[发明专利]发光二极管的外延发光结构有效
| 申请号： | 201910318051.1 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN111834498B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 樊本杰;陈和谦;邓顺达;杨鸿志;谢政璋 | 申请（专利权）人： | 开发晶照明（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 冷文燕;武玉琴 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管的外延发光结构。外延发光结构包括空穴提供层、电子提供层以及发光叠层，且发光叠层位于空穴提供层与电子提供层之间。发光叠层包括交替堆叠的多个势垒层以及多个阱层。多个阱层被区分为宽禁带阱层、中宽禁带阱层与窄禁带阱层。最靠近空穴提供层的前三层阱层都是宽禁带阱层，且最靠近电子提供层的阱层为宽禁带阱层或中宽禁带阱层。通过前述技术手段，发光二极管结构所产生的宽频带光谱具有较大的半高宽或具有多个峰值波长。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 发光 结构 | ||
【主权项】：
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