[发明专利]湿式工作台及使用湿式工作台的化学处理方法有效
| 申请号： | 201910687135.2 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110783230B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 郑欣承 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示涉及湿式工作台及使用湿式工作台的化学处理方法。一种湿式工作台包括外槽及内槽。外槽具有界定第一包含空间的第一底板以及多个第一侧壁。第一底板的第一部分高于第一底板的第二部分。内槽具有在第一包含空间中的一部分并且延伸穿过外槽的第一底板。内槽具有界定第二包含空间的第二底板以及多个第二侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 工作台 使用 化学 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿式工作台，其特征在于，包含：/n一外槽，具有界定一第一包含空间的一第一底板及多个第一侧壁，其中该第一底板的一第一部分高于该第一底板的一第二部分；以及/n一内槽，在该第一包含空间中具有一部分，该内槽延伸穿过该外槽的该第一底板并且具有界定一第二包含空间的一第二底板及多个第二侧壁。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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