[发明专利]一种毫米尺度一维单晶金线的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910640613.4 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN110257897B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 李朝旭;吴晓晨;吕莉莉 申请(专利权)人: 中国科学院青岛生物能源与过程研究所
主分类号: C30B7/14 分类号: C30B7/14;C30B29/02;C30B29/60
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 李颖
地址: 266101 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于微纳材料制备领域,具体的说是一种毫米尺度一维单晶金线的制备方法。在搅拌条件下,向四氯金酸与含酚羟基的有机分子的水相混合液中加入卤族盐类的固体,溶解并混合均匀后静置反应,即得毫米尺度的一维单晶金线。本发明的实验原料广泛易得,对实验设备要求低,绿色环保,操作简单,得到的单晶金线具有毫米级长度、纳米级直径、高长径比和良好的导电性。
搜索关键词: 一种 毫米 尺度 一维单晶金线 制备 方法
【主权项】:
1.一种毫米尺度一维单晶金线的制备方法,其特征在于:在搅拌条件下,向四氯金酸的水溶液与含有酚羟基的物质的水溶液的混合液中加入卤族盐类的固体,溶解并混合均匀,静置反应,即得毫米尺度一维长度为0.1‑3毫米,直径为50‑1000纳米单晶金线;其中,所述四氯金酸固体于混合液中的终浓度为0.1‑100mM;含有酚羟基的物质与四氯金酸的质量比为0.1‑30;卤族盐类的固体于混合液中终浓度为0.01‑6M。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院青岛生物能源与过程研究所,未经中国科学院青岛生物能源与过程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910640613.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种硫酸钙晶须的制备方法-202310896962.9
  • 王志刚;刘伟;王烟霞;赵江山;于希豪 - 德州学院
  • 2023-07-21 - 2023-09-26 - C30B7/14
  • 本发明属于无机材料制备技术领域,涉及一种硫酸钙晶须的制备方法。本发明以固废二水合硫酸钙作为原料,采用常压酸化法,制备硫酸钙晶须。将固废二水合硫酸钙加入到醋酸、丙酸或丁酸中,加入一定量的硫酸,在一定转速搅拌下,控温115~125℃,加热时间为1.5~3.5h。反应结束后,再经开水洗涤抽滤后,在80~110℃干燥1~4h即可得到硫酸钙晶须。本发明直接利用了含钙的原料,常压条件下操作,工艺简单,合理利用了固废,减少了资源浪费,在有机酸中生产出的产品长径比大,为35~100,品质高,而且有机酸可以反复回收利用。
  • 一种CuBr纳米线及其制备方法-202210017333.X
  • 刘欣美;周雪;杨文龙;李宇航;刘刚;李雪;程惠娟 - 哈尔滨理工大学
  • 2022-01-07 - 2023-09-22 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种CuBr纳米线及其制备方法,制备方法主要包括:将CuCl2溶液与Na2PdCl4溶液按比例混合;按照一定剂量比加入KBr粉末并进行预加热;再按比例加入抗坏血酸溶液,在预设温度下快速搅拌反应5‑6小时;得到的产物经固液分离即为CuBr纳米线成品。制备过程中通过引入Pd离子可有效辅助CuBr纳米晶种生长为纳米线形貌。相比于同类制备方法,本发明所提供的方法对设备要求低、易于产业化生产。此外,各向异性的纳米线形貌将有益于CuBr材料性能的拓展与提升。
  • 一种废铅膏湿法短流程制备氯化铅晶体的方法-202310804895.3
