[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201910015670.3 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN110556375A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吴仲强;李威缙;邱诗航;李家庆;曹学文;蔡承晏;洪正隆;李达元;苏庆煌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，具有可调整临界电压的栅极结构。半导体装置结构的各种几何形状可以改变以调整临界电压。在一些示例中，可以改变从鳍片的顶部至栅极结构的顶部的距离以调整临界电压。在一些示例中，可以改变从栅极结构的最外侧壁至相应最外侧壁的最近的鳍片的相应最近的侧壁的距离(相应的栅极结构覆盖最近的鳍片)，以调整临界电压。 | ||
| 搜索关键词： | 临界电压 栅极结构 鳍片 外侧壁 半导体装置结构 半导体结构 可调整 侧壁 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n一第一鳍片，在一基板上；/n一第二鳍片，在上述基板上；/n一第一栅极结构，在上述第一鳍片上，从上述第一鳍片的顶部至上述第一栅极结构的顶部具有一第一距离；以及/n一第二栅极结构，在上述第二鳍片上，从上述第二鳍片的顶部至上述第二栅极结构的顶部具有一第二距离，上述第一距离大于上述第二距离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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