[发明专利]一种栅约束硅控整流器ESD器件及其实现方法

摘要

本发明公开了一种栅约束硅控整流器ESD器件及其实现方法，通过将现有栅约束硅控整流器ESD器件的肖特基结去掉，于高浓度N型掺杂(24)与第二浮栅(50)之间插入低浓度P型轻掺杂(22)，并于所述低浓度P型轻掺杂(22)上表面形成金属硅化物，与所述高浓度N型掺杂(24)一并连接至所述栅约束硅控整流器ESD器件的阴极，本发明可在提升维持电压的同时，简化制造工艺，降低因引入肖特基结的界面缺陷，并降低其接触电阻。

主权项

1.一种栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于，所述ESD器件包括：/n半导体衬底(80)；/n生成于所述半导体衬底(80)中的N阱(60)和P阱(70)；/n高浓度N型掺杂(28)、高浓度P型掺杂(20)置于所述N阱(60)上部，低浓度P型轻掺杂(22)、高浓度N型掺杂(24)置于所述P阱(70)上部，所述低浓度P型轻掺杂(22)与所述高浓度N型掺杂(24)之间由所述P阱(70)隔离，所述低浓度P型轻掺杂(22)左侧上方及其左侧宽度为B的P阱(70)上方与所述高浓度P型掺杂(20)的右侧宽度为A的所述N阱(60)的上方放置第二浮栅(50)；/n在所述高浓度N型掺杂(28)的上方、高浓度P型掺杂(20)的上方、低浓度P型轻掺杂(22)上方部分及所述高浓度N型掺杂(24)的上方分别生成金属硅化物(30)；/n所述高浓度N型掺杂(28)上方的金属硅化物(30)引出电极连接至连接电源，所述高浓度P型掺杂(20)上方的金属硅化物(30)引出电极作为所述栅约束硅控整流器ESD器件的阳极，所述低浓度P型轻掺杂(22)上方与所述高浓度N型掺杂(24)的上方的金属硅化物(30)相连并引出电极组成所述栅约束硅控整流器ESD器件的阴极。/n