[发明专利]固态成像元件、电子设备和制造方法在审

专利信息
申请号: 201880018750.8 申请日: 2018-03-16
公开(公告)号: CN110431667A 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 福冈慎平;富樫秀晃 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 王新春;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本公开涉及能够进一步减少元件布局面积的固态成像元件、电子设备和制造方法。根据本发明,设置在半导体基板的第一面上的光电转换元件通过贯通电极连接到设置在所述半导体基板的第二面上的浮动扩散部和放大晶体管的栅极,所述贯通电极设置在所述半导体基板的所述第一面和所述第二面之间并连接到所述光电转换元件。对于这种像素结构,电介质层设置在所述第二面上的所述贯通电极之间,并且当从所述第二面侧观看时,屏蔽电极设置在电介质层的内侧。所述电介质层形成为比布置在所述第二面侧的所述晶体管的栅极绝缘膜厚。例如,本公开适用于堆叠背面照射型固态成像元件。
搜索关键词: 固态成像元件 半导体基板 电介质层 贯通电极 第二面 光电转换元件 电子设备 背面照射型 放大晶体管 浮动扩散部 栅极绝缘膜 屏蔽电极 像素结构 元件布局 晶体管 堆叠 制造 观看
【主权项】:
1.一种固态成像元件,其包括:光电转换元件,其设置在半导体基板的第一面侧;贯通电极,所述贯通电极连接到所述光电转换元件并设置在所述半导体基板的所述第一面与其第二面之间,所述第二面是与所述第一面不同的面;晶体管和浮动扩散部,其设置在所述第二面中并通过所述贯通电极连接到光电转换元件;和电介质层,其在所述第二面中形成在所述贯通电极之间,所述电介质层比所述晶体管的栅极绝缘膜厚。
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