[发明专利]用于晶片处理设备的气体分配装置有效
申请号: | 201910716664.0 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN110835750B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | P·雷萨宁;W·约翰逊 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 丁晓峰 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于晶片处理设备的气体分配装置。该气体分配装置构造成在半导体衬底上分配气态前体,包括:顶板,所述顶板至少具有第一气态前体流过的第一顶部孔口;设置在所述顶板下方的第一增压室;第一门控纳米通道栅格;第一电压源,所述第一电压源配置成将电压施加到所述第一门控纳米通道栅格;电气隔离板;底板;以及多个第一底部孔口,其中所述多个第一底部孔口形成于所述电气隔离板和所述底板中,其中施加到所述第一门控纳米通道栅格的所述电压确定所述第一门控纳米通道栅格是否准许所述第一气态前体穿过所述多个第一底部孔口。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶片 处理 设备 气体 分配 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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