[发明专利]使用变形膜的转印方法在审
| 申请号： | 201880083154.8 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111819660A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 崔在爀;金昌完;申澯秀;朴炯昊;金信槿 | 申请（专利权）人： | 艾尔芯思科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B41M1/30;B44C1/16;B41M3/12;H01L27/15;H01L21/306;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道水原市灵通区光教路109,6层*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于将对象转印到目标基板的转印方法，尤其涉及一种使用变形膜的转印方法，其特征在于，包括：第一步骤，在源基板上形成对象；第二步骤，将变形膜安置在形成有对象的源基板上；第三步骤，将对象嵌入变形膜内部；第四步骤，在源基板中分离将待转印的对象以将转印对象集成在变形膜的内部或表面，并从源基板分离集成有转印对象的变形膜；以及第五步骤，将集成在变形膜的转印对象转移至目标基板。其优点在于，通过将对象集成在变形膜内部并转移至目标基板，可以将由单一或不同形状和不同材料制成且具有不同功能的各种尺寸的对象以大量阵列形式或单个对象形式转印至目标基板。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 变形 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
