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[发明专利]一种Cu纳米花的制备方法及其在可乐糖份检测中的应用-CN202310720046.X在审
发明人： 刘欣美;李宇航;刘刚;孙兴旺;祝国斌 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2023-06-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu纳米花的制备方法及其在可乐糖份检测中的应用，Cu单质纳米花的制备过程其包括，将预制粉末分散在硫酸铜溶液中，搅拌均匀，加入指定浓度的硼氢化钠溶液，室温反应2‑3小时。此外，本发明还公开了一种由Cu单质纳米花修饰工作电极检测可乐糖份的方法。其计时电流响应信号随着可乐浓度稀释呈线性下降。由所得线性拟合方程可计算可乐中糖份的浓度。本发明提供检测方法成本低、选择性高，具有较高的商业价值。
一种 cu 纳米制备方法及其可乐糖份检测中的应用

[发明专利]一种三角片Cu30-CN202310926519.1在审
发明人： 刘欣美;周雪;杨文龙;王宇;李宇航 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种三角片Cu30Au70合金纳米晶的制备方法，主要包括：将氯化铜与氯金酸溶液按照比例混合，加入KBr粉末，生成三角片CuBr并用作模板；加入还原剂，消耗模板，生成三角片Cu30Au70纳米晶。所得产物属于合金固溶体。三角片结构的厚度为100纳米左右，比表面积大，尺寸效应明显。整个制备时间仅需1小时左右，制备过程未使用有机表面活性剂以及强酸强碱等有毒物质。本发明的关键在于精准控制三角片CuBr消耗的速率，避免三角片结构坍塌。相应的，本发明还公开了一种三角片Cu30Au70合金纳米晶，由上述公开的制备方法所得。
一种三角 cu base sub 30

[发明专利]一种鱼骨形CuBr纳米晶及其制备方法-CN202310664055.1在审
发明人： 刘欣美;祝国斌;刘刚;李宇航;王宇 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01G3/04 文献下载
摘要：本发明公开一种鱼骨形CuBr纳米晶及其制备方法，制备包括：室温下将CuCl2溶液与盐酸溶液按比例混合；按照一定剂量比加入KBr粉末和抗坏血酸溶液；超声反应10‑20分钟；所得白色沉淀经过固液分离，清洗烘干后即为鱼骨形CuBr纳米晶。相比于其他制备方法，本发明的制备不需要加热，合成时间短，仅10‑20分钟可快速获得目标产物，整个制备不需要充入气体保护。相比于同类CuBr，本发明提供的鱼骨形CuBr抗氧化性高，存储与运动壶成本低。此外，鱼骨形结构不易团聚具，比表面积较高，有助于CuBr在光催化领域的应用。
一种鱼骨 cubr 纳米及其制备方法

[发明专利]一种CuBr纳米线及其制备方法-CN202210017333.X有效
发明人： 刘欣美;周雪;杨文龙;李宇航;刘刚;李雪;程惠娟 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuBr纳米线及其制备方法，制备方法主要包括：将CuCl2溶液与Na2PdCl4溶液按比例混合；按照一定剂量比加入KBr粉末并进行预加热；再按比例加入抗坏血酸溶液，在预设温度下快速搅拌反应5‑6小时；得到的产物经固液分离即为CuBr纳米线成品。制备过程中通过引入Pd离子可有效辅助CuBr纳米晶种生长为纳米线形貌。相比于同类制备方法，本发明所提供的方法对设备要求低、易于产业化生产。此外，各向异性的纳米线形貌将有益于CuBr材料性能的拓展与提升。
一种 cubr 纳米及其制备方法

[发明专利]一种液相法制备小尺寸CuBr纳米颗粒的方法-CN202110259632.X有效
发明人： 刘欣美;梁晨;杨文龙;林家齐;赵旭;杨春洋 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备小尺寸CuBr纳米颗粒的方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备过程包括：配置铜的前驱物，并与溴的前驱物按一定比例混合，均匀搅拌；加入还原剂抗坏血酸，搅拌均匀；加入氯铂酸恒温反应；离心清洗烘干，获得样品。在CuBr纳米颗粒的制备过程中：少量的氯铂酸引入可有效抑制CuBr纳米晶的熟化，从而达到小尺寸CuBr纳米颗粒的获得；反应温度的提升可降低动力学对成核速率的影响，实现产物尺寸的均一性；随着溴化钾浓度的增加，所得CuBr颗粒尺寸逐渐降低。本发明所提供的制备方法操作简单、产量较高，所得的CuBr纳米颗粒尺寸均匀，可控制在70‑100纳米之间。
一种法制尺寸 cubr 纳米颗粒方法

