[实用新型]一种长波长LED外延垒晶片及芯片及全彩发光体有效
| 申请号： | 201820089998.0 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN208093581U | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 | 申请（专利权）人： | 东莞市中晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523500 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种长波长LED外延垒晶片及芯片及全彩发光体，包括：外延垒晶衬底、CaN基外延垒晶层，外延垒晶衬底上表面依次垂直生长有CaN基外延垒晶层，CaN 基外延垒晶层包括：缓冲层：在n型CaN与外延垒晶衬底之间生长CaN缓冲层；n型CaN：生长于CaN缓冲层之上，量子阱之下；量子阱：为多量子阱，量子阱≥7对，在n型CaN与p型CaN之间，在CaN量子阱中分布沉积有C；p型CaN:生长于CaN量子阱之上。本实用新型的长波长LED外延垒晶片制备成的LED电性性能与蓝绿CaN LED电性性能一致。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱 长波长 缓冲层 晶片 本实用新型 全彩发光体 电性性能 衬底 生长 芯片 衬底上表面 垂直生长 多量子阱 沉积 制备 | ||
【主权项】：
1.一种长波长LED外延垒晶片，其特征在于，包括：外延垒晶衬底、CaN 基外延垒晶层，外延垒晶衬底上表面依次垂直生长有CaN 基外延垒晶层，CaN 基外延垒晶层包括：缓冲层：在n型CaN与外延垒晶衬底之间生长CaN缓冲层；n型CaN：生长于CaN缓冲层之上，量子阱之下；InCaN量子阱：为多量子阱，量子阱≥7对，在n型CaN与p型CaN之间，在CaN量子阱中分布沉积有降低带宽间隙的物质；p型CaN: 生长于InCaN量子阱之上。
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