  • 杨家宽;仝宇昕;胡广;李朝阳;梁莎;邹庆芳;周世发;黄亮;段华波;袁书珊;胡敬平 - 华中科技大学
  • 2023-06-30 - 2023-09-19 - C30B7/14
  • 本发明属于废铅酸蓄电池资源化及氯化铅晶体制备技术领域,公开了一种废铅膏湿法短流程制备氯化铅晶体的方法,具体包括以下步骤:S1:将废铅膏置于碳酸盐溶液中搅拌反应,得到脱硫铅膏;S2:以HCl‑NaCl混合溶液为浸出剂,对脱硫铅膏进行浸出反应,得到浸出液;S3:重结晶即可得到氯化铅晶体。本发明通过对制备方法的整体流程工艺设计进行改进,先利用碳酸盐溶液对废铅膏进行脱硫处理,再利用HCl‑NaCl混合溶液为浸出剂与脱硫铅膏进行浸出反应,最后重结晶即可得到高纯度的氯化铅晶体,有效解决了现有工艺步骤冗长、试剂投入量大且氯化铅转化率不高的技术问题。
  • 一种利用钢渣制备硫酸钙晶须的方法-202310690157.0
  • 姜文杰;席海红;龙泽彬;盛文韬;何永;但勇;赵林 - 四川顺应动力电池材料有限公司
  • 2023-06-12 - 2023-09-05 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种利用钢渣制备硫酸钙晶须的方法,包括以下步骤:S1、钢渣破碎后用酸进行浸出,固液分离后得含钙的酸浸出液及低磷铁渣;S2、酸浸出液调节pH进行沉淀除铁,然后固液分离得粗制磷酸铁及滤液;S3、滤液和硫酸盐溶液混合后经沉淀、陈化后固液分离,所得滤料烘干后即为硫酸钙晶须。本发明预先对钢渣进行酸浸除杂,除杂后的低磷钢渣可进行回收使用,同时将浸出液中钙、铁、磷转化为高附加值的硫酸钙晶须及磷酸铁产品,实现钢渣的综合回收利用,具有较强的经济社会效益。
  • 激光诱导钙钛矿成核结晶-202110291634.7
  • 王学文;陈襄玉;柴年垚;程一兵 - 武汉理工大学
  • 2021-03-18 - 2023-08-15 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种激光诱导钙钛矿成核结晶,以利用飞秒激光驱动溶液中不同前驱体离子的热泳迁移以及马伦格尼对流等物质输运方法,通过利用飞秒激光脉冲局部强场的特点控制溶剂挥发的速率,实现对钙钛矿成核结晶的调控。通过飞秒局域强场可以定点定域诱导材料成核结晶,并且可以提高钙钛矿薄膜结晶性能;激光脉冲的波长和强度均可以自行选择,因此不会对系统造成光化学损伤;激光的辐射可以应用于距离较远的封闭系统,可以防止部分极性较强的溶剂在挥发过程中对加工系统腐蚀。
  • 一种钙化合物的转化方法-202310712288.4
  • 陶进峰 - 陶进峰
  • 2023-06-15 - 2023-08-11 - C30B7/14
  • 本发明提供一种钙化合物的转化方法,该方法中在溶液中卤化钙/硝酸钙与硫酸盐反应转化生成硫酸钙晶须、金属卤化物/金属硝酸盐,优选该方法中在溶液中卤化钙与硫酸盐反应转化生成硫酸钙晶须、金属卤化物,该方法产生的含盐溶液后续易于处理。
  • 一种大面积超薄有机小分子单晶薄膜及其制备方法-202310578578.4
  • 魏彦杰;董美秋;张钰 - 季华实验室
  • 2023-05-22 - 2023-08-04 - C30B7/14
  • 本发明公开一种大面积超薄有机小分子单晶薄膜及其制备方法,包括以下步骤:在玻璃容器中倒入甘油,超声去除气泡;有机小分子溶于有机溶剂并滴加表面活性剂制备成有机前驱液,滴加至甘油上铺展成有机液膜;玻璃容器置于氮气或真空氛围中,在15‑40℃环境中静置10‑24小时,有机液膜结晶形成大面积超薄有机小分子单晶薄膜;将基底覆盖在大面积超薄有机小分子单晶薄膜上并从甘油表面快速取出;在真空条件下进行退火处理。本发明通过溶液法制备大面积超薄有机小分子单晶薄膜,工艺简单,成本低,采用本发明提供的制备方法得到的大面积超薄有机小分子单晶薄膜厚度薄,具有理想的表面平整度以及晶格结构,特别适用于光电、催化、传感等领域。
  • 一种二维超薄有机单晶薄膜及其制备方法-202310578579.9
  • 董美秋;张钰;魏彦杰 - 季华实验室