[发明专利]一种分支状CuAu合金纳米晶及其制备方法-CN202210125431.5有效
发明人： 刘欣美;杨文龙;李雪;刘刚;李晶 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种分支状CuAu合金纳米晶的制备方法，主要包括：将氯化铜溶液与氯金酸溶液按照一定比例混合，置于80‑95摄氏度搅拌，得到混合液1；加入盐酸溶液，得到混合液2；按比例向混合液2中注入抗坏血酸溶液，90‑100摄氏度反应5‑6小时。本发明的制备技术的关键在于通过降低反应液的pH值，控制液相还原的反应速率，使得前驱物充分被还原为合金而非两种金属单质组成的复合物材料。相应的，本发明还公开了一种分支状CuAu合金纳米晶，由上述公开的制备方法所得。分支状形貌具有明显的尺寸效应，所得产物有望应用于高效率的电催化领域。
一种分支 cuau 合金纳米及其制备方法

[发明专利]一种高纯度Cu3-CN202110068946.1有效
发明人： 刘欣美;李顺;刘勇;梁宸;杨文龙 -专利权人：佛山（华南）新材料研究院
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度Cu3Pt纳米颗粒的制备方法，其包括：(1)在水中加入无机铜盐、NaCl和/或KCl，混合均匀后得到混合溶液1；(2)在所述混合溶液1中加入还原剂，并反应第一预设时间，得到混合溶液2；(3)在所述混合溶液2中加入无机铂盐，并反应第二预设时间，得到混合溶液3；(4)所述混合溶液3经液固分离后得到的固体即为高纯度Cu3Pt纳米颗粒成品。相应的，本发明还公开了一种高纯度Cu3Pt纳米颗粒。本发明通过提升反应溶液中氯离子的浓度，促进了中间产物的生成，进而使得中间产物被还原，抑制了杂质的生成，提升了纯度。本发明可一步合成高纯度的的Cu3Pt颗粒，无需进行二次提纯，降低了合成成本。
一种纯度 cu base sub

[发明专利]一种CuPd合金纳米晶的制备及其组分调控方法-CN202111171249.5有效
发明人： 刘欣美;李雪;杨文龙;周雪;李宇航;李东平 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuPd合金纳米晶的制备及其组分调控方法，合成方法主要包括：配置可溶性铜盐，加入氯化钾粉末，在高温环境下搅拌均匀后得到混合1；将氯化钯粉末溶于盐酸溶液，高温溶解后加入到混合液1中；加入抗坏血酸溶液,高温搅拌反应5‑6小时。组分调控方法为：调节反应液中盐酸与氯化钯粉末的用量控制合金中Cu与Pd的原子百分比。本方法以水为溶剂，无气体保护下进行，操作方案简单，合成中未添加有机表面活性剂。组分调控的方法将为CuPd合金纳米晶的应用提供了更广阔的空间。
一种 cupd 合金纳米制备及其组分调控方法

[发明专利]一种六分枝状Cu2-CN202211715263.1在审
发明人： 刘欣美;李宇航;孙兴旺;祝国斌;刘刚 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种六分枝状Cu2O@Cu的制备方法及其在甲醛传感中的应用，其包括：先利用液相法制备六分枝状Cu2O纳米晶；后将Cu2O纳米晶分散在硫酸铜溶液中被硼氢化钠还原为单质Cu，形成六分枝状Cu2O@Cu复合纳米晶；整个合成过程中未使用有机表面活性剂；相应的，本发明还公开了一种由六分枝状Cu2O@Cu米颗粒修饰工作电极制得的甲醛溶液浓度传感器，由于界面的Cu纳米晶增强了六分枝状Cu2O的导电性，所制得传感器的灵敏度显著优于由纯Cu2O构成的传感器，增强系数可达1.38。
一种分枝 cu base sub

[发明专利]一种高纯度六边形Cu纳米晶的制备方法-CN202110794485.6有效
发明人：杨文龙;杨春洋;刘欣美;林家齐 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度六边形Cu纳米晶的制备方法，主要步骤包括：配置一定浓度的硫酸铜溶液；向硫酸铜溶液加入络合剂，得到混合液；用分液漏斗以0.5毫升/分钟的速率向混合溶液中滴加还原剂；在40～45摄氏度下搅拌反应6‑8小时。本发明利用Cu纳米晶在特定反应温度下的自发熟化形成稳定的六边形结构，未添加任何表面活性剂，确保了所得六边形Cu纳米晶具有“清洁的表面”。整合制备过程在无氮气保护下即可实现，且不需实施较高的温度，操作简单。所得产物纯度高，不含氧化物等杂质。
一种纯度六边形 cu 纳米制备方法

