[发明专利]由远程氮自由基源实现的高沉积速率高质量氮化硅在审

专利信息
申请号: 201880024110.8 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN110494950A 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: J·F·奥布充;N·南塔瓦拉努;Y·杨;T·恩古耶;K·嘉纳基拉曼;S·巴录佳 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 31100 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 侯颖媖;张鑫<国际申请>=PCT/US2
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开的实现方式涉及一种处理系统。在一个实现方式中,所述处理系统包括:盖;气体分配板,所述气体分配板设置在所述盖下方,所述气体分配板具有跨所述气体分配板的直径布置的通孔;基座,所述基座设置在所述气体分配板下方,所述基座和所述气体分配板在所述基座和所述气体分配板之间限定了等离子体激发区域;第一RPS单元,所述第一RPS单元具有耦接到设置在所述盖处的第一气体入口的第一气体出口,所述第一气体出口与所述等离子体激发区域流体连通;以及第二RPS单元,所述第二RPS单元具有耦接到设置在所述盖处的第二气体入口的第二气体出口,其中所述第二气体出口与所述等离子体激发区域流体连通,并且所述第二RPS单元具有设置在所述第二气体出口与所述第二气体入口之间的离子过滤器。
搜索关键词: 气体分配板 气体出口 等离子体激发区域 气体入口 处理系统 流体连通 离子过滤器 通孔
【主权项】:
1.一种基板处理系统,包括:/n等离子体源单元,所述等离子体源单元包括:/n盖;/n气体分配板,所述气体分配板设置在所述盖下方,所述气体分配板具有多个通孔,所述多个通孔跨所述气体分配板的直径布置;以及/n基座,所述基座设置在所述气体分配板下方,其中所述基座和所述气体分配板在所述基座与所述气体分配板之间限定了等离子体激发区域;/n第一远程等离子体源(RPS)单元,所述第一远程等离子体(RPS)单元具有第一气体出口,所述第一气体出口耦接到设置在所述盖处的第一气体入口,其中所述第一气体出口与所述等离子体激发区域流体连通;以及/n第二RPS单元,所述第二RPS单元具有第二气体出口,所述第二气体出口耦接到设置在所述盖处的第二气体入口,其中所述第二气体出口与所述等离子体激发区域流体连通,并且所述第二RPS单元具有设置在所述盖的所述第二气体出口与所述第二气体入口之间的离子过滤器。/n
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