[发明专利]一种高效检测PERC铝浆腐蚀性的方法有效
申请号: | 202010274167.2 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN111463142B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 杨永峰;石强;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 金华智芽专利代理事务所(普通合伙) 33307 | 代理人: | 陈迪 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明及一种高效检测PERC铝浆腐蚀性的方法,首先准备PERC蓝膜片,PERC蓝膜片的背面设有钝化层,其特征在于:利用激光烧灼PERC蓝膜片上的钝化层,烧灼后形成点状或线状的光斑,光斑处的钝化层被烧毁,然后利用二维显微镜测量光斑的宽度D;然后将待检测的PERC铝浆印刷在被激光烧灼后的钝化层上,经过烧结工序后PERC铝浆形成铝背层,在烧结工序中,PERC铝浆会逐渐腐蚀光斑附近的钝化层,钝化层受腐蚀后失效,失去钝化层的保护,PERC蓝膜片上的硅就会与铝浆发生化学反应,然后刮除铝背层,PERC铝浆与PERC蓝膜片背面外露的硅形成铝硅合金,用3D显微镜量测得铝硅合金宽度W,W/D的值即代表PERC铝浆的扩展率,扩展率可间接表示PERC铝浆的腐蚀性强度。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 检测 perc 腐蚀性 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司,未经浙江爱旭太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010274167.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:工作流流程跟踪方法
- 下一篇:一种装配式楼梯后注浆螺栓孔保护工具及使用方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造