  • 2023-05-22 - 2023-08-04 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种二维超薄有机单晶薄膜及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:超纯水和甘油按比例混合后倒入结晶皿中形成水油混合液,对水油混合液作超声处理;将有机小分子溶于有机溶剂中制备有机前驱液,并滴加至水油混合液上表面,铺展成有机液膜;将结晶皿在20‑30℃环境中静置3‑10小时,有机液膜结晶形成二维超薄有机单晶薄膜;将修饰有十八烷基三氯硅烷的基底覆盖在二维超薄有机单晶薄膜上,并从水油混合液表面取出,用超纯水冲洗干净,在基底上得到二维超薄有机单晶薄膜。所得到的二维超薄有机单晶薄膜厚度薄,具有理想的表面平整度以及结晶度,可广泛应用于光电器件、传感器、柔性电子等领域。
  • 一种氮化镓单晶的生长装置-202223517223.4
  • 张雷;王国栋 - 中芯研(江苏)半导体有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-07-28 - C30B7/14
  • 本实用公开了一种氮化镓单晶的生长装置,包括:处理单元以及设置在处理单元表面的调整单元,所述处理单元侧面还活动连接有箱门;所述处理单元,包括箱体以及开设箱体内部的放置腔和处理腔,所述处理腔内部还设置有移动板和进料槽,所述处理腔内部还设置有拨动杆,所述拨动杆表面还固定有清理板,所述移动板表面还开设有穿透孔。其有益效果是,该氮化镓单晶的生长装置,通过拨动杆和清理板,能够方便工作人员对处理腔中的氮化镓原料进行搅拌,从而避免溶液中的氮原子的分散不均匀,并且通过调整单元和移动板,能够调整上下两处反应空间的大小,方便工作人员使用。
  • 一种生长面积和厚度可控的超薄钙钛矿单晶薄膜的方法-202210749026.0
  • 丁建旭;陈飞曈;李长谦;赵其其;黄琪 - 山东科技大学
  • 2022-06-29 - 2023-07-25 - C30B7/14
  • 本发明提供了一种生长面积和厚度可控的超薄钙钛矿单晶薄膜的方法,该方法采用点加热诱导形核而后点加热逐步扩大的加热方式来控制晶片生长面积,以达到钙钛矿单晶薄膜面积可控的效果。其次,该方法采用基板间施力的方式来控制基板间距,以达到钙钛矿单晶薄膜厚度可控的效果。此外,该方法还适用于多种钙钛矿材料,包括有机‑无机杂化、纯无机以及多元阳离子钙钛矿。使用该方法可以生长出厚度、面积等规格较为统一的钙钛矿单晶薄膜,有利于未来钙钛矿单晶薄膜光电器件的统一化生产。
  • 一种全自动磷石膏制备半水硫酸钙晶须装置-202223565855.8
  • 黄绪泉 - 黄绪泉
  • 2022-12-30 - 2023-07-18 - C30B7/14
  • 本实用新型公开了一种全自动磷石膏制备半水硫酸钙晶须装置,包括溶解室、反应室和成型室;通过在溶解室加入原料磷石膏,注入水后加热搅拌得到溶解液,将溶解液滤去除部分不溶解性杂质和氟离子后抽入反应室;通过在反应室内加入转晶剂,并注入酸调节剂和碱调节剂以调节溶解液反应的pH环境,加热至95℃恒定反应240min,进行搅拌加速反应;反应完成后将反应产物抽取至成型室内,对其在在真空环境实现热过滤,从而得到半水硫酸钙晶须。本实用新型的制备半水硫酸钙晶须装置,可自动进行添加相应原料及反应调节剂,使反应过程中无需作业人员参与调配和控制反应过程,实现全自动磷石膏制备硫酸钙晶须,降低了因人为因素导致的产率下降等问题。
  • 高长径比硫酸钙晶须及其制备方法-202310307854.3
  • 尹应武;罗兴彬;陈学云;尹政清;廖翠莺;张海双 - 厦门大学;北京紫光英力化工技术有限公司
  • 2023-03-27 - 2023-07-11 - C30B7/14
