[发明专利]磁阻随机存取存储单元有效
| 申请号： | 201910030820.8 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111435702B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;曾译苇;王明俊;翁宸毅;谢晋阳;张境尹;王裕平;林建廷;刘盈成;施易安;李怡慧;曾奕铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/01;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁阻随机存取存储单元，其包含：一基底，其上具有一介电层；一导孔，设于该介电层中；一柱状堆叠，设于该导孔上，该柱状堆叠包含一底电极、一磁隧穿结层，设于该底电极上，以及一顶电极，设于该磁隧穿结层上；以及一间隙壁层，设于该柱状堆叠的侧壁上，其中该顶电极凸出于该间隙壁的一顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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