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[发明专利]磁性传感器装置-CN202310352010.0在审
发明人： W·拉贝格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种磁性传感器装置(200)，包括：展开一个平面的基板(202)，多个在基板(202)上布置且串联的TMR磁阻元件(100)，其中TMR磁阻元件(100)中的每一个均具有至少一个磁性隧道接触部，并且其中TMR磁阻元件(100)中的每一个均具有相同的参考磁化(206)。串联的TMR磁阻元件(100)在基板(200)上被布置和互连，使得沿着通过串联的TMR磁阻元件(100)的电流路径存在电流流动方向(204)在与参考磁化(206)相对的平面中改变至少一次。
磁性传感器装置

[发明专利]磁场传感器-CN201810454238.X有效
发明人：李大来;蒋乐跃;刘海东 -专利权人：美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条；至少一个设置‑重置导线组，所述设置‑重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方，所述设置‑重置导线组包括沿对应的所述磁电阻条的纵长延伸方向平行排布的多根导线，且靠近对应的所述磁电阻条边缘区域的所述导线的宽度小于靠近对应的磁电阻条的中间区域的所述导线的宽度。与现有技术相比，本发明的磁场传感器，其设置‑重置线圈在通入电流后，可以在磁电阻条边缘区域产生强度很大的磁场，在磁电阻条中间区域产生强度适中的磁场，从而有效地设置‑重置磁电阻条的磁矩。
磁场传感器

[发明专利]改善的TAS传感器-CN201811538666.7有效
发明人： M.阿密特;E.基迪施曼 -专利权人：韦伯斯特生物官能（以色列）有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对用作三轴传感器(TAS)的改善的磁性传感器的系统和方法。TAS提供最佳传感器，是同心的并且三个线圈是相同的，其中产生更高的灵敏度，多个层。更具体地，传感器由多个印刷电路板(PCB)层制成。多个PCB层根据各种几何形状堆叠，以形成增强位置感知的传感器。同心传感器能以立方体、堆叠正方形或尺寸减小的堆叠正方形的形式布置以形成锥体结构。
改善 tas 传感器

[发明专利]无线充电电磁场三维磁测量方法及装置-CN201810266939.0有效
发明人：张献;高妍;杨庆新;王朝晖;孟浩;魏斌;王松岑;辛建波;范瑞祥;王文彬;李琼 -专利权人：天津工业大学;中国电力科学研究院有限公司;国网江西省电力有限公司电力科学研究院;国家电网公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种无线充电电磁场三维磁测量方法及装置，使用磁场测量传感器测得电磁场待测点的x、y、z轴方向各自的最大磁感应强度；使此三个数据取平方和后开平方得到该点的最大磁感应强度；然后测量电磁场其他位置的最大磁感应强度。所述磁场测量传感器的探头内设置感应线圈，包括三个线圈，分别垂直同一坐标系的x、y、z轴方向，并以该坐标系的原点为中心，彼此正交。本发明可实现各位置处不同方向的磁场强度测量，从而准确测量出电磁环境空间中按各个方向的磁场强度，实现通过测量发射端与接收端的电磁场分布空间的最大磁场值，判断无线充电系统是否符合电磁安全标准及空间电磁安全防护，也可适用于各种无线充电环境的电磁测量。
无线充电电磁场三维测量方法装置

[发明专利]一种基于层合磁电结构的可调灵敏度磁场强度传感器及调节方法-CN202310468940.2在审
发明人：张永飞;贾宇煊 -专利权人：长安大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于层合磁电结构的可调灵敏度磁场强度传感器及调节方法，其中，结构包括安装在U型铁轭中间的圆形层合磁电结构，层合磁电结构层间安装薄膜电极，电极引出线路依次首尾相连构成串联电路，正负极外端预留电压测试接口；U型铁轭端部与磁电结构连接处设置碟簧，底部缠绕直流螺线管，流螺线管外接稳压直流电源。通过测量过程中螺线管电流的变化来调控磁电结构磁性相磁致伸缩材料偏置条件，实现传感器测量灵敏度的实时调控。本发明解决了在磁场强度测量过程中，磁场传感器基于霍尔效应以预设灵敏度进行测量，测量灵敏度的实时调控较难实现的问题。
一种基于磁电结构可调灵敏度磁场强度传感器调节方法

[发明专利]一种用于研究电磁场对鱼类影响的装置及其应用-CN201710128362.2有效
发明人：贾玉东;姜靖;黄滨 -专利权人：中国水产科学研究院黄海水产研究所;中国人民解放军第四零一医院
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于研究电磁场对鱼类影响的装置及其应用，该装置包括线圈内径模、线圈、接线端子、固定螺旋、圆柱形水槽、支撑杆、变频电源：线圈内径模位于圆柱形水槽的外部、上部，支撑杆支撑线圈内径模，支撑杆下端与圆柱形水槽的下端位于同一水平线上；线圈位于圆柱形水槽的外部、线圈内径模的内部，且由线圈内径模内壁上的固定螺旋调节高度；线圈的两个末端即为接线端子，接线端子与变频电源相连。本发明装置结构简单、体积小、便携，可用来开展磁场对鱼类卵子孵化、仔幼鱼早期发育影响研究，为海上风电项目生态项目评价提供基础性理论依据。
一种用于研究电磁场鱼类影响装置及其应用

