[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201880036392.3 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110692125B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 松木园广志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式的有源矩阵基板具备：基板；多个第1TFT，其支撑于基板，设置在非显示区域；以及周边电路，其包含多个第1TFT。各第1TFT具有：第1栅极电极，其设置在基板上；第1栅极绝缘层，其覆盖第1栅极电极；第1氧化物半导体层，其隔着第1栅极绝缘层与第1栅极电极相对；以及第1源极电极和第1漏极电极，其连接到第1氧化物半导体层的源极接触区域和漏极接触区域。各第1TFT具有底部接触结构。第1栅极绝缘层的与沟道区域重叠的第1区域的厚度比第1栅极绝缘层的与源极接触区域和漏极接触区域重叠的第2区域的厚度小。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵基板，/n具有：显示区域，其包含多个像素；以及非显示区域，其位于上述显示区域的周边，/n具备：/n基板；/n多个第1TFT，其支撑于上述基板，设置在上述非显示区域；以及/n周边电路，其包含上述多个第1TFT，/n上述多个第1TFT各自具有：/n第1栅极电极，其设置在上述基板上；/n第1栅极绝缘层，其覆盖上述第1栅极电极；/n第1氧化物半导体层，其隔着上述第1栅极绝缘层与上述第1栅极电极相对，包含沟道区域、以及位于上述沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；/n第1源极电极，其连接到上述第1氧化物半导体层的上述源极接触区域；以及/n第1漏极电极，其连接到上述第1氧化物半导体层的上述漏极接触区域，/n上述有源矩阵基板的特征在于，/n上述多个第1TFT各自具有上述第1源极电极及上述第1漏极电极与上述第1氧化物半导体层的下表面接触的底部接触结构，/n上述第1栅极绝缘层的与上述沟道区域重叠的第1区域的厚度比上述第1栅极绝缘层的与上述源极接触区域和上述漏极接触区域重叠的第2区域的厚度小。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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