[实用新型]记忆体装置有效
申请号: | 201822188348.4 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209103824U | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 吴瑞仁;简汎宇;黄圣财;郑君华 | 申请(专利权)人: | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;铨芯科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种记忆体装置,包含第一、第二记忆体阵列、第一、第二位元线驱动电路、第一、第二字元线驱动电路、读写电路、控制器以及第一、第二参考驱动电路。第一、第二记忆体阵列包含多个记忆体单元。第一、第二位元线驱动电路用以解译记忆体位元地址并驱动位元线。第一、第二字元线驱动电路用以解译记忆体字元地址并驱动字元线。读写电路用以读取、写入或重置记忆体单元。控制器用以切换第一、第二记忆体阵列工作于单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。第一、第二参考驱动电路用以驱动参考行。本实施可依据需求调整至单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。 | ||
搜索关键词: | 记忆体单元 驱动电路 记忆体阵列 位元线 字元线 参考驱动电路 记忆体装置 读写电路 控制器 驱动 解译 读取 需求调整 参考行 记忆体 体位 重置 字元 写入 | ||
【主权项】:
1.一种记忆体装置,其特征在于,包含:一第一记忆体阵列,包含多个第一记忆体单元;一第二记忆体阵列,包含多个第二记忆体单元;一第一位元线驱动电路,用以解译一第一记忆体位元地址并驱动一第一位元线;一第二位元线驱动电路,用以解译一第二记忆体位元地址并驱动一第二位元线;一第一字元线驱动电路,用以解译一第一记忆体字元地址并驱动一第一字元线;一第二字元线驱动电路,用以解译一第二记忆体字元地址并驱动一第二字元线;一读写电路,耦接于该第一位元线驱动电路以及该第二位元线驱动电路,用以读取、写入或重置所述多个第一记忆体单元与所述多个第二记忆体单元;一控制器,用以切换该第一记忆体阵列与该第二记忆体阵列工作于一单记忆体单元模式或一双记忆体单元模式;一第一参考驱动电路,用以驱动一第一参考行,该参考行包含多个第一参考单元,该第一参考行与所述多个第一参考单元位于该第一记忆体阵列里;以及一第二参考驱动电路,用以驱动一第二参考行,该参考行包含多个第二参考单元,该第二参考行与所述多个第二参考单元位于该第二记忆体阵列里。
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