[发明专利]一种MEMS三轴矢量磁力仪及矢量磁场强度测量方法-CN202210061414.X在审
发明人：宋萧萧;王苑;刘骅锋;赵纯;涂良成;周泽兵 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明属于磁传感器领域，并具体公开了一种MEMS三轴矢量磁力仪及矢量磁场强度测量方法；该种磁力仪由三个或六个两两正交的MEMS磁传感单元构成，MEMS磁传感单元通过绝缘且不导磁的材料制成的框架固定并相互隔开；每个MEMS磁传感单元包括双端固定音叉谐振器和两个洛伦兹力发生器，洛伦兹力发生器由能够导电的材料制成，对称地布置于双端固定音叉谐振器两端的外侧，并分别与双端固定音叉谐振器的两端相连；该磁力仪通过两两正交的三个或六个MEMS磁传感单元对矢量磁场三个矢量方向的分量磁场进行检测，实现对外部矢量磁场的感测；同时，通过使每两个相互平行的MEMS磁传感单元采用差分的方式对矢量磁场的分量进行感测，能够进一步提高感测灵敏度和共模抑制能力。
一种 mems 矢量磁力磁场强度测量方法

[发明专利]一种基于磁电效应的磁梯度计-CN201911157642.1有效
发明人：郁国良;邱阳;周浩淼;朱明敏;杨浛 -专利权人：中国计量大学上虞高等研究院有限公司;中国计量大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁电效应的磁梯度计，包括读取单元及若干串联的多铁性磁传感器，所述读取单元输入端连接多铁性磁传感器，读取单元的输出端作为信号读取端，其中每个多铁性磁传感器之间的相对摆放方向一致。本发明利用多铁性磁传感器接收到磁场后会产生电势差的原理，利用串联的方式可以实现电势差的叠加或抵消，如以抵消的方式串联，将多铁性磁传感器放置在不同磁场环境中，则可以测量出不同磁场的强度差。本发明的实质性效果包括：通过特定结构及连接方式实现直接测量磁场强度差值，不再依赖额外的计算，测量简单快捷。
一种基于磁电效应梯度

[发明专利]基于磁热力多场耦合的多磁浮制式测量装置及其测量方法-CN202210564570.8有效
发明人：邓自刚;雷武阳;冯毅诚;司马寅;郑珺 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明提供了基于磁热力多场耦合的多磁浮制式测量装置及其测量方法，涉及磁悬浮制动装置技术领域。本申请中，电机启动后第一行走机构工作使得第一滑块向下运动，并带动悬浮体向磁场发生装置靠近，悬浮体产生感应电流，进而使得悬浮体获得悬浮力，并通过所述悬浮体上设置的所述三维霍尔传感器、所述热传感器和所述三轴力传感器分别采集磁场矢量数据、温度数据和力学数据，将同一时刻下采集的磁场矢量数据、温度数据、导向力、悬浮力和磁阻力的数据进行耦合处理，得到悬浮体的基于磁、热、力多场耦合测试数据，不仅能减少因不同采集设备时间差而导致的实验误差，还能提高数据的可靠性与实验的便捷性。
基于热力耦合多磁浮制式测量装置及其测量方法

[发明专利]一种高精度、闭环式梯度磁阻传感器-CN201810206306.0有效
发明人：钱正洪;白茹;胡先意;朱华辰;孙宇澄 -专利权人：武汉嘉晨电子技术有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度、闭环式梯度磁阻传感器。本发明包括八个磁敏电阻，每两个磁敏电阻为一对，每对中两个磁敏电阻距离被测磁源的距离相同，四对磁敏电阻与被测磁源距离均不同。距离被测磁源距离近的两对磁敏电阻能检测到被测磁源磁场，距离被测磁源距离远的两对磁敏电阻不受被测磁源磁场干扰。两对能检测到被测磁源磁场的电阻分别与一对不受被测磁源磁场干扰连成一组惠斯通电桥电路；两组惠斯通电桥电路分别接两组反馈电路。本发明采用两组惠斯通电桥电路和两组分别独立的反馈电路，不仅可以测量磁场梯度，还可以测量磁场强度。且灵敏度高、线性好、温度范围宽，抗外界磁场的干扰，测量精度高。
一种高精度闭环梯度磁阻传感器

