[实用新型]等离子体沉积装置有效
| 申请号： | 201821512063.5 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN208949405U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 孟杰;胡广严;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/505;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种等离子体沉积装置。所述等离子体沉积装置包括用于容纳晶圆的反应腔室，还包括：射频电源，用于向所述反应腔室传输射频信号，使所述反应腔室中的反应气体发生辉光放电生成等离子体；传感器，用于检测所述反应腔室中的辉光强度；控制器，同时连接所述传感器和所述射频电源，用于判断所述辉光强度是否在预设范围内，若否，则调整所述射频电源传输至所述反应腔室的功率大小。本实用新型确保了所述反应腔室内接收到的射频电源功率的稳定性，改善晶圆表面沉积膜层的质量，提高半导体生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 反应腔室 等离子体沉积装置 射频电源 本实用新型 传感器 辉光 等离子体 半导体制造技术 传输射频信号 射频电源功率 半导体生产 沉积膜层 反应气体 辉光放电 晶圆表面 控制器 反应腔 晶圆 预设 容纳 室内 传输 检测 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体沉积装置，包括用于容纳晶圆的反应腔室，其特征在于，还包括：射频电源，用于向所述反应腔室传输射频信号，使所述反应腔室中的反应气体发生辉光放电生成等离子体；传感器，用于检测所述反应腔室中的辉光强度；控制器，同时连接所述传感器和所述射频电源，用于判断所述辉光强度是否在预设范围内，若否，则调整所述射频电源传输至所述反应腔室的功率大小。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
