[发明专利]可调制触发电压的ESD保护装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种可调制触发电压的ESD保护装置及其制备方法，在装置内形成一个或者多个隧穿二极管。在寄生结构上以齐纳二极管替代雪崩二极管，在击穿原理上以隧穿击穿替代雪崩击穿，从而改变寄生SCR的电学击穿点，有效地降低触发电压，并根据结构的变化对触发电压进行调制。同时，公开了一种可调制触发电压的ESD保护装置制备方法，用以制备该可调制触发电压的ESD保护装置。调制触发电压形成的可调制触发电压的ESD保护装置，能够满足FinFET工艺下ESD保护窗口要求，确保触发电压低于被保护单元的损伤电压。

主权项

1.可调制触发电压的ESD保护装置，其特征在于，包括：触发调制(101)；半导体衬底(102)；位于半导体衬底内的阱区(103)；鳍片之间的隔离结构(104)；与阱区掺杂类型相反的鳍片区域(105)；与阱区掺杂类型相同的鳍片区域(106)；与衬底掺杂类型相反的鳍片区域(107)；与衬底掺杂类型相同的鳍片区域(108)；与阱区掺杂类型相反的鳍片区域(105)、与阱区掺杂类型相同的鳍片区域(106)、与衬底掺杂类型相反的鳍片区域(107)、与衬底掺杂类型相同的鳍片区域(108)组成鳍片；半导体衬底(102)、位于半导体衬底内的阱区(103)、与阱区掺杂类型相反的鳍片区域(105)、与阱区掺杂类型相同的鳍片区域(106)、与衬底掺杂类型相反的鳍片区域(107)、与衬底掺杂类型相同的鳍片区域(108)一起构成了SCR结构，用于泄放ESD电荷；与阱区掺杂类型相同的鳍片区域(106)、位于半导体衬底内的阱区(103)、触发调制(101)、半导体衬底(102)、与衬底掺杂类型相同的鳍片区域(108)形成了寄生二极管结构，通过调节触发调制(101)的结构和形态调节触发电压。