[发明专利]制造记忆体装置的方法在审
| 申请号： | 201910444723.3 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111613723A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露相关于一种制造记忆体装置的方法，这种制造记忆体装置的方法包含如下所述的步骤。形成介电层于基板上。形成底电极沟槽开口于介电层上。形成底电极于底电极沟槽开口里。回蚀底电极。形成选择器于底电极沟槽开口内与底电极上。形成记忆体层于选择器上。形成顶电极于记忆体层上。上述的制造方法，将不会给记忆体装置增加面积的使用负担，并且因此增强了高密度装置中基板面积的使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 记忆体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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