[发明专利]单晶炉的热场结构以及单晶炉在审
| 申请号： | 201811609485.9 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109576775A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 蒋昌稳;郑加镇 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了单晶炉的热场结构和单晶炉，其中，单晶炉的热场结构包括：石墨承盘；碳碳坩埚，所述碳碳坩埚设置在所述石墨承盘上；保护部件，所述保护部件设置在所述碳碳坩埚底表面和/或部分侧面上，且适于防止碳碳坩埚受SiOx侵蚀。由此，通过在碳碳坩埚200底表面和/或部分侧面上设置保护部件300，不仅可以对碳碳坩埚200的底表面进行保护，减少碳碳坩埚200上裸露在外碳碳复合材受到SiOx的侵蚀破坏，延长碳碳坩埚的使用寿命，减少更换次数，还可以达到填充石墨承盘100与碳碳坩埚200之间缝隙的效果，进而对石墨承盘100也起到的保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 碳碳 坩埚 单晶炉 石墨 承盘 保护部件 热场结构 侵蚀 使用寿命 侧面 复合材 填充 裸露 | ||
【主权项】：
1.一种单晶炉的热场结构，其特征在于，包括：石墨承盘；碳碳坩埚，所述碳碳坩埚设置在所述石墨承盘上；保护部件，所述保护部件设置在所述碳碳坩埚底表面和/或部分侧面上，且适于防止碳碳坩埚受SiOx侵蚀。
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