[发明专利]一种半导体晶圆清洗用多孔亲水材料和组件的制备方法在审
| 申请号： | 201910604539.0 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110335837A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 邹美帅;李永辉;王志宏;胡永琪;冯笑;李玉川;张旭东;李晓东 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学;北京理工大学鲁南研究院 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C08J9/12;C08L29/04 |
| 代理公司： | 北京兴智翔达知识产权代理有限公司 11768 | 代理人： | 郭卫芹 |
| 地址： | 100089 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆清洗用多孔亲水材料，所述柔软亲水多孔高分子材料中的孔径相互贯穿，粒径大小在10‑350微米之间，平均在40‑200微米之间，孔径含量在60‑98％之间，较好在80‑95％之间；本发明提供的一种半导体晶圆清洗用多孔亲水材料和组件的制备方法，所述配制制备多孔柔性亲水高分子材料的原料混合物，用半导体用特级不锈钢或铝制备注塑用模具，原料混合物脱气泡后压缩进入模具，升温聚合成型，成型后的带有柔性亲水高分子材料清洗刷组件用清水或在酸或碱的帮助下洗去其中的淀粉或其它成孔用的填充物，得到柔软亲水多孔高分子清洗刷组件。利用本专利发明的柔软亲水多孔高分子材料和清洗刷组件有效的解决了半导体晶圆清洗工艺中对关键耗材的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 制备 高分子材料 清洗刷组件 多孔亲水 亲水多孔 柔软 清洗 原料混合物 模具 亲水高分子材料 注塑 填充物 多孔柔性 聚合成型 清洗工艺 柔性亲水 成孔 耗材 粒径 不锈钢 淀粉 半导体 成型 配制 清水 压缩 贯穿 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆清洗用多孔亲水材料，其特征在于，包括柔软亲水多孔高分子材料和中空的塑料顶杆用来支撑多孔柔性亲水高分子材料，其中，所述柔软亲水多孔高分子材料中的孔径相互贯穿，粒径大小在10‑350微米之间，平均在40‑200微米之间，孔径含量在60‑98％之间，较好在80‑95％之间，在水和清洗液的帮助下用于清洗磨擦晶圆一面，去除附着在晶圆表面的有机物，颗粒，金属污染物等残留。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
