[实用新型]半导体存储器电容接点结构有效
| 申请号： | 201821600468.4 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN208738215U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/535;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体存储器电容接点结构，包括：表面包含若干有源区的半导体衬底；若干位线，位于所述半导体衬底上，连接所述有源区；电容接点结构，位于所述位线之间的所述有源区上，下方连接所述有源区；介质层，所述介质层至少填满所述位线与所述电容接点结构之间的间隙及相邻所述位线之间的间隙；侧壁隔离层，覆盖于所述位线的侧壁，所述位线通过所述侧壁隔离层与所述电容接点结构分隔；电容结构，位于所述电容接点结构的上方，连接所述电容接点结构。本实用新型得到的电容接点结构不仅能确保电容接点结构具有较小尺寸，还能加强电容接点结构与位线的隔离效果，减少寄生电容，提高电容接点结构与介质层的接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电容接点 位线 源区 介质层 半导体存储器 本实用新型 侧壁隔离层 衬底 半导体 电容结构 隔离效果 寄生电容 接触性能 侧壁 分隔 填满 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器电容接点结构，其特征在于，包括：表面包含若干有源区的半导体衬底；若干位线，位于所述半导体衬底上，连接所述有源区；电容接点结构，位于所述位线之间的所述有源区上，下方连接所述有源区；介质层，所述介质层至少填满所述位线与所述电容接点结构之间的间隙及相邻所述位线之间的间隙；侧壁隔离层，覆盖于所述位线的侧壁，所述位线通过所述侧壁隔离层与所述电容接点结构分隔；及电容结构，位于所述电容接点结构的上方，连接所述电容接点结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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