[发明专利]一种PERC电池背面抛光工艺有效
| 申请号： | 201910050991.7 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109887841B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王飞;黄海涛;侯如钟 | 申请（专利权）人： | 苏州爱康光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 32261 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种PERC背面抛光工艺，涉及太阳电池生产技术领域。本申请包括以下步骤：正面镀膜：在硅片正面沉积一层SiNx膜；酸洗绕镀：将硅片浸泡在HF溶液中，将背面反镀的SiNx清洗掉；背面抛光：将硅片背面与碱溶液接触，碱溶液为NaOH或KOH溶液，碱溶液的浓度为15％‑35％，碱溶液的温度为70℃‑90℃，硅片与碱溶液的接触时长为200秒‑300秒。本申请通过控制碱溶液的温度、硅片与碱溶液的接触时长，大大提高了PERC电池效率，使得碱抛后的电池效率达到21.75％以上。此外，本申请的工艺容错率高，适合量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 perc 电池 背面 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种PERC背面抛光工艺，其中，包括以下步骤：正面镀膜：在硅片正面沉积一层SiNx膜；酸洗绕镀：将所述硅片浸泡在HF溶液中，将背面反镀的SiNx清洗掉；背面抛光：将所述硅片背面与碱溶液接触，所述碱溶液为NaOH或KOH溶液，所述碱溶液的浓度为15％‑35％，所述碱溶液的温度为70℃‑90℃，所述硅片与碱溶液的接触时长为200秒‑300秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
