[发明专利]一种底部带焊盘的空腔结构制作方法有效

专利信息
申请号: 201811596723.7 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN110010548B 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 冯光建 申请(专利权)人: 浙江集迈科微电子有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/48
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 董世博
地址: 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种底部带焊盘的空腔结构制作方法,具体处理包括如下步骤:101)焊盘准备步骤、102)转接板下表面处理步骤、103)成形步骤;本发明提供空腔底部实现焊盘的制作的一种底部带焊盘的空腔结构制作方法。
搜索关键词: 一种 底部 带焊盘 空腔 结构 制作方法
【主权项】:
1.一种底部带焊盘的空腔结构制作方法,其特征在于,具体处理包括如下步骤:101)焊盘准备步骤:转接板上表面通过光刻、刻蚀工艺在制作第一TSV孔,第一TSV孔的深度小于转接板的厚度;在转接板上表面采用沉积氧化硅、沉积氮化硅或直接热氧方法中的一种,形成绝缘层;在绝缘层上物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺选其一制作种子层;电镀金属填充第一TSV孔底部形成一定厚度的金属块,200到500度温度下密化金属块;湿法清洗工艺去除第一TSV孔内种子层;102)转接板下表面处理步骤:减薄转接板下表面,通过光刻、刻蚀工艺在转接板减薄表面制作第二TSV孔,第二TSV孔直径小于第一TSV孔直径,第二TSV孔的深度加上第一TSV孔的深度等于减薄后转接板厚度;转接板下表面通过沉积氧化硅、氮化硅或直接热氧化形成绝缘层;绝缘层上通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺选其一制作种子层;电镀金属充满第二TSV孔,形成金属柱,200到500度温度下密化金属柱;CMP工艺去除转接板下表面金属,保留金属柱;103)成形步骤:在步骤101)处理后的转接板上表面制作TSV孔的区域通过干法刻蚀和/或湿法腐蚀工艺制作空腔,露出金属块形成焊盘。
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