[发明专利]有机发光二极管堆栈结构的方法有效

专利信息
申请号: 201910163330.5 申请日: 2019-03-05
公开(公告)号: CN109873079B 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 钟金峰 申请(专利权)人: 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 代理人: 杨冬梅;张行知
地址: 611730 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种有机发光二极管堆栈结构,包含:一阳极基板、一电洞注入层、一第一电洞传输层、及一蓝色发光层;一第二电洞传输层,堆栈于部分之蓝色发光层之上;一绿色发光层,堆栈于该第二电洞传输层之上;一红色发光层,堆栈于部分之绿色发光层之上;及一电子传输层及一阴极。本发明另提供一种制造本发明所请之有机发光二极管堆栈结构之方法。
搜索关键词: 有机 发光二极管 堆栈 结构 方法
【主权项】:
1.一种有机发光二极管堆栈结构,其特征在于,包含:一第一共通层,包括一阳极基板、一电洞注入层,位于该阳极基板上、一第一电洞传输层,位于该电洞注入层之上、及一蓝色发光层,位于该电洞传输层之上;一第二电洞传输层,堆栈于部分之蓝色发光层之上;一绿色发光层,堆栈于该第二电洞传输层之上;一红色发光层,堆栈于部分之绿色发光层之上;及一设置于该红色发光层之上的第二共同层,包括一电子传输层、及一阴极,形成于该电子传输层之上。
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