[发明专利]电子设备外盖增强纳米膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910856367.6 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110747447A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 宗坚 | 申请（专利权）人： | 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/517;H05K5/03 |
| 代理公司： | 33244 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 罗京;王丽芳 |
| 地址： | 214183 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一电子设备外盖增强纳米膜及其制备方法和应用，其中所述增强纳米膜包括C、H和至少一掺杂元素，其以碳氢气体C | ||
| 搜索关键词： | 掺杂气体 掺杂元素 电子设备 纳米膜 制备方法和应用 电子设备表面 表面沉积 反应气体 纳米增强 碳氢气体 外盖 应用 | ||
【主权项】：
1.一增强纳米膜，其特征在于，包括：C、H和一掺杂元素，其以碳氢气体C
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
