[发明专利]具有竖直浮栅的NOR存储器单元有效

专利信息
申请号: 201880058770.8 申请日: 2018-09-07
公开(公告)号: CN111149189B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 叶炳辉 申请(专利权)人: 绿芯存储科技(厦门)有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/788;H10B41/30
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 361006 福建省厦门市火*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 电可擦除可编程非易失性存储器单元包括:半导体衬底,其具有第一衬底区域以及在横向方向上与第一衬底区域分开的沟槽区域;沟道区域,其位于第一衬底区域和沟槽区域的底部部分之间;导电控制栅,其与第一沟道部分绝缘并设置在第一沟道部分之上;导电浮栅,其与沟槽区域的底部部分和侧壁部分绝缘;绝缘区域,其在控制栅和第二浮栅部分之间设置在第二沟道部分之上;导电源极线,其与浮栅绝缘并电连接到衬底的沟槽区域;以及导电擦除栅,其与浮栅的末端绝缘并设置在浮栅的末端之上。
搜索关键词: 具有 竖直 nor 存储器 单元
【主权项】:
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