[发明专利]一种可见光的光电转换结构及制作方法在审

申请号：	201910275798.3	申请日：	2019-04-08
公开（公告）号：	CN109950335A	公开（公告）日：	2019-06-28
发明（设计）人：	刘卫国;王卓曼;刘欢;白民宇;舒利利;韩军;安妍	申请（专利权）人：	西安工业大学
主分类号：	H01L31/0236	分类号：	H01L31/0236;H01L31/108;H01L31/18
代理公司：	西安智大知识产权代理事务所 61215	代理人：	何会侠
地址：	710021 陕***	国省代码：	陕西;61
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摘要：	本发明公开了一种可见光的光电转换结构及制作方法，该光电转换结构包括黑硅基底，以及在黑硅基底表面依次覆盖的下电极、光敏层和上电极三层薄膜，其中上电极透明，下电极为不透明反光薄膜；入射光透过上电极，在黑硅基底表层微结构空间内以下电极为反射面多次反射，多次穿过光敏层发生光电转换，提高了可见光吸收率；同时该探测结构仅利用黑硅表面三维微结构的几何形貌，不将黑硅作为敏感材料，黑硅能带结构等内部物理特性不会影响探测结构性能，避免了传统黑硅光电转换结构中光生载流子大量复合、载流子横向输运能力差以及退火带来的吸收率下降等问题；该结构采用干法刻蚀制作基底，然后制作表面膜层，工艺稳定性高，效率高，成本低，可以实现批量化制造。
搜索关键词：	黑硅光电转换结构电极可见光光敏层制作基底吸收率可见光吸收率退火工艺稳定性光生载流子三维微结构载流子横向表面膜层多次反射反光薄膜干法刻蚀光电转换基底表层基底表面几何形貌结构性能敏感材料能带结构探测结构物理特性影响探测不透明反射面批量化入射光微结构下电极三层输运下电薄膜穿过复合透明覆盖制造
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【主权项】：

1.一种可见光的光电转换结构，其特征在于：包括黑硅基底(1)、下电极(2)、光敏层(3)以及上电极(4)；所述下电极(2)覆盖在黑硅基底(1)的上表面，光敏层(3)覆盖在下电极(2)的上表面，上电极(4)覆盖在光敏层(3)的上表面，构成纵向多层薄膜探测结构；所述黑硅基底(1)为表层具有三维微结构的硅片，下电极(2)为能够发射可见光的同时收集光生载流子不透明导电金属薄膜，光敏层(3)为在可见光照射下产生光生载流子的敏感材料构成的薄膜，上电极(4)为能够在透过可见光的同时收集光生载流子的透明导电薄膜；当可见光照射到光电转换结构表面，由于上电极(4)透明，因此光波透过上电极(4)到达光敏层(3)，部分光波被光敏层(3)吸收并产生光生载流子，部分光波透过光敏层(3)到达下电极(2)；由于下电极(2)不透明，到达其表面的光波被反射再次进入光敏层(3)，再次有部分光波被吸收并产生光生载流子；由于黑硅表层为三维微结构，光波在微结构内部能够多次反射，即多次穿过光敏层(3)；光波每次穿过光敏层(3)都有一部分被吸收，多次穿过后实现大部分光波被光敏层(3)吸收，从而显著提高可见光的吸收率；光敏层(3)在光照下产生的光生载流子在外加电场作用下到达下电极(2)和上电极(4)，被下电极(2)和上电极(4)收集对外输出电流。

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摘要：本实用新型提供了一种防粘太阳能板及车辆，该防粘太阳能板包括自上向下依次层叠、并通过热熔融方式连接成一体的太阳能板表层、若干第一熔接层、太阳能电池片、若干第二熔接层以及PCB板；所述太阳能板表层为透明结构，其上表面设置有多个凸起结构，以降低外来粘贴物与所述太阳能板表层之间的附着面积；所述凸起结构均匀分布在所述太阳能板表层的上表面；各所述凸起结构在所述太阳能板表层上的总投影面积占所述太阳能板表层面积的20％以上。利用凸起结构实现防粘功能，与现有的防粘涂层相比，具有更好的稳定性以及更低的成本。凸起结构密集排列，使得贴纸和广告等外来粘贴物无法粘贴至太阳能板表层的上表面，同时凸起结构使得外来粘贴物可以轻易地撕下。

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摘要：本实用新型公开了一种PERC电池，所述PERC电池的背面包括槽孔，多个所述槽孔沿直线排布形成开槽虚线，所述开槽虚线至少存在两条；所述槽孔的孔径的范围为30微米至50微米，包括端点值；同一所述开槽虚线中的所述槽孔间距的范围为300微米至500微米，包括端点值。本实用新型中，通过限定所述PERC背面的电极与基体硅的接触点(即所述槽孔)的大小，同时缩小所述槽孔的间距，进而缩短所述PERC电池内的载流子达到所述槽孔所需的平均横向移动距离，使所述PERC电池的内阻下降，电池的填充因子升高，工作效率提高。本实用新型还提供了一种具有上述有益效果的光伏组件。