  • 绿色高性价比新材料是人类可持续发展的重点方向,具有较高长径比的硫酸钙晶须被誉为“21世纪补强材料”,它具有表面及内部结构完整、高强度、高模量、高伸长率,抗张强度为玻璃纤维的5‑10倍的性能特点。我们发现氨可作为合成高长径比硫酸钙晶须的晶型诱导剂。实现了水体系中常压、温和条件下多种原料简便合成硫酸钙晶须的工艺创新。具体步骤如下:将水泥熟料与水混合形成的悬浮液或水溶性钙盐水溶液,在一定温度下加入氨水搅拌,然后逐步滴加硫酸溶液直至反应结束,加料完成搅拌半小时结束反应,过滤洗涤烘干得到硫酸钙晶须产品,其长径比为50‑100。本发明方法简单适用、工艺条件可较大范围变动,具有原料丰富、生产成本低、产品性能好等优点,适合规模化生产。
  • 一种甲胺溴铅晶体的生长装置-202310250564.X
  • 郑国宗;胡子钰;张敏;李鹏飞;孙元龙 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2023-03-15 - 2023-07-11 - C30B7/14
  • 本申请公开了一种甲胺溴铅晶体的生长装置,属于晶体生长技术领域。一种甲胺溴铅晶体的生长装置,包括生长装置、保温装置、循环过滤装置、控制装置;所述生长装置包括生长槽以及置于所述生长槽内部的载晶架;所述载晶架上端与电机相连;所述保温装置包括外槽、保温层以及设于所述外槽底部的升降台;所述循环过滤装置包括相邻设置的降温槽和过滤槽;所述生长装置设于所述保温装置中。该装置可以精确控制生长槽生长溶液温度波动范围,实时监控晶体生长状态反馈到计算机并及时调整、优化晶体生长参数,晶体生长溶液通过管道进行24h不间断的循环过滤,保证了生长溶液的洁净度,克服了生长槽杂晶问题,能生长出大尺寸高质量的晶体。
  • 一种连续结晶法制备三水碳酸镁晶须的方法及系统-202310328069.6
  • 张世春;张志宏;付振海;李志伟;焦爱军 - 中国科学院青海盐湖研究所
  • 2023-03-29 - 2023-06-27 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种连续结晶法制备三水碳酸镁晶须的方法及系统。所述方法包括:将第一母液置于结晶装置中,并于搅拌的条件下加入活性剂,得到第一混合物;将沉锂母液与活性剂混合,得到第二混合物;将所述第二混合物、六水氯化镁加入所述第一混合物中,并控制结晶装置中的体系pH值为8.05~8.25,获得三水碳酸镁料浆;对所述三水碳酸镁料浆进行过滤、浆洗、分离、淋洗、干燥处理,制得三水碳酸镁晶须。本发明以沉锂母液和六水氯化镁为原料,在特定条件下反应制得到三水碳酸镁晶须,进而实现盐湖资源的最大化利用,填补了以盐湖地区丰富的六水氯化镁为原料制备针状三水碳酸镁晶须的技术空白。
  • 一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法-202310081355.7
  • 郑国宗;胡子钰;张敏;李鹏飞;孙元龙 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2023-02-03 - 2023-06-06 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法,属于晶体生长技术领域,该载晶架包括第一挡板、第二挡板以及连接第一挡板和第二挡板的支撑板,其中,所述第一挡板和/或第二挡板上连接有用以连接驱动源的连接杆,所述连接杆使得驱动源带动所述载晶架作滚筒式旋转运动。本发明所提供的载晶架和甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法,采用横向滚筒式旋转方式,可以使溶液下层得到充分的搅拌,保证整个溶质的均匀性,可有效解决晶体生长过程中白纹等缺陷产生的问题。
  • 一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法-202111063259.7
  • 张静全;张建宇;李岸峰;王文武;武莉莉;赵德威 - 四川大学
