[发明专利]一种渗硼剂及电场辅助低温制备单相Fe2

摘要

本发明属于表面强化耐磨渗层技术领域，公开了一种渗硼剂及电场辅助低温制备单相Fe2B渗层的方法。所述渗硼剂由供硼剂B4C、活化剂KBF4和填充剂α‑Al2O3组成，并可添加Ni粉。采用本发明的渗硼剂通过电场辅助低温制备单相Fe2B渗层的方法，渗硼温度在650～850℃仍可得到较厚的单相Fe2B渗硼层，厚度比直接渗硼大8～10倍，而且为致密单相Fe2B渗层。电场辅助对渗硼罐内的温度升高很小，只比炉内温度高10～50℃。因渗硼温度显著降低，表层的孔洞和疏松基本消失。渗硼层的韧性得到显著提高。

主权项

1.一种渗硼剂，其特征在于：所述渗硼剂由供硼剂B₄C、活化剂KBF₄和填充剂α‑Al₂O₃组成。