[发明专利]化学成分梯度分布的应力薄膜、半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910362262.5 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863593B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘一剑 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学成分梯度分布的应力薄膜的形成方法、半导体器件及其形成方法，所述方法至少包含以下步骤：在半导体衬底上形成晶体管；以及在所述半导体衬底上形成应力薄膜层；其中，在形成所述应力薄膜层的过程中调节生长氛围气体中O、N和H的含量使得最终得到的所述应力薄膜层具有沿厚度方向梯度分布的化学成分。通过在形成应力薄膜层的过程中调节生长氛围气体中O、N和H的含量使得最终得到的应力薄膜层具有沿厚度方向梯度分布的化学成分，从而使得衬底与应力薄膜层的界面之间的应力变化较为平缓，应力薄膜层与衬底之间的结合力增加，避免了在应力薄膜层中形成缺陷或应力薄膜层从衬底上脱落，进一步加强了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学成分 梯度 分布 应力 薄膜 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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