  • 2021-09-10 - 2023-05-26 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法,包括将两种前驱体溶液混合,加热搅拌直至混合溶液中有固体物质产生;将籽晶杆插入装有混合溶液的容器中,在一定温度下加热直至有小晶粒在籽晶杆上生成,取出籽晶杆,选取合适的小晶粒作为籽晶,粘接在籽晶杆底面中心位置;将粘接了籽晶的籽晶杆插入装有混合溶液的容器中,在一定温度下对容器进行加热直至单晶生长到所需尺寸。本发明利用两种前驱体及产物在溶剂中的溶解度差异,通过固定溶液上下部的温度及浓度梯度,使得溶质持续从溶液下部向溶液上部输运,实现高质量单晶的连续生长;同时利用溶质在特定溶剂中溶解度较低的特性,有效降低了单晶生长过程的原料损耗,提高了单晶产率。
  • 一种制备高质量铯铋碘单晶的方法-202211310828.8
  • 张静全;李岸峰;杨曼曼;郝霞;郭强;武莉莉 - 四川大学
  • 2022-10-25 - 2023-05-26 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种制备高质量铯铋碘单晶的方法,涉及光电材料领域。本发明包括以下步骤:确定模拟软件中适用的物理场,进行实际单晶炉的数字模型构建;测定碘化铯、三碘化铋和铯铋碘在氢碘酸中的溶解度曲线和最大过冷度;在模拟软件中设置不同参数组,模拟分析得到温度场和速度场,并进行不同工艺的单晶生长;根据单晶生长结果确定合适温度场;保持合适温度场不变,在模拟软件中设置不同的前驱体比例,模拟分析得到不同离子的浓度梯度并进行不同工艺的单晶生长来确定理论化学计量比的工艺参数。本发明对单晶生长过程中的温度场和浓度梯度进行数值模拟,得到结晶时的流场、物质流的分布图的方法。此方法对工艺的改进提供了可靠的理论支撑。
  • 一种用于烧结烟气半干法脱硫灰制备硫酸钙晶须的装置-202222893878.5
  • 王丽英;赵海军;贾一波;姜楠;吴穷;吕忠志 - 鞍钢金属结构有限公司
  • 2022-11-01 - 2023-05-16 - C30B7/14
  • 本发明涉及一种用于烧结烟气半干法脱硫灰制备硫酸钙晶须的装置,包括壳体、搅拌桨、保温层、脱硫灰浆液进料口、酸液进料口,所述搅拌桨设有双层搅拌桨叶,上层搅拌桨叶为“十”字型,下层搅拌桨叶为“U”型或“凵”型,下层搅拌桨叶的底部中心位置与搅拌桨轴固定连接,下层搅拌桨叶的两个侧翼与搅拌桨轴之间设有拉筋;所述壳体外壁设有加热装置,壳体上端设有脱硫灰浆液进料口和酸液进料口,壳体底部设有出料口。本发明的有益效果是:采用本发明装置制备硫酸钙晶须工艺操作更简单、快捷。采用本装置与其他制备硫酸钙晶须方法相比更节能,进而生产成本较低。
  • 一种新型二维钙钛矿材料(C8-202211598938.9
  • 戴志高;李国岗;关梦玉;邱磊;刘璐;王宇鹏;叶嘉微;谢林鹏;肖颖 - 中国地质大学(武汉)
  • 2022-12-12 - 2023-05-12 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种新型二维钙钛矿材料(C8H12NO2)2PbBr4及其制备方法和应用。制备方法将溴化铅和多巴胺盐酸盐在氢溴酸溶液中反应,形成稳定的(C8H12NO2)2PbBr4晶体母液,缓慢挥发溶剂,生长出(C8H12NO2)2PbBr4晶体,即新型二维钙钛矿材料(C8H12NO2)2PbBr4。本发明选择多巴胺盐酸盐,将钙钛矿维度从三维调整到二维,增强材料稳定性,本发明制备的材料在紫外灯照射下呈现蓝光发光,结构稳定性好,在LED、太阳能电池领域有潜在应用。本发明所需原料成本较低,过程操作简单,有利于实现大规模生产,该制备过程中避免使用有机溶剂,减少了有机废液污染,符合环保要求。
  • 金属氧化物纳米晶体及其制备方法与应用-202211699211.X
  • 彭靖;李德林 - 深圳市首骋新材料科技有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-05-05 - C30B7/14
  • 本申请提供一种金属氧化物纳米晶体的制备方法,包括以下步骤:将至少一种金属卤化物与至少一溶剂混合,在第一温度下反应获得金属复合物;氮气氛围下,将金属复合物在第二温度下反应获得金属氧化物纳米晶体;其中,所述第二温度高于所述第一温度。该制备方法原料易得、成本低廉、反应可控,且所制备的金属氧化物纳米晶体尺寸可控、尺寸分布均匀、分散性良好、无硬聚集体、光学性能优异。本申请还提供上述金属氧化物纳米晶体、一种包括上述金属氧化物纳米晶体的无机功能涂层的制备方法以及所述金属氧化物纳米晶体在半导体领域、光学领域以及虚拟现实领域中的应用。
