[发明专利]一种基于双检波放大原理的GMI传感器在审
| 申请号： | 201910057577.9 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109655769A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 徐明;韩长林;周宗潭;唐景昇;卢惠民 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双检波放大原理的GMI传感器，其包括：GMI探头信号输入通道，用来作为GMI探头信号输入的信号通道；参考信号输入通道，用来作为参考信号输入的参考通道；其中，参考信号分作两路，一路直接输出，另一路经过一个90度的移相器之后再输出，两路信号分别输出至双路正交相敏检测单元；双路正交相敏检测单元，包括两个相敏检测单元；直流放大器，对经双路正交相敏检测单元处理之后的信号进行放大后输出至平方和运算单元；平方和运算单元，通过将两路正交的相敏检测的输出做平方和运算后最终输出。本发明具有性能稳定、降低噪声影响、提供可靠数据等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 平方和运算 正交相 检测 双路 探头信号 放大 传感器 检波 两路 参考信号输入通道 直流放大器 参考通道 单元处理 降低噪声 可靠数据 两路信号 输入通道 信号通道 移相器 正交的 | ||
【主权项】：
1.一种基于双检波放大原理的GMI传感器，其特征在于，包括：GMI探头信号输入通道，用来作为GMI探头信号输入的信号通道；参考信号输入通道，用来作为参考信号输入的参考通道；其中，参考信号分作两路，一路直接输出，另一路经过一个90度的移相器之后再输出，两路信号分别输出至双路正交相敏检测单元；双路正交相敏检测单元，包括两个相敏检测单元，一个相敏检测单元用来对经GMI探头信号输入通道输出的GMI探头信号和参考信号输入通道直接输出的与被测信号相干的控制信号进行相乘处理，再经过低通滤波器输出；另一个相敏检测单元用来对经GMI探头信号输入通道输出的GMI探头信号和参考信号输入通道经移相器之后输出与被测信号相干的控制信号进行相乘处理，再经过低通滤波器输出；直流放大器，对经双路正交相敏检测单元处理之后的信号进行放大后输出至平方和运算单元；平方和运算单元，通过将两路正交的相敏检测的输出做平方和运算后最终输出。
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- 一种基于物联网的电磁测量装置-201820559273.3
- 纪辛然;杨潞霞;田力雄;卢炯耀;周任军 - 山西大学商务学院
- 2018-04-19 - 2018-10-19 - G01R33/06
- 一种基于物联网的电磁测量装置，包括探测装置(1)和基座(2)，探测装置(1)包括凹部(1‑1)，多个电磁探测传感器(1‑2)，散热片(1‑5)，电极(1‑3)；基座(2)包括安装孔(2‑2)，缺口，凹槽(2‑4)，凹部，该装置结构简单，便于安装，可以保证测量精确和装置的使用寿命长，并且可以降低成本。
- 双柱式用于铁磁探测的装置-201820194283.1
- 董京涛;宋如明 - 南京云磁电子科技有限公司
- 2018-02-05 - 2018-09-14 - G01R33/06
- 本实用新型公开了双柱式用于铁磁探测的装置，包括A柱和B柱，还包括用于检测门开、关状态检测的第一红外传感器和用于检测闯入信号的第二红外传感器，第一、第二红外传感器均与A柱的DSP数字信号处理单元连接，A柱与B柱的DSP数字信号处理单元双向信号连接。本实用新型通过设置于磁共振室通道入口的铁磁探测装置，铁磁探测装置连接有用于检测门开、关状态检测的第一红外传感器和用于检测闯入信号的第二红外传感器，在检测范围内，接近本系统的人身上携带有含铁磁的物体，引起磁场变化，红灯警报状态，若触碰到进门的红外探测线，将引起声音警报，可以有效预防无意中携带铁磁性物体的人员即将进入磁共振室。
- 磁场检测传感器-201711242210.1
- 谷川纯也;杉山洋贵;石居真;庄田隆博 - 矢崎总业株式会社
- 2017-11-30 - 2018-06-12 - G01R33/06
- 一种磁场检测传感器，包括：第一磁阻抗元件和第二磁阻抗元件，其分别具有磁性材料；偏置线圈，该偏置线圈将偏置磁场施加到第一磁阻抗元件的磁体；高频振荡电路，该高频振荡电路将高频电流供给至第一磁阻抗元件和第二磁阻抗元件的磁体；交流偏置电路，该交流偏置电路将交流偏置电流供给至偏置线圈；第一检测电路，基于第一磁阻抗元件在被施加偏置磁场和外部磁场的状态下的阻抗变化，该第一检测电路生成第一检测信号；以及第二检测电路，基于第二磁阻抗元件在被施加外部磁场且不被施加偏置磁场的状态下的阻抗变化，该第二检测电路生成第二检测信号。
- 一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法-201710825386.3
- 李建华;陈佳文;徐立新;李夷渊;陈玉龙 - 北京理工大学
- 2017-09-14 - 2018-02-27 - G01R33/06
- 本发明涉及一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法，属于磁传感器领域。采用MEMS技术将非晶丝与微结构线圈集成，加工步骤为(1)在Si衬底上溅射一层Cr/Cu种子层；(2)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成底层导线；(3)去胶；(4)将非晶丝固定到Cr/Cu种子层上；(5)在非晶丝两端电镀Cu；(6)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成微电感柱子；(7)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成顶层导线；(11)去上层光刻胶，刻蚀种子层。(12)去下层光刻胶，刻蚀种子层。本发明克服了传统工艺制造的非晶丝GMI磁传感器体积大、阻抗一致性差的缺点，实现了以非晶丝为敏感元件的GMI磁传感器的微型化。
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