[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201822143912.0 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209374475U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;魏柏林;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和绝缘层；N型电极包括焊盘部分和手指部分，绝缘层设置在手指部分和凹槽内的N型半导体层上；P型电极包括焊盘部分、主干手指和多个分支手指，焊盘部分和多个分支手指均设置在P型半导体层上，主干手指设置在绝缘层上，主干手指在衬底表面上的投影与手指部分在衬底表面上的投影存在重合区域，主干手指的一端与焊盘部分连接，主干手指的另一端向远离焊盘部分的方向延伸，各个分支手指的一端分别与主干手指连接，各个分支手指的另一端向远离主干手指的方向延伸。本实用新型可以提升LED芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 主干 焊盘 绝缘层 发光二极管芯片 本实用新型 衬底表面 方向延伸 投影 半导体技术领域 重合区域 衬底 源层 发光 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和绝缘层；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述N型电极包括焊盘部分和手指部分，所述手指部分的一端与所述N型电极的焊盘部分连接，所述手指部分的另一端向远离所述N型电极的焊盘部分的方向延伸；所述绝缘层设置在所述手指部分和所述凹槽内的N型半导体层上；所述P型电极包括焊盘部分、主干手指和多个分支手指，所述P型电极的焊盘部分和所述多个分支手指均设置在所述P型半导体层上，所述主干手指设置在所述绝缘层上，所述主干手指在所述第一表面上的投影与所述手指部分在所述第一表面上的投影存在重合区域，所述主干手指的一端与所述P型电极的焊盘部分连接，所述主干手指的另一端向远离所述P型电极的焊盘部分的方向延伸，各个所述分支手指的一端分别与所述主干手指连接，各个所述分支手指的另一端向远离所述主干手指的方向延伸。
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