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摘要：本发明提供在制造时无困难的、具有得到改善的光电转换效率的太阳能单电池。太阳能单电池(1)为背面接合型的太阳能单电池，包括：半导体衬底(10)，其具有光入射的受光面(20)和背对受光面(20)的背面(30)；n型半导体层(13n)，其配置于背面(30)的一部分之上；和p型半导体层(12p)，其配置于背面(30)的没有配置n型半导体层(13n)的部分之上。并且，受光面(20)具有包括多个凸部(22)的凹凸结构(21)，背面(30)具有包括多个凸部(32)的凹凸结构(31)，在将半导体衬底(10)沿着厚度方向截断的截面中，凹凸结构(31)的凸部(32)的倾斜角(θ2)比凹凸结构(31)的凸部(22)的倾斜角(θ1)小。

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摘要：本发明涉及一种单面湿法黑硅硅片的制备方法，包括如下步骤：将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；采用动态反应对硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；采用湿法刻蚀对双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及将两两相并的单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片。上述单面湿法黑硅硅片的制备方法中，由于硅片以两两相并的方式放置以进行双面抛光以及单面制绒，且湿法刻蚀中的反应过程均静置，能够阻止在硅片背面形成绒面结构。因此，分离之后能够直接得到单面湿法黑硅硅片，无需后续再去除硅片背面的绒面，从而简化了制备方法。

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申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明涉及一种单面湿法黑硅硅片，采用单面湿法黑硅硅片的制备方法制备得到，包括如下步骤：将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；采用动态反应对硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；采用湿法刻蚀对双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及将两两相并的单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片。由于硅片以两两相并的方式放置以进行双面抛光以及单面制绒，且湿法刻蚀中的反应过程均静置，能够阻止在硅片背面形成绒面结构。因此，分离之后能够直接得到单面湿法黑硅硅片，无需后续再去除硅片背面的绒面，从而简化了制备方法。

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发明人：唐旱波;陈全胜;刘尧平;赵燕;林珊;吴俊桃;王燕;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明提供一种具有V型槽绒面的硅片，所述硅片具有迎光面和背光面，其中，所述迎光面和所述背光面均具有平行排布的V型槽状凹坑；所述迎光面V型槽的延伸方向与所述背光面的V型槽的延伸方向相互垂直；所述迎光面的V型槽的侧壁与所述硅片宏观表面的平面的夹角为50‑75°；所述背光面的V型槽的侧壁与所述硅片宏观表面的平面的夹角为20‑55°。本发明还提供本发明的具有V型槽绒面的硅片在太阳能电池中的应用。与常规背光面是抛光的结构相比，或是与金字塔绒面组合的结构相比，具有本发明的硅片的电池具有更高的短路电流和转换效率。不受限于任何理论，这主要得益于本发明的迎光面和背光面结构的匹配所带来的整体光学性能的提升。

一种太阳能电池及其制备方法-201910389165.5
发明人：姚悦;魏青竹;倪志春;苗凤秀;胡党平;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明公开了一种太阳能电池，在衬底的受光侧表面设置有纳米柱阵列，该纳米柱阵列中的纳米柱的轴线垂直于衬底受光侧表面，使得入射光中的掠入射光以及贴柱入射光可以在纳米柱阵列中发生多次反射而被太阳能电池吸收，而只有角度与衬底表面大体垂直的直入射光和斜入射光可以传播至衬底的背光侧。在衬底的背光侧表面设置有对应纳米柱阵列的金字塔状阵列，该金字塔状阵列包括金字塔状凸起，使得上述直入射光和斜入射光可以在金字塔状凸起处反射回衬底，从而被太阳能电池吸收，从而有效增加太阳能电池对光线的吸收，进而增加太阳能电池的发电量。本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池同样具有上述有益效果。

一种防眩光光伏组件-201821452745.1
发明人：王伟兵;赵东;李冲;金叶 -专利权人：浙江宝利特新能源股份有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本实用新型公开一种防眩光光伏组件，光伏组件的边缘由光伏组件边框封装，光伏组件由上至下依次包括：正面玻璃，在正面玻璃的正面设有呈矩阵分布的花纹序块单元，正面玻璃的背面为磨砂面；正面封装胶膜，用于进行正面封装；电池片组件，用于实现太阳能与电能之间的转换；背面封装胶膜，用于进行背面封装；黑色背板，用于进行支撑。本实用新型正面玻璃的正面设有呈矩阵分布的花纹序块单元达到防眩光目的，正面玻璃的背面，即与封装材料接触的那一侧为磨砂面，封装效果佳。