[发明专利]一种高介电PI/PVDF复合薄膜的制备方法-CN202210298742.1在审
发明人：林家齐;王宇;杨文龙;刘欣美 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电的聚酰亚胺/聚偏二氟乙烯(PI/PVDF)复合薄膜制备方法。首先通过4,4’‑二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐制备出PI的前驱体，然后将PVDF分批添加到PI前驱体中，并在80‑200摄氏度的温度范围内进行低温热亚胺化。该方法可以避免高温处理使PI与PVDF相分离而引入孔洞，是制备出兼顾高介电常数和高介电强度的PI/PVDF复合薄膜有效方法。与传统高温(200摄氏度以上)热亚胺化制备的纯PI薄膜相比，在测试频率为1000赫兹时，质量分数为百分之15的PI/PVDF复合薄膜的相对介电常数可达4.68，是纯PI的1.51倍；储能密度为2.68焦耳/立方厘米，是纯PI的1.49倍。
一种高介电 pi pvdf 复合薄膜制备方法

[发明专利]一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯薄膜介电性能的方法-CN202210285167.1在审
发明人：林家齐;左宇航;刘欣美;杨文龙 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能的方法。首先，借助界面亲和反应利用不同官能团的酰氯类小分子对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。随后，将改性后的KTN粒子加入聚偏氟乙烯(PVDF)中，制备出相应的复合薄膜。由于修饰后KTN粒子与聚合物基体的相容性加强，所得的复合薄膜介电损耗和击穿场强得到明显的改善。本发明所制备的2‑丙烯‑1‑磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑SC/PVDF)、苄磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑ATC/PVDF)、甲基丙烯酰氯改性的复合薄膜(KTN‑MAC)的介电损耗都低于与未改性KTN/PVDF薄膜。三种改性剂改性的复合薄膜在击穿场强方面均显示出明显的提升，其中掺杂体积分数为百分之3的KTN‑SC/PVDF薄膜的击穿场强提升最高，相比相同浓度未改性的KTN/PVDF薄膜提高了2.87倍。
一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾聚偏氟乙烯薄膜性能方法

[发明专利]一种借助电化学法原位反应制备BiOCl/Bi24-CN202210339536.0在审
发明人：刘刚;陈云龙;董丽敏;刘欣美;刘苗苗;杨文龙;杨志韬;高春鹏 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B01J27/06 文献下载
摘要：一种借助电化学法原位反应制备BiOCl/Bi24O31Cl10复合粉体的方法。本发明采用电化学辅助的方法对BiOCl催化剂进行处理制备BiOCl/Bi24O31Cl10复合粉体，从而大幅度提高降解有机污染物的光催化性。本方法如下：一、将BiOCl放入含有水的电解池中，电解池以隔膜分开；二、在搅拌的状态下，通过酸(或碱)调节电解液的pH值；三、将电极插入电解池中，在恒压(或恒流)模式下维持一定时间，通电过程中控制电解池中液体的温度；四、将步骤三得到的粉体过滤后清洗至中性，烘干既得具有高催化活性的BiOCl/Bi24O31Cl10复合粉体。本发明具有制备方法简单，价格低廉且样品中两相的含量可调控等优点。
一种借助电化学原位反应制备 biocl bi base sub 24

[发明专利]一种高催化活性卤氧化铋表相氧空位的调控方法-CN202210325895.0在审
发明人：刘刚;陈云龙;董丽敏;刘欣美;刘苗苗;杨文龙;杨志韬;高春鹏 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C25B1/26 文献下载
摘要：一种高催化活性卤氧化铋表相氧空位的调控方法。本发明采用电化学辅助的方法对催化剂进行处理，提高卤氧化铋光催化剂的表相氧空位的浓度，从而大幅度提高降解有机污染物的光催化性。本方法如下：一、将卤氧化铋放入含有水的电解池中，电解池以隔膜分开；二、在搅拌的状态下，通过酸(或碱)调节电解液的pH值；三、将电极插入电解池中，在恒压(或恒流)模式下维持一定时间，通电过程中控制电解池中液体的温度；四、将步骤三得到的粉体过滤后清洗至中性，烘干既得富含高浓度表相氧空位的卤氧化铋粉体。本发明制备方法简单，价格低廉且样品表相氧空位浓度高等优点。
一种催化活性氧化铋表相氧空位调控方法

[发明专利]一种利用原位-溶胶掺杂制备PI/SiO2-CN202210288659.6在审
发明人：林家齐;王宇;杨文龙;刘欣美 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用原位‑溶胶掺杂制备聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO2)复合薄膜的方法。利用正硅酸乙酯在PI前驱体中易于均匀分散的特点，提高了SiO2在PI中分散性。首先，将纳米SiO2与4,4’‑二氨基二苯醚分散于N,N’‑二甲基乙酰胺中，加入均苯四甲酸二酐和正硅酸乙酯后得到成膜液。然后，成膜液通过流延工艺加工成膜并加热处理，得到PI/SiO2复合薄膜。与未添加正硅酸乙酯所得PI/SiO2复合薄膜相比，本方法获得PI/SiO2复合薄膜的拉伸强度为114兆帕，提高了21％，击穿场强可达208千伏/毫米，提高了6％。通过本方法制备的PI/SiO2复合薄膜的耐电晕寿命可达101分钟，是纯PI的20倍。
一种利用原位溶胶掺杂制备 pi sio base sub

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