  • 一种以卤水制盐副产物为原料常温制备二水硫酸钙晶须的方法-202210742028.7
  • 郭方元;陈留平;李直;苏志俊;崔耀星;徐逸敏 - 中盐金坛盐化有限责任公司
  • 2022-06-28 - 2023-05-05 - C30B7/14
  • 本发明提供一种以卤水制盐副产物为原料常温制备二水硫酸钙晶须的方法,本发明是利用硫酸钠型卤水制盐过程中生成的盐泥和高硝水作为原料,将盐泥酸解后的溶液和高硝水常温条件下反应制备二水硫酸钙晶须,并将反应后的滤液返回卤水中用于制盐。本发明通过控制溶液浓度来调控晶核和晶须的生长速率,从而制备均一高长径比二水硫酸钙晶须,无需添加分散剂、表面活性剂和晶型控制剂,在常温下即能进行,快速高效,原料成本低,绿色环保,可用于工业化生产。利用工业副产物盐泥和高硝水为原料,不仅可以得到高附加值的晶须产品,而且也为制盐企业处理大量堆积的盐泥以及高能耗低附加值的高硝水提供了新的方法,实现了资源的综合利用。
  • 石膏及其制备方法、应用-202211356066.5
  • 周兴龙;邹平;陈焰;成军 - 攀枝花末微环保科技有限公司;周兴龙;邹平;陈焰
  • 2022-11-01 - 2023-05-02 - C30B7/14
  • 本发明提供了一种石膏及其制备方法、应用。其中,含硫酸工业废液制备石膏的方法包括以下步骤:除去含硫酸工业废液中的固态杂质;将含硫酸工业废液或除去固态杂质的含硫酸工业废液与钙质原料混合均匀,进行中和与晶型生长转化,得到料浆;从所述料浆中分离出固体,进行若干次洗涤,得到石膏料。所述石膏通过所述的含硫酸工业废液制备石膏的方法制得。所述石膏的应用包括将所述的石膏在建筑材料、涂料、塑料、橡胶、耐磨材料、造纸添加剂和医用原料中的应用。本发明具有能够使含硫酸工业废液中的主要有价元素硫进行有效的分离,并产出高附加值的晶须石膏,实现含硫酸工业废液的高效综合利用、节能减排等优点。
  • 一种具有链状形貌的高长径比碳酸钙晶须制备方法-202111244052.X
  • 田键;古卫乐;胡攀 - 湖北大学
  • 2021-10-25 - 2023-04-28 - C30B7/14
  • 本发明涉及一种具有链状形貌的高长径比碳酸钙晶须制备方法,技术实现包括以下步骤:沉淀溶剂的配制,配制一定浓度CaCl2和Na2CO3溶液各100mL;反应底液的配制,按照体积比1∶1,取一定量去离子水和无水乙醇,加入置于油浴锅内的三颈烧瓶中,磁力搅拌混合均匀;碳酸钙晶须的制备过程,采用双注法,将所配CaCl2和Na2CO3溶液,以一定速率同时滴加到三颈烧瓶中,并控制搅拌速率、反应温度及反应时间;反应结束后,洗涤、抽滤、烘干得到碳酸钙晶须。该方法的特征是:利用去离子水/无水乙醇混合体系制备,无需添加控制剂,无需高温高压,工艺简单,节能减耗。碳酸钙晶须产品含量≥98%,长径比为15~25,形貌为链状,可用于纸张、涂料、橡胶等领域,能有效提升材料力学性能。
  • 一种基于色胺离子的一维杂化钙钛矿单晶和压片、制备方法及在制备X射线成像板中的应用-202310000080.X
  • 魏浩桐;潘挽婷;杨柏 - 吉林大学
  • 2023-01-01 - 2023-04-25 - C30B7/14
  • 一种基于色胺离子的一维杂化钙钛矿单晶和压片、制备方法及在制备X射线成像板中的应用,属于X射线成像技术领域。本发明提供的基于色胺离子的钙钛矿压片材料可以实现一维二维两种维度的可逆转变,由于有机阳离子色胺离子间强的疏水作用力的存在和微应变弛豫放松的无缺陷钙钛矿结构,使得杂化钙钛矿材料具有超强水稳定性,实现了在钙钛矿材料表面直接进行水相加工,并进一步通过紫外光刻蚀微阵列电极制备得到具有微阵列像素点的X射线成像板。该X射线成像板在120kV硬射线下的灵敏度高达106129μC/Gyair/cm2,最低检测限达到了5nGyair/s,成像分辨率达到了3.0lp/mm。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top