[实用新型]一种发光二极管芯片

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和绝缘层；N型电极包括焊盘部分和手指部分，绝缘层设置在手指部分和凹槽内的N型半导体层上；P型电极包括焊盘部分、主干手指和多个分支手指，焊盘部分和多个分支手指均设置在P型半导体层上，主干手指设置在绝缘层上，主干手指在衬底表面上的投影与手指部分在衬底表面上的投影存在重合区域，主干手指的一端与焊盘部分连接，主干手指的另一端向远离焊盘部分的方向延伸，各个分支手指的一端分别与主干手指连接，各个分支手指的另一端向远离主干手指的方向延伸。本实用新型可以提升LED芯片的发光亮度。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。芯片是LED的核心组件。

现有的LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、P型电极和N型电极，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上。

N型电极和P型电极均包括焊盘部分和手指部分。焊盘部分实现电流的注入。手指部分的一端与焊盘部分连接，手指部分的另一端向远离焊盘部分的方向延伸，以使电流均匀注入N型半导体层或者P型半导体层。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

N型电极的手指部分所在区域没有设置有源层，P型电极的手指部分会遮挡和吸收有源层发出的光线。因此手指部分在促进电流均匀注入半导体材料的同时，也会减少一部分光线从LED芯片射出，降低LED芯片的发光亮度。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片，能够解决现有技术电极会牺牲其所在区域的发光的问题。所述技术方案如下：

本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和绝缘层；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述N型电极包括焊盘部分和手指部分，所述手指部分的一端与所述N型电极的焊盘部分连接，所述手指部分的另一端向远离所述N型电极的焊盘部分的方向延伸；所述绝缘层设置在所述手指部分和所述凹槽内的N型半导体层上；所述P型电极包括焊盘部分、主干手指和多个分支手指，所述P型电极的焊盘部分和所述多个分支手指均设置在所述P型半导体层上，所述主干手指设置在所述绝缘层上，所述主干手指在所述第一表面上的投影与所述手指部分在所述第一表面上的投影存在重合区域，所述主干手指的一端与所述P型电极的焊盘部分连接，所述主干手指的另一端向远离所述P型电极的焊盘部分的方向延伸，各个所述分支手指的一端分别与所述主干手指连接，各个所述分支手指的另一端向远离所述主干手指的方向延伸。

可选地，所述重合区域的面积为所述主干手指和所述手指部分在所述第一表面上的投影的面积的85％～99％。

可选地，所述主干手指从所述P型电极的焊盘部分向所述N型电极的焊盘部分延伸，所述手指部分从所述N型电极的焊盘部分向所述P型电极的焊盘部分延伸。

优选地，所述多个分支手指对称设置在所述主干手指的两侧。

更优选地，位于所述主干手指同一侧的多个所述分支手指相互平行。

进一步地，位于所述主干手指同一侧的相邻两个所述分支手指之间的距离为定值。

优选地，所述定值为50μm～100μm。