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[发明专利]一种太阳能电池用氢化纳米晶硅薄膜的制备方法-CN202010386090.8在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池用氢化纳米晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：快速热退火；把非晶硅薄膜放入有气氛保护下的退火炉里进行退火处理，使其由非晶态薄膜转变为纳米晶态薄膜；S2：区域熔化再结晶；将一束高能量源照射硅基薄膜的表面，使薄膜材料在很短的时间内被加热到很高的温度，在高温下熔化后再结晶；S3：金属诱导晶化；在衬底是上镀一层金属薄膜，再在其上镶一层非晶硅薄膜，然后在较低的温度下退火；S4：高氢稀释气相沉积法；在真空反应室中安装加热丝，当高氢稀释的SiH4或其它源气体通过温度高达1800～2000度的钨丝时，源气体被分解形成各种中性基团，然后在衬底上沉积成纳米晶硅薄膜。
一种太阳能电池氢化纳米薄膜制备方法

[发明专利]一种柔性钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202010386540.3在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：ITO导电玻璃的处理；NiOx薄膜的制备；将处理过的ITO导电玻璃放到加热台上，通过20min将温度从室温升至300度，将前驱液倒入喷笔中进行的喷涂；然后于300度保温40min；钙钛矿层的制备，称取PbI2和CH3NH3I，然后溶解于DMF和DMSO混合溶剂里，室温搅拌至完全溶解，得到MAPbI3钙钛矿溶液；然后将其覆盖在无掺杂和Mg:NiOx薄膜上，在100度下加热10min后得到钙钛矿薄膜；电子传输层PCBM的制备；缓冲层BCP的制备；Ag电极的制备：通过蒸发镀膜仪，在BCP层上制备厚度为80nm的Ag电极。
一种柔性钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]薄膜太阳能电池用银复合透明导电薄膜的制备方法-CN202010375502.8在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜太阳能电池用银复合透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：PECVD成膜结构主要包括栅绝缘层，有源层及欧姆接触层；栅绝缘层包括绝缘层高速成膜及低速成膜；PECVD沉积反应栅绝缘层氮化硅薄膜；S2：TFT器件的制备：采用PVD沉积一层金属薄膜，厚度为250nm，经过涂光阻，曝光，显影后进行刻蚀；利用PECVD真空腔沉积SiNX层，厚度300nm，沉积a‑Si厚度为140nm，制备a‑Si有源层及N+a‑Si层源漏电极沉积；采用磁控溅射沉积和湿法刻蚀，膜厚约50nm；进行退火处理，退火温度为250～400度。
薄膜太阳能电池复合透明导电制备方法

[发明专利]新型石墨烯量子点在有机太阳能电池中的应用-CN202010375503.2在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型石墨烯量子点在有机太阳能电池中的应用，包括以下步骤：S1：GQDS和N‑GQDS的合成；取两根石墨棒，将其分别作为阴极和阳极，插入1L的去离子水溶液中；量取25ml去离子水加入GQDS的样品瓶中，然后加入约质量分数为0.5％的BPEI，在80℃的温度下油浴反应3h，制得N‑GQDS溶液；S2：器件的制备；制备前首先把玻璃基底ITO放置在超声波清洗机，依次通过ITO清洗液、去离子水、丙酮和异丙醇反复超声清洗干净；取适量的N‑GQDS溶液旋涂在ITO上，作为阴极界面层；蒸镀约8nm厚的MoO3，再以0.2nm/s的蒸镀速率蒸镀约100nm的Al。
新型石墨量子有机太阳能电池中的应用

[发明专利]一种多晶硅表面处理方法-CN202010382257.3在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅表面处理方法，包括以下步骤：准备多晶硅片，S1：首先，采用RCA一号液清洗，其配比为NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:5，NH4OH浓度为25％～28％，H2O2浓度为为30％，再加入硅片进行清洗；再用RCA二号液处理，其配比HCl:H2O2:H2O＝1:1:6，HCl浓度为36％‑38％，再加入硅片进行清洗；S2：完成后，配比6％的HF稀溶液，把清洗完的硅片放入溶液中浸泡两分钟；S3：多晶硅片在经过碱液腐蚀后，硅片表面会形成凹凸不平的结构；固定NaOH的浓度为15％，腐蚀液温度为80℃，腐蚀时间设定为10～20min，设定碱腐蚀液的浓度分别为10～20％。
一种多晶表面处理方法

