[发明专利]半导体器件隔离侧墙制造方法在审
| 申请号： | 201811607276.0 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686665A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 任佳;韩朋刚;孙文彦;康天晨 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件隔离侧墙制造方法，包括：制作半导体隔离侧墙spacer，制作牺牲层覆盖隔离侧墙spacer，进行第一次牺牲层刻蚀去除部分牺牲层，进行隔离侧墙刻蚀形成设计形貌的隔离侧墙spacer，进行第二次牺牲层刻蚀去除全部牺牲层。本发明在器件隔离侧墙制造完成后通过刻蚀使隔离侧墙形成方形形貌能避免非对称形貌隔离侧墙对下层layer刻蚀的影响，提高器件的均一性,提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离侧墙 牺牲层 刻蚀 形貌 侧墙 半导体器件 去除 制造 半导体隔离 覆盖隔离 器件隔离 器件性能 非对称 均一性 下层 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制作半导体隔离侧墙(spacer)；2)制作牺牲层覆盖隔离侧墙(spacer)3)进行第一次牺牲层刻蚀去除部分牺牲层；4)进行隔离侧墙刻蚀形成设计形貌的隔离侧墙(spacer)；5)进行第二次牺牲层刻蚀去除全部牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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