[发明专利]固态成像元件、电子设备和制造方法在审
申请号: | 201880018750.8 | 申请日: | 2018-03-16 |
公开(公告)号: | CN110431667A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 福冈慎平;富樫秀晃 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及能够进一步减少元件布局面积的固态成像元件、电子设备和制造方法。根据本发明,设置在半导体基板的第一面上的光电转换元件通过贯通电极连接到设置在所述半导体基板的第二面上的浮动扩散部和放大晶体管的栅极,所述贯通电极设置在所述半导体基板的所述第一面和所述第二面之间并连接到所述光电转换元件。对于这种像素结构,电介质层设置在所述第二面上的所述贯通电极之间,并且当从所述第二面侧观看时,屏蔽电极设置在电介质层的内侧。所述电介质层形成为比布置在所述第二面侧的所述晶体管的栅极绝缘膜厚。例如,本公开适用于堆叠背面照射型固态成像元件。 | ||
搜索关键词: | 固态成像元件 半导体基板 电介质层 贯通电极 第二面 光电转换元件 电子设备 背面照射型 放大晶体管 浮动扩散部 栅极绝缘膜 屏蔽电极 像素结构 元件布局 晶体管 堆叠 制造 观看 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像元件,其包括:光电转换元件,其设置在半导体基板的第一面侧;贯通电极,所述贯通电极连接到所述光电转换元件并设置在所述半导体基板的所述第一面与其第二面之间,所述第二面是与所述第一面不同的面;晶体管和浮动扩散部,其设置在所述第二面中并通过所述贯通电极连接到光电转换元件;和电介质层,其在所述第二面中形成在所述贯通电极之间,所述电介质层比所述晶体管的栅极绝缘膜厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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