[实用新型]一种超低损耗双路电源切换防倒灌电路

说明书

本实用新型公开了一种超低损耗双路电源切换防倒灌电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一PMOS管的漏极连接第三PMOS管的源极，第一PMOS管的源极连接第二PMOS管的源极，第一PMOS管的栅极连接第四PMOS管的漏极，第二PMOS管的漏极的接电池，第二PMOS管的栅极连接第三PMOS管的漏极，第三PMOS管的栅极通过第三电阻连接第一NMOS管的漏极，第四PMOS管的栅极通过第四电阻连接第二NMOS管的漏极。本实用新型有益效果：本电路具有双路电源无缝切换、防止倒灌功能，可以保护前级电路；具有非常低的损耗，静态电流损耗为微安级，使用NMOS+PMOS组合开关电路，电路简单，成本很低，实用性强。

技术领域

本实用新型涉及双路电源切换电路防倒灌技术领域，尤其是一种超低损耗双路电源切换防倒灌电路。

背景技术

用其他辅助电源如充电宝、墙上适配器等。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。因此需要一种电源切换电路，在输入电源之间进行选择，使功率效率达到最佳，减少功耗，延长电池工作时间，特别是一种超低功耗的电源切换电路，并具有防倒灌，保护前级电路。这实现了两个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。

双二极管方案：使用两种二极管分别串接在电源上，电路简单，实现逻辑“或”功能，可以在电池和适配器之间进行选择，当电压通过二极管时有压降，电源高的优先被使用，其缺陷是二极管大约有0.6V的压降，电压降会随着输入电流成比例的功率损耗。随着电流增大，压降也会变大，如用肖特基二极管取代可以降低功率，但是功率损耗仍旧比较大：以肖特基二极管SS54为例，电流 0.1A、1A、10A、20A对应的压降分别为0.3V、0.4V、0.85V、1.4V，对应的损耗分别为0.03W、0.4W、8.5W、28W，意味着通过电流越大，损耗也越大。肖特基二极管缺点是反向电压超过阈值时存在反向电流，一般为毫安级，反向过压时不具有防倒灌功能，因此静态电流一般为毫安级。

二极管+PMOS管方案：如发明专利(一种多输入电源切换电路，申请号：CN201410700845.1)，肖特基二极管串接在Vbus上，电池Vbat使用PMOS管进行控制供电，由上述知二极管压降损耗大；PMOS管以irfb7440pbf为例，典型值RDS(ON)为2mΩ，取RDS(ON)＝2mΩ，电流0.1A、1A、10A、20A对应的压降分别为0.2mV、2mV、20mV、40mV，对应的损耗分别为0.02mW、2mW、0.2W、0.8W，显而易见，使用MOS管方案损耗下降非常大，约为肖特基二极管损耗的几十分之一。

三极管+MOS管方案：如发明专利(电源切换及补偿的装置和方法，申请号：CN200410039550.0)，两路电源均使用三极管控制MOS管对设备供电，其中一路还需要增加额外的第三种高压电源控制MOS管，显然三极管的偏置电阻为千欧姆级，其静态工作电流毫安级。不足之处三极管的静态工作电流毫安级，电流损耗很大，且需要使用的第三种高压电源。