[发明专利]多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法

摘要

一种多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法，使用激光刻蚀电池结构材料，采用连续两次刻蚀工艺，通过重复频率、焦距、加工速度等工艺参数的调整，可以精确控制每个刻槽的宽度和深度；通过对点胶工艺时点胶机移动速度和出胶电压、出胶频率的控制，使得聚酰亚胺胶填满第一刻槽，且不会大量溢出第一刻槽流入第二刻槽内；光刻工艺确定电极栅线位置时，在光学显微镜下可以使光刻板上显示的电极栅线图形与外延片上的刻槽精确对位。该方法避免了传统砷化镓组件采用多个单体电池通过金属互连片进行外部互联的方式，有效提高了组件布片率和加工效率，特别适合应用于高压太阳电池阵、高压激光电池等空间飞行器电源、地对空或空对空无线传能领域。

主权项

1.多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、衬底上采用MOCVD或MBE外延生长多结电池结构材料形成单体电池；步骤2、在单体电池表面每隔一定的距离，使用激光从顶电池一直刻蚀到衬底，形成第一刻槽；步骤3、使用激光依次在第一刻槽的一侧平行刻蚀第二刻槽，其深度从顶电池直至底电池；步骤4、使用激光依次在第二刻槽的一侧平行刻蚀第三刻槽，其深度从顶电池直至底电池；步骤5、在第一刻槽内填充聚酰亚胺绝缘胶并加热固化；步骤6、采用光刻套刻图形工艺在顶电池表面蒸镀电极栅线，并使上电极主栅线的蒸金跨越第一刻槽，并延伸填充第二刻槽；步骤7、依次进行选择性腐蚀窗口层、蒸镀减反射膜、合金、划片成形和边缘腐蚀等工艺，完成多结砷化镓太阳电池单体的集成内联。