[实用新型]电路有效
| 申请号： | 201821098327.7 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN209419210U | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 孙伟明 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及电路。本实用新型公开了一种用于电源保护的电路，电路包括第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)和第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)；第二nMOSFET和第二pMOSFET，第二nMOSFET和第二pMOSFET具有耦接到输出电压的漏极端子以及源极；以及控制电路。控制电路在输入电压具有大于零且小于预定正极限的电压值时关断nMOSFET并且接通pMOSFET，以饱和模式操作nMOSFET并且在输入电压具有大于预定正极限的电压值时关断pMOSFET，并且在输入电压具有小于零的电压值时关断nMOSFET和pMOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 输入电压 电路 关断 金属氧化物半导体场效应晶体管 控制电路 本实用新型 饱和模式 电源保护 漏极端子 输出电压 源极 接通 | ||
【主权项】：
1.一种电路，其特征在于，包括：接地信号；第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管nMOSFET，具有耦接到输入电压的漏极端子；第二n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，具有耦接到输出电压的漏极端子以及耦接到所述第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极的源极；第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管pMOSFET，具有耦接到所述输入电压的漏极端子；第二p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，具有耦接到所述输出电压的漏极端子以及耦接到所述第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极的源极；和控制电路，所述控制电路耦接到所述第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、所述第二n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、所述第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的相应栅极，所述控制电路用以基于如相对于所述接地信号测量的所述输入电压来操作所述第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、所述第二n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、所述第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821098327.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
