[发明专利]一种铁电存储器、制作方法及操作方法在审
申请号: | 201910349686.8 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110071115A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 李春龙;霍宗亮;张瑜;洪培真;邹兴奇;靳磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/1159 | 分类号: | H01L27/1159;G11C16/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种铁电存储器、制作方法及操作方法,该铁电存储器结构在铁电存储层和介质层之间插入一层辅栅层,其栅极叠层结构主要包括介质层、辅栅层、铁电存储层和主栅层,利用辅栅层和主栅层直接对铁电存储层施加极化翻转电压,解决了现有技术中存在介质层分压的问题,进而降低了编程和擦除的操作电压,同时也保证了读取电压的不变,有效消除了电荷俘获效应,增大了存储窗口,进一步提高了铁电存储器的读取速度、保持特性和耐久性。 | ||
搜索关键词: | 铁电存储器 铁电存储 介质层 栅层 主栅 读取 电荷俘获效应 极化翻转电压 操作电压 存储窗口 读取电压 栅极叠层 擦除 分压 制作 编程 施加 保证 | ||
【主权项】:
1.一种铁电存储器,其特征在于,所述铁电存储器包括:衬底,所述衬底包括源区域和漏区域;设置在所述源区域上的源极结构;设置在所述漏区域上的漏极结构;设置在所述衬底上的栅极叠层结构,所述栅极叠层结构包括依次设置在所述衬底上的介质层、辅栅层、铁电存储层和主栅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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