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池烧结方法-CN202010382904.0在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳能电池烧结方法，包括以下步骤：S1：设置烧结炉传送履带匀速将印刷有铝浆和银浆的电池片送入烧结炉中，分别按照平台型和陡坡型烧结工艺曲线进行温度设置；S2：实际温度的测试：为准确掌握TPS烧结炉的实际烧结温度，实验借助温度测试仪获取炉内实际烧结温度，烧结炉内实际温度确实不等同于工艺设定温度，且差别较大，但与对应的温度设定基本吻合，陡坡型烧结曲线对应温度高于平台型烧结曲线的对应温度；陡坡型烧结曲线的温度持续上升，表明炉内温度持续升高，电池片充分加热，金属浆料与硅在液态时充分熔合、扩散，然后进入冷却区快速降温，最终形成良好的欧姆接触。
一种晶体太阳能电池烧结方法

[发明专利]一种多晶硅表面织构化工艺-CN202010354874.2在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅表面织构化工艺，采用二次腐蚀法制备高质量的多晶硅绒面，包括以下步骤：电化学预腐蚀多晶硅，电化学腐蚀溶液为体积分数为40％的氢氟酸与体积分数为99.7％的无水乙醇的混合液，体积比为1:2；将多晶硅片置于腐蚀溶液中，对P型多晶硅片进行电化学预腐蚀；预腐蚀的多晶硅片用去离子水反复洗净，氮气吹干；电化学工作站采用三电极体系，硅片为工作电极，钽片为辅助电极，参比电极采用饱和甘汞电极，通过盐桥与工作电极连接；S3：采用化学腐蚀法对预腐蚀后的多晶硅片进行二次处理，得到高性能的多晶硅绒面；预腐蚀多晶硅片在HF和H2O2体积比为4:1的腐蚀溶液中进行二次处理，然后用无水乙醇反复洗净多晶硅片，氮气保护。
一种多晶表面化工

[发明专利]一种改性EVA封装胶膜的制备方法-CN202010354885.0在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种改性EVA封装胶膜的制备方法，具体步骤如下：S1、将EVA树脂、填料Al2O3和交联剂TX117按照一定比例以及加料顺序混炼后放入平板硫化机中模压一定时间后，取出胶膜；S2、将胶膜、帆布条、玻璃片，按照测试标准GB/T2790—1995制备成样条，其中玻璃片和帆布条需用无水乙醇清洗，然后放入真空烘箱中2h，除去乙醇；按照帆布条/胶膜/玻璃片顺序将三者结合做成样条，并在120℃～180℃、0.1MPa压力下先模压30min，然后自然冷却至室温；S3、最后将制备好的样条放入紫外老化箱中。
一种改性 eva 封装胶膜制备方法

[发明专利]砷化镓纳米结构太阳能电池制备方法-CN202010355330.8在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓纳米结构太阳能电池制备方法，包括以下步骤：S1：衬底准备，N型掺杂晶向的GaAs基片，将其解理成2X2cm2尺寸的方片作为衬底，依次浸泡在丙酮－曱醇－异丙醇中各超声清洗3分钟去除掉表面的杂质，再用去离子水清洗掉残留的有机溶剂，用氮气枪吹干后，放在90摄氏度的热台上恒温加热10分钟；S2：SiO2纳米小球的准备，为了获得单层致密的纳米小球排布，每次注射的悬浊液体积应该在4.2～5.3ul之间；S3：纳米结构刻蚀，我们将铺满SiO2纳米小球阵列GaAs衬底直接放入STS‑ICP系统中进行刻蚀，在刻蚀GaAs的同时也会使SiO2小球掩膜不断缩小，因此就出现了锥形结构。
砷化镓纳米结构太阳能电池制备方法

[发明专利]聚苯乙烯微球辅助制备超薄PERC太阳能电池的方法-CN202010355357.7在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及聚苯乙烯微球辅助制备超薄PERC太阳能电池的方法，包括以下步骤：S1：选取P型单晶硅片，进行半成品太阳电池的制备；S2：在制备完半成品太阳电池后，利用激光切割成小电池片后，进行剩下的电池制备流程；利用酒精对半成品电池进行清洗，氮气吹干后在正面涂覆一层保护层；减薄后去除半成品电池正面的保护层，分别在丙酮、酒精和去离子水中清洗2min；S3：在不同厚度的半成品电池背面旋涂一层PS微球；S4：背面采用原子层沉积法沉积一层约10nm厚的Al2O3钝化膜；S5：利用快速热退火工艺，在氩气气氛下，400℃退火30min；利用磁控溅射仪在电池背面沉积一层银，作为电池背面电极。
聚苯乙烯辅助制备超薄 perc 太阳能电池方法

