[发明专利]一种MO源供应装置在审
| 申请号： | 201910097515.0 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109852948A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 顾宏伟;茅嘉原;严金林;邓辉 | 申请（专利权）人： | 苏州普耀光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 刘彦 |
| 地址： | 215124 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MO源供应装置，包括液体MO源储存罐、固体MO源储存罐和有机溶剂吸附柱，所述固体MO源储存罐的进气口处连接有一高纯载气进气管，固体MO源储存罐的出气口处连接有一高纯载气出气管，该高纯载气出气管的出气端从液体MO源储存罐的左侧插入到液体MO源储存罐的底部，液体MO源储存罐的右侧出口连接有一MO源供给管，该MO源供给管的出口与一有机溶剂吸附柱连接，有机溶剂吸附柱的出口连接MO源钢瓶，所述固体MO源储存罐中储存有固体MO源，所述液体MO源储存罐中储存有溶解于有机溶剂的MO源。本发明将液体MO源储存罐和固体MO源储存罐结合，保证充入MO源钢瓶内的MO源浓度，并且可以有效去除MO源中的有机溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 储存罐 有机溶剂吸附 高纯 载气 出口连接 供应装置 有机溶剂 出气管 供给管 钢瓶 进气口 出气口处 出气端 进气管 柱连接 去除 溶解 保证 出口 | ||
【主权项】：
1.一种MO源供应装置，其特征在于：包括液体MO源储存罐、固体MO源储存罐和有机溶剂吸附柱，所述固体MO源储存罐的进气口处连接有一高纯载气进气管，固体MO源储存罐的出气口处连接有一高纯载气出气管，该高纯载气出气管的出气端从液体MO源储存罐的左侧插入到液体MO源储存罐的底部，液体MO源储存罐的右侧出口连接有一MO源供给管，该MO源供给管的出口与一有机溶剂吸附柱连接，有机溶剂吸附柱的出口通过管路连接MO源钢瓶，所述固体MO源储存罐中储存有固体MO源，所述液体MO源储存罐中储存有溶解于有机溶剂的MO源，固体MO源储存罐为液体MO源储存罐补充MO源，有机溶剂吸附柱中设有用于吸附有机溶剂的填充物。
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- 本发明涉及一种用于将至少一种先驱物输送至涂层设备的多个涂层模块的方法和一种相应的涂层设备、特别是等离子体涂层设备。本发明的目的在于，提出一种用于涂层的方法和用于涂层的简单的设备，通过该方法或该设备可以以相同的先驱物液位连续地向多个涂层模块提供先驱物并且确保连续的涂层操作运行，该目的通过根据权利要求1的方法得以实现。
- 固体金属有机化合物的封装容器-201710416936.6
- 沈斌;吕宝源 - 江苏南大光电材料股份有限公司
- 2017-06-06 - 2018-12-14 - C23C16/448
- 本发明揭露一种固体金属有机化合物的封装容器。封装容器包含一瓶体，用于容纳固体金属有机化合物。瓶体内具有分隔部，将瓶体内分隔为第一空间及第二空间。分隔部中具有连接第一空间与第二空间的气体通路。其中，进气管连接一载气源，且设置于瓶体上，由第一空间的顶侧连通至第一空间；出气管连接一金属有机化学气相沉积设备，且设置于瓶体上，并穿过第二空间的邻近第一空间的底侧连通第一空间。本发明通过上述结构配置，可在提高稳定蒸气气压的同时，提高固体金属有机化合物的使用效率，并减少固体金属有机化合物剩余的浪费。
- 固体金属有机化合物串联式温差使用系统-201820837597.9
- 蔡岩馨;沈斌;江伟;朱熠 - 江苏南大光电材料股份有限公司
- 2018-05-31 - 2018-12-07 - C23C16/448
- 本实用新型涉及固体金属有机化合物串联式温差使用系统，包含第一瓶体，具有第一进气管路和第一出气管路，第一出气管路连接金属有机化学气相沉积设备；第二瓶体，具有第二进气管路和第二出气管路；三通阀，具有第一连接端、第二连接端和第三连接端，第一连接端连接金属有机化学气相沉积设备，第二连接端连接第二瓶体的第二进气管路，第三连接端连接第一瓶体的第一进气管路以及第二瓶体的第二出气管路。三通阀选择性地使第一瓶体或第一瓶体及第二瓶体中固体金属有机化合物的蒸气随载气流入金属有机化学气相沉积的制程中，提高大型设备固体MO源消耗率；形成串联式温差系统，第二瓶体可配置为大容积瓶体，降低制造MO源时的包装成本。
- 多托盘压载抽蒸气系统-201410680419.6
- 拉梅什·钱德拉赛卡兰;戴维斯·威尔曼 - 朗姆研究公司
- 2014-11-24 - 2018-11-02 - C23C16/448
- 本发明涉及多托盘压载抽蒸气系统。具体而言，一种用于供应汽化前体的系统包括外壳，该外壳包括输出端。多个托盘以堆叠的间隔配置被设置在所述外壳内侧。所述多个托盘被配置成容纳液态前体。第一导管使载气供应源流体地连接至所述外壳并且包括多个开口。第一阀门被沿着所述第一导管设置并且被配置成选择性地控制从所述载气供应源通过所述第一导管输送所述载气到所述第一导管的多个开口。所述多个开口被配置成分别引导所述载气经过所述多个托盘中的液态前体。所述外壳的所述输出端提供所述载气与所述汽化前体的混合物。
- 一种垂直式HVPE生长设备用温场装置-201610598446.8
- 赵红军;刘鹏;李锐;杨钧杰;张国义 - 东莞市中镓半导体科技有限公司
- 2016-07-27 - 2018-10-23 - C23C16/448
- 一种垂直式HVPE生长设备用温场装置，包括反应器和加热器，该反应器下部套装在加热器内，加热器内设置有升降杆，该升降杆顶端安装有衬底支撑盘，升降杆上活动套装有隔热层，隔热层与衬底支撑盘之间设置有伸缩式连接器，该伸缩式连接器上端与升降杆上部连接，下端与隔热层连接，该隔热层由至少两层隔热层间隔设置构成，该升降杆升降运动的同时还能转动。本发明中，利用升降杆和伸缩式连接器，实现伸缩连接器与升降杆在加热器内所占的高度空间最小，减低设备制造高度，节约了成本，利用隔热层具有的多层隔热层结构，将隔热层区域的温场分为多个温度梯度带，增大恒温区范围，减少温区内部热量的散失，恒温区温场更加稳定。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
