[实用新型]Si基改性Ge单片同层光电器件

摘要

本实用新型涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，该器件结构包括：P型Si衬底层；P型Ge层，位于P型Si衬底层上；本征GeSn层，位于P型Ge层上，本征GeSn层包括第一本征GeSn层、第二本征GeSn层和第三本征GeSn层；N型Ge层，位于第一本征GeSn层和第三本征GeSn层上；N型Si层，位于N型Ge层上；SiO₂氧化层，位于N型Si层上；金属电极层，位于SiO₂氧化层上和P型Ge层上。本实用新型在Si基改性Ge薄膜上实现了发光器件、波导以及探测器件位于同层结构中，改善了光电器件的集成度，提高了Si衬底层的兼容性，降低了光电器件制备工艺的复杂度和成本。

主权项

1.一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，包括：P型Si衬底层(001)；P型Ge层(002)，位于所述P型Si衬底层(001)上；本征GeSn层，位于所述P型Ge层(002)上，其中，所述本征GeSn层包括第一本征GeSn层(0031)、第二本征GeSn层(0032)和第三本征GeSn层(0033)；N型Ge层，位于所述第一本征GeSn层(0031)和所述第三本征GeSn层(0033)上；N型Si层(005)，位于所述N型Ge层上；SiO₂氧化层(006)，位于所述N型Si层(005)上；金属电极层(009)，位于所述SiO₂氧化层(006)上和所述P型Ge层(002)上。