太阳能电池-201821450371.X
发明人：白安琪 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池，包括柔性衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、高阻层以及窗口层。背电极层设置于柔性衬底表面。吸收层设置于背电极层远离柔性衬底的表面。缓冲层设置于吸收层远离背电极层的表面。高阻层设置于缓冲层远离吸收层的表面。窗口层设置于高阻层远离缓冲层的表面。窗口层包括层叠设置的氧化铟锡(ITO)层和掺铝氧化锌(AZO)层。氧化铟锡层覆盖于高阻层表面。掺铝氧化锌层远离氧化铟锡层的表面具有纳米结构阵列。AZO层表面的纳米结构可以形成陷光结构，从而减少光的反射。在保持开路电压和填充因子不降低的情况下，提升短路电流，提高电池光电转换效率。AZO层与ITO层形成复合型窗口层，可以兼顾高透光性、高导电性和减反效果。

一种新型埋栅光伏电池片-201821750291.6
发明人：赵卫东;赵沁;费春燕;赵雅;赵枫;杨冬琴;朱广和;李向华 -专利权人：江苏东鋆光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-27 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本实用新型公开了一种新型埋栅光伏电池片，涉及光伏发电技术领域。本实用新型包括P型硅板，P型硅板上表面设有N++层，N++层上表面设有N+层，N+层上表面设有氧化硅层，氧化硅层上设有选择性发射结层，P型硅板下表面设有背电场，背电场下表面设有背电极，氧化硅层、N+层、N++层和P型硅板上设有开设有沟槽，沟槽是采用激光刻出的槽，沟槽内填充有电镀栅线。本实用新型通过激光进行刻槽，并将金属化的栅线嵌入电池表面的狭窄沟槽内，通过选择性发射结降低电池片串联电阻，通过使用电镀镍、铜和锡的方法制备金属化的栅线，实现了电池的金属化，解决了现有的光伏电池片发电效率较低的问题。

一种双面太阳能电池及其制备方法-201910313303.1
发明人：胡党平;张树德;连维飞;魏青竹;倪志春;苗凤秀;姚悦;王金艺 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本申请公开了一种双面太阳能电池，包括P型衬底层；位于P型衬底层第一表面的第一掺杂层，第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区；位于第一掺杂层上表面的第一钝化层；位于第一钝化层上表面的第一电极，且第一电极与第一重掺杂区接触；位于P型衬底层第二表面的第二掺杂层，第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区；位于第二掺杂层下表面的第二钝化层；位于第二钝化层下表面的第二电极；其中，第一表面与第二表面相对。本申请中的双面太阳能电池，在电池的第一表面和第二表面均采用选择性发射极技术，使光电转换效率得到进一步提升。此外，本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。

具有防积灰结构的光伏玻璃及光伏组件-201910309320.8
发明人：车伏龙;刘秤明;赵志刚;张雪芬;覃冬梅;王春阳;黄毅翔;江睿琪;覃武 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明公开了一种具有防积灰结构的光伏玻璃及光伏组件，其中，光伏玻璃具有相对设置的受光面和增效面，受光面为光滑平面，受光面的至少一个边缘设置有斜面结构，斜面结构沿该边缘的长度方向延伸。本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中的光伏组件下边缘会堆积灰尘、影响发电效率及外观美观度的问题。

一种用于晶体硅太阳能电池的制绒槽及单晶硅制绒工艺-201910331455.4
发明人：周公庆;王璞;王岚 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的制绒槽及单晶硅制绒工艺，涉及太阳能电池制备技术领域，本发明用于晶体硅太阳能电池的制绒槽包括上端开口的槽体，槽体为圆筒形，槽体内径为40‑60cm，槽体内底部为往外凸的弧形面，弧形面深度为h，h＝4‑6cm，槽体内底部设置有搅拌机构，槽体底部设置有加热元件，单晶硅制绒工艺采用上述用于晶体硅太阳能电池的制绒槽，本发明具有结构简单、可保证制绒液的温度和浓度分布均匀、制得的单晶硅电池制绒绒面的均匀性好的优点。

一种可见光的光电转换结构及制作方法-201910275798.3
发明人：刘卫国;王卓曼;刘欢;白民宇;舒利利;韩军;安妍 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明公开了一种可见光的光电转换结构及制作方法，该光电转换结构包括黑硅基底，以及在黑硅基底表面依次覆盖的下电极、光敏层和上电极三层薄膜，其中上电极透明，下电极为不透明反光薄膜；入射光透过上电极，在黑硅基底表层微结构空间内以下电极为反射面多次反射，多次穿过光敏层发生光电转换，提高了可见光吸收率；同时该探测结构仅利用黑硅表面三维微结构的几何形貌，不将黑硅作为敏感材料，黑硅能带结构等内部物理特性不会影响探测结构性能，避免了传统黑硅光电转换结构中光生载流子大量复合、载流子横向输运能力差以及退火带来的吸收率下降等问题；该结构采用干法刻蚀制作基底，然后制作表面膜层，工艺稳定性高，效率高，成本低，可以实现批量化制造。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]一种可见光的光电转换结构及制作方法在审

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