[发明专利]一种有源差分磁场探头装置-CN202310411210.9在审
发明人：李晓春;刘宇勖;毛军发 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种有源差分磁场探头装置，涉及差分磁场探头领域；上导体层刻蚀第一和第二渐变锥形开口；内导体层包括第一和第二感应环、第一和第二线性渐变型导体及差分放大器；第一感应环的感应面积与第二感应环的感应面积存在重叠；第一感应环通过第一线性渐变型导体与差分放大器连接；第一感应环用于感应外界磁场产生第一电磁信号；第二感应环通过第二线性渐变型导体与差分放大器连接；第二感应环用于感应外界磁场产生第二电磁信号；差分放大器用于对差分电压信号进行放大处理，得到放大的差分电压信号；差分电压信号根据第一电磁信号和第二电磁信号作差得到。本发明可以同时实现高空间分辨率和高灵敏度。
一种有源磁场探头装置

[发明专利]电磁感应式与洛伦兹力式复合的微型磁传感器及制备方法-CN202310202938.0在审
发明人：梁亨茂;张俊明;胡振业;于俊伟 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种电磁感应式与洛伦兹力式复合的微型磁传感器及制备方法，该传感器包括高频谐振组件、低频谐振组件和两组件间的耦合梁；高频谐振组件包括驱动电极、高频谐振结构、高频谐振结构侧第一绝缘层、洛伦兹力驱动线圈、高频谐振结构侧第二绝缘层、金属屏蔽层、高频谐振结构侧第三绝缘层、电磁感应线圈；所述低频谐振组件包括感应电极、低频谐振结构、低频谐振结构侧绝缘层和金属线圈。本发明通过在內共振耦合结构上建立静电驱动‑电磁感应及洛伦兹力驱动‑静电敏感的复合磁敏架构，以两类磁敏输出信号的叠加提升磁感性能；同时利用內共振的低频谐振振幅放大效应实现低频谐振结构平板电容作为磁感信号输出，降低洛伦兹力式磁敏元件功耗。
电磁感应洛伦兹力式复合微型传感器制备方法

[发明专利]一种内共振耦合的电磁感应式微机械磁传感器及制备方法-CN202310202922.X在审
发明人：梁亨茂;于俊伟;张俊明;胡振业 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种内共振耦合的电磁感应式微机械磁传感器及制备方法，该电磁感应式微机械磁传感器包括第一谐振结构、第二谐振结构以及两谐振结构间的耦合梁；本发明通过耦合梁将谐振频率为整数比的两个谐振结构连接形成一个内共振耦合谐振系统，该系统能够在某一谐振结构达到谐振非线性后将过载的非线性能量通过内共振原理传递给另一谐振结构并使之谐振，从而通过两个谐振结构的电磁感应式磁感信号输出的叠合提高磁传感器性能，突破传统单一谐振结构型电磁感应式磁传感器难以通过静电驱动力的过载增加提高器件性能的局限性。
一种共振耦合电磁感应式微机械传感器制备方法

[发明专利]一种磁通门探头-CN202310262698.3在审
发明人：袁恺鑫;杜爱民;赵琳;张莹;冯晓;孙树全;李智 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明涉及测量磁变量技术领域，尤其为一种磁通门探头，基于柔性印刷电路基底，在该柔性印刷电路基底上包括四个信号层，从底层到顶层分别为：布线层，布设了用于提供激励信号的走线；磁芯安装和线圈下层，位于所述布线层上，用于焊接磁芯层；线圈上层，位于所述磁芯层上方，用于和磁芯安装和线圈下层回路闭合，形成感应线圈。本发明，相比于已有的磁通门探头设计，本发明所描述的探头结构基于FPC，具有扁平、易集成、柔性可弯曲的特点。可以适应柔性、可穿戴设备对于空间紧凑集成的需求，且探头可以扩展磁通门的应用领域。
一种磁通门探头

[发明专利]一种复合磁场传感器及其制作工艺-CN201710295965.1有效
发明人：赵晓锋;邓祁;艾春鹏;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合磁场传感器及其制作工艺，其中，所述复合磁场传感器包括磁敏三极管和复合在磁敏三极管上的遂穿磁敏电阻(TMR)；其中，所述磁敏三极管的集电区设置于发射区的上方，所述基区设置于发射区和集电区的一侧，且所述基区制作在硅腐蚀坑内，提高了基区载流子注入能力，进而提高磁敏三极管的磁敏特性；本发明所述制作工艺将微电子机械加工技术(MEMS)、双极型工艺和纳米薄膜制备技术相结合，得到所述复合磁场传感器。本发明所述复合磁场传感器将磁敏三极管与遂穿磁敏电阻进行有效结合，兼具磁敏三极管的较强磁场检测性能以及遂穿磁敏电阻的弱磁场检测性能，实现了对磁场的宽量程检测。
一种复合磁场传感器及其制作工艺

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