[发明专利]拾取装置以及拾取方法有效
| 申请号： | 201880021520.7 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110476238B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 松野康之;中村智宣;高山晋;尾又洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/52;H01L21/683;H05F3/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张晓霞;臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村山市伊奈平二丁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种可更适当地拾取半导体晶片的拾取装置以及拾取方法。拾取贴附于片材(110)的表面的半导体芯片(100)的拾取装置(10)包括：载台(12)，一部分或全部包含能够供具有电离作用的去静电用电磁波透过的材料，且吸附保持所述片材(110)的背面；顶起销(26)，使所述半导体芯片(100)自所述载台(12)的背面侧顶起；以及去静电机构(20)，使所述去静电用电磁波自所述载台(12)的背面侧透过所述片材(110)而照射至所述半导体芯片(100)的背面，将所述半导体芯片(100)与所述片材(110)之间产生的电荷去静电。 | ||
| 搜索关键词： | 拾取 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种拾取装置，拾取贴附于片材的表面的半导体芯片，所述拾取装置的特征在于包括：/n载台，一部分或全部包含能够供具有电离作用的去静电用电磁波透过的材料，且吸附保持所述片材的背面；/n顶起销，使所述半导体芯片自所述载台的背面侧顶起；以及/n去静电机构，使所述去静电用电磁波自所述载台的背面侧透过所述片材而照射至所述半导体芯片的背面，将所述半导体芯片与所述片材之间产生的电荷去静电。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
