包括提拉旋转系统、上炉盖和下炉体,所述提拉旋转系统位于所述上炉盖的上端,所述上炉盖内设置有提拉绳,所述提拉绳的上端与提拉旋转系统的下端相连接,所述提拉绳的下端连接有单晶棒,所述下炉体包括石墨加热器和石英坩埚,所述单晶棒位于所述石英坩埚内,所述石英坩埚的外表面设置有石墨加热器,所述石墨加热器上设置有保温罩,所述下炉体的下端设置有进气口。本发明通过设置的转台和机械手,可以在单晶棒出炉时,自动的安置单晶棒,减少因单晶棒的高温造成的危险;通过设置的提拉结构,能够节省动力,提高工作效率,减少电机的消耗。
  • 一种单晶炉冷却装置-201920005650.3
  • 武皓洋;郝勇;高鹏;赵存凤;郭志荣;李娜 - 内蒙古中环光伏材料有限公司
  • 2019-01-03 - 2019-12-03 - C30B15/00
  • 本实用新型提供一种单晶炉冷却装置,单晶炉内设有热屏,单晶炉冷却装置包括冷却部和制冷部,冷却部设于热屏内侧,制冷部包括换热器和循环制冷装置,冷却部的冷介质出口与换热器的热介质入口连接,换热器的热介质出口与循环制冷装置的入口连接,循环制冷装置的出口与冷却部的冷介质入口连接。该单晶炉冷却装置可对加热硅料余热进行利用,将余热用于单晶硅生产中其他需要耗能升温、供热的设备与环境中,减少热污染,同时可将温度升高的冷却剂初步冷却,减少制冷所需能耗。
  • 一种用于3英寸大片光刻提拉法的烘胶治具-201920205474.8
  • 叶嘉豪;陆旺;李辉 - 成都泰美克晶体技术有限公司
  • 2019-02-18 - 2019-11-26 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了一种用于3英寸大片光刻提拉法的烘胶治具,包括呈矩形状的底板,分别安装于所述底板四角下方的四个支脚,多个沿着所述底板的长度方向间隔设置于所述底板两侧边缘的第一V形定位块和第二V形定位块以及一个沿着所述底板的长度方向固定安装于所述底板中部上方的直角靠板,其中,所述第一V形定位块、第二V形定位块和直角靠板固定有3英寸大片,且所述第一V形定位块、第二V形定位块和所述3英寸大片与所述直角靠板的接触点间形成等腰三角形。本实用新型能够有效防止粘胶现象和降低破片率。
  • 一种单品硅热场坩埚高效安装夹持方法-201910897875.9
  • 郭志宏 - 大同新成新材料股份有限公司
  • 2019-09-23 - 2019-11-22 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种单品硅热场坩埚高效安装夹持方法,包括以下步骤:S1.在干锅炉外壳体内设有固定托盘,将三组石墨坩埚托盘固定在固定托盘上,组成石墨坩埚;S2.将石英坩埚放在石墨坩埚上,通过三组石墨坩埚托盘对石英坩埚进行夹持;S3.干锅炉顶座与干锅炉外壳体通过环形固定螺栓和环形螺栓槽螺接固定;S4.开始对单品硅进行加工生产;该热场坩埚的安装和加持方法,不仅解决了原有坩埚安装调节麻烦,速度慢的问题,同时采用新的加持方式,让坩埚的安装更加便捷,出现故障时,检修更换更加方便,从而达到提高生产效率,降低维修难度,节约时间的目的。
  • 一种直拉硅单晶炉平底导流筒-201910941999.2
  • 武志军;高润飞;张文霞;郭谦;霍志强;韩凯;王胜利;张石晶;郭志荣;钟旭 - 内蒙古中环光伏材料有限公司
  • 2019-09-30 - 2019-11-22 - C30B15/00
  • 本发明提供一种直拉硅单晶炉平底导流筒,包括导流筒侧壁部、导流筒过渡部和导流筒平底部,导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部依次连接,其中,导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部均为环状结构,导流筒平底部的直径小于导流筒侧壁部的直径,且导流筒平底部与导流筒侧壁部同轴线设置,以便减小硅溶液液面与导流筒之间的间隙。本发明的有益效果是具有导流筒平底部,导流筒与液面缝隙降少,气体流速加快,可快速带走挥发出的氧,可有效降低大尺寸单晶氧含量,提升大尺寸单晶品质。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top