[发明专利]一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法有效
| 申请号： | 201910548899.3 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110429019B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 韩军;崔博垚;邢艳辉;赵佳豪 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法属于GaN材料外延技术领域，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，生长的低位错密度非极性GaN材料，外延结构从下向上依次为:r面蓝宝石衬底，低温GaN成核层；高压、高V/III比(V族与III族源摩尔流量比)生长条件生长的高温三维GaN层；第一次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层；InGaN插入层；第二次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层。本发明的特点是在二维GaN层中插入InGaN插入层，其能够缓解应力，并且阻挡了部分蓝宝石衬底与GaN失配产生的穿透位错的传递。本发明改善了现有技术的不足，能够减小非极性GaN材料位错密度，改善材料表面形貌，提高外延片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 插入 ingan 改善 极性 gan 材料 质量 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种插入InGaN层改善非极性GaN材料外延质量的方法，其特征在于，从下向上依次为:r面蓝宝石衬底；低温GaN成核层；高压、高V/III比生长条件生长的高温三维GaN层；第一次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层；InGaN插入层；第二次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层；或者是方案二，从下向上依次为:r面蓝宝石衬底；低温GaN成核层；高压、高V/III比生长条件生长的高温三维GaN层；InGaN插入层；低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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