[实用新型]一种超低损耗双路电源切换防倒灌电路有效

专利信息
申请号: 201821304874.6 申请日: 2018-08-14
公开(公告)号: CN208571700U 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 陈石平;陈顺清;郑彩霞;彭进双;谈书才 申请(专利权)人: 广州奥格智能科技有限公司
主分类号: H02J9/06 分类号: H02J9/06
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 510520 广东省广州市天河区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种超低损耗双路电源切换防倒灌电路,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一PMOS管的漏极连接第三PMOS管的源极,第一PMOS管的源极连接第二PMOS管的源极,第一PMOS管的栅极连接第四PMOS管的漏极,第二PMOS管的漏极的接电池,第二PMOS管的栅极连接第三PMOS管的漏极,第三PMOS管的栅极通过第三电阻连接第一NMOS管的漏极,第四PMOS管的栅极通过第四电阻连接第二NMOS管的漏极。本实用新型有益效果:本电路具有双路电源无缝切换、防止倒灌功能,可以保护前级电路;具有非常低的损耗,静态电流损耗为微安级,使用NMOS+PMOS组合开关电路,电路简单,成本很低,实用性强。
搜索关键词: 漏极 双路电源 电路 本实用新型 超低损耗 电阻连接 栅极连接 源极 静态电流损耗 组合开关电路 前级电路 无缝切换 源极连接 电池
【主权项】:
1.一种超低损耗双路电源切换防倒灌电路,其特征在于:包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一PMOS管的漏极连接第三PMOS管的源极,所述第一PMOS管的源极连接第二PMOS管的源极,所述第一PMOS管的栅极连接第四PMOS管的漏极,所述第二PMOS管的漏极的接电池,所述第二PMOS管的栅极连接第三PMOS管的漏极,所述第三PMOS管的栅极通过第三电阻连接第一NMOS管的漏极,所述第四PMOS管的栅极通过第四电阻连接第二NMOS管的漏极。
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