[发明专利]临界角透射光栅制作方法有效
| 申请号： | 201811597429.8 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109782384B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 焦庆斌;谭鑫;巴音贺希格;李文昊;宋莹;姜珊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 吴乃壮 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种临界角透射光栅制作方法，包括以下步骤：S1、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在氮化硅层表面镀铬，再双面旋涂光刻胶，经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到基准光栅；S2、在基准光栅双面旋涂光刻胶，经扫描干涉场曝光系统曝光、显影后得到光栅掩膜；S3、然后干法刻蚀光栅掩膜的氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。本发明的临界角透射光栅制作方法，其通过双面镀铬、双面旋涂光刻胶、双面曝光等工艺制作单晶硅光栅掩膜。然后双向同时利用碱性刻蚀液对单晶硅进行湿法刻蚀，即可降低光栅展宽面积，实现光栅开口率的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 临界角 透射 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型的临界角透射光栅制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在氮化硅层表面镀铬，再双面旋涂光刻胶，经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到基准光栅；S2、在基准光栅双面旋涂光刻胶，经扫描干涉场曝光系统曝光、显影后得到光栅掩膜；S3、然后干法刻蚀光栅掩膜的氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。
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