[实用新型]一种半导体储存器结构

摘要

本实用新型提供一种半导体储存器结构，包括衬底、一刻蚀终止层的多个位线接触隔离部、一接触材料的多个位线接触部及多条位线，其中，多个位线接触隔离部在衬底中隔离出多个位线接触区，在一延伸方向上，衬底的位线接触区的上表面和位线接触隔离部的顶面和侧面构成为一具有高度差的接触材料形成表面，多个所述位线接触部设置于位线接触区上，位线接触部之间藉由位线接触隔离部隔离，每条位线的底面分别与多个位线接触部的顶面连接。本实用新型的半导体储存器结构能实现位线接触部在沉积阶段就被位线接触隔离部隔离开，避免因接触材料未被蚀刻完全导致位线短路的情况，并增加后续位线蚀刻的制程窗口，同时预防因接触材料过刻蚀引起位线接触的阻值增大。

主权项

1.一种半导体储存器结构，其特征在于，包括：衬底；一刻蚀终止层的多个位线接触隔离部，分立设置于所述衬底上，以在所述衬底中隔离出多个位线接触区，在一延伸方向上，所述衬底的位线接触区的上表面和所述位线接触隔离部的顶面和侧面构成为一具有高度差的接触材料形成表面；一接触材料的多个位线接触部，设置于所述位线接触区上，在所述延伸方向上，所述位线接触部之间藉由所述位线接触隔离部隔离，且所述位线接触部与所述位线接触隔离部分立设置；多条位线，每条所述位线的底面分别与多个所述位线接触部的顶面连接。