[实用新型]一种用于多主栅组件制作焊接的压针装置-CN202120124799.0有效
发明人：康海涛;郭万武;樊选东;关统洲 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于多主栅组件制作焊接的压针装置，包括横条，横条两端的下方固定有支撑件，两个支撑件之间沿横条的长度方向间隔分布有多个压针组件，压针组件包括固定于横条下方的固定件，固定件的上表面通过第一弹簧连接有第一压件，第一弹簧的两端分别与第一压件和固定件固定连接；固定件的下表面通过第二弹簧连接有第二压件，第二弹簧的两端分别与第二压件和固定件固定连接，第一压件和第二压件均沿铅垂方向滑动设置。该用于多主栅组件制作焊接的压针装置通过第一弹簧和第二弹簧分别作用于第一压件和第二压件上，保证固定效果，改善焊接质量；此外，将装置取下时，第一压件和第二压件依次脱离焊带，防止虚焊，进一步提高了焊接质量。
一种用于多主栅组件制作焊接装置

[发明专利]一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法-CN202010205348.X在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法，步骤如下：S1，以SiO2石英玻片为基板，先用洗洁剂反复擦洗，然后依次用去离子水、丙酮和无水乙醇各超声20min，采用氮气吹干；S2，夹装PI衬底到所述基板，使用PECVD设备制备正面本征非晶硅层，正面n型掺杂非晶硅层，中间i型掺杂非晶硅层，背面本征非晶硅厚度，背面p型掺杂非晶硅层；S3，磁控溅射沉积ITO薄膜，正背面ITO薄膜厚度为80nm；S4，丝网印刷正背面银金属电极，主栅宽度为0.1～2mm，主栅数目为2～20，正背面银副栅线宽度为20～70μm，线数为80～250；S5，固化烧结使金属与硅之间形成良好的欧姆接触；S6，进行电池的电性能测试，测量电池量产平均效率。
一种 pecvd 沉积非晶硅薄膜方法

[发明专利]一种晶硅光伏材料的回收方法-CN202010205381.2在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶硅光伏材料的回收方法，步骤如下：拆卸光伏电池片外部的铝框和接线盒，并灼烧除去EVA胶膜，之后除去上层玻璃板及底层TPT背板，得到光伏电池片；对光伏电池片进行破碎筛分；将得到的光伏电池片碎片放入超纯水中，在超声功率100W，温度25℃的条件下清洗25min；将得到的光伏电池片碎片放入氢氧化钠溶液中反应；过滤，加入硫酸调节pH值，直到出现氢氧化铝沉淀；将处理过的光伏电池片碎片进行清洗烘干，放入硝酸溶液中反应；将得到的酸浸液进行加热蒸发，常温下静置冷却结晶，得到AgNO3晶体；将已去除Al和Ag的光伏电池片碎片浸入氢氟酸溶液反应，反应温度为常温。
一种晶硅光伏材料回收方法

[发明专利]一种抗PID太阳能电池减反射膜的制备方法-CN202010205410.5在审
发明人： 樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗PID太阳能电池减反射膜的制备方法，镀膜工艺如下：通过氧气迅速氧化电池片表面形成一层均匀的SiO2薄膜；将电池片放入氧化器内，氧化器通入高纯氧，电池片经过滚轮通过氧化器；在SiO2薄膜上镀第一层SiNx膜；将电池片插入石墨舟后送入炉管，设置炉管温度450℃，开始进行镀SiNx膜工艺，具体步骤为：(1)抽真空；(2)镀膜，通入反应气体SiH4和NH3，SiH4流量900sccm，NH3流量3800sccm，反应压力1600Pa，高频功率6500W，高频占空比40：400，沉积时间190s；(3)稳压；在第一层SiNx膜上镀第二层SiNx膜；具体步骤为：(1)镀膜，工艺设置温度450℃，通入SiH4和NH3，SiH4流量700sccm，NH3流量7000sccm，反应压力1600Pa，高频功率6500W，高频占空比40：400，沉积时间515s；(2)排废气取出石墨舟。
一种 pid 太阳能电池减反射膜制备方法

[发明专利]一种无缝连接硅基太阳电池的互联方法-CN201910474522.8有效
发明人：陈光;郭万武;杨东升;樊选东 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种无缝连接硅基太阳电池的互联方法，包括有整片电池、正面主栅、正面副栅、背面主栅，所述整片电池的正表面平行布置连接有若干正面主栅以及正面副栅，所述正面副栅之间等距平行排列，且正面副栅与正面主栅垂直放置连接；该应用于无缝连接硅基太阳电池的互联方法，通过将整片电池分为多个小片电池使用，可大幅度提升组件中小片电池的均匀性降低整体串联电流，降低组件的功率损失，此外超短焊带与正面主栅的垂直连接，可大幅度缩短所需焊带长度，有效减小焊带所致的电阻损耗，通过在小片电池边沿处设置缺口，实现无缝连接，使得产品封装面积更小，节约封装材料成本，美观，单位面积发电量更高。
一种无缝连